MMBV609LT1
首选设备
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐，频率一般控制
和调整，或任何顶级的线的应用要求
备份到后端二极管配置为最小信号失真和
失谐。此设备在SOT -23塑料封装为供给
高容量，取放组装要求。
特点
http://onsemi.com
高品质因数 - Q = 450 （典型值） @ V
R
= 3.0伏， F = 50 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配
超突变结工艺提供高调谐比
无铅包装是否可用
双电压变
容二极管
1
2
3
最大额定值
（每个二极管）
等级
反向电压
正向电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
20
100
225
1.8
+125
-55到+125
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
9风格
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
5L M
G
G
1
5L =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBV609LT1
MMBV609LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号：
MMBV609LT1/D
MMBV609LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格9 ：
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
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为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
3
MMBV609LT1/D
ON Semiconductort
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐，频率一般控制
和调整，或任何顶级的线的应用要求
备份到后端二极管配置为最小信号失真和
失谐。此设备在SOT -23塑料封装为供给
高容量，取放组装要求。
高品质因数
Q = 450 （典型值） @ VR = 3.0伏， F = 50 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配
超突变结工艺提供高调谐比
最大额定值
（每个二极管）
等级
反向电压
正向电流
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
VR
IF
PD
TJ
TSTG
价值
20
100
225
1.8
+125
-55到+125
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
MMBV609LT1
安森美半导体首选设备
双
可变电压
容二极管
3
1
2
CASE 318-08 ，风格9
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
1
2
3
器件标识
MMBV609LT1 = 5L
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
（每个二极管）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
μAdc ）
反向电压漏电流
（ VR = 15 VDC ）
二极管电容
（ VR = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
电容比C3 / C8
中（f = 1.0 MHz）的
勋章图
（ VR = 3.0伏， F = 50兆赫）
符号
V（ BR ）R
IR
CT
CR
Q
民
20
—
26
1.8
250
典型值
—
—
—
—
450
最大
—
10
32
2.4
—
单位
VDC
NADC
pF
—
—
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMBV609LT1/D
MMBV609LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SOT -23的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现225毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
http://onsemi.com
3
MMBV609LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318-08
ISSUE AF
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
风格9 ：
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
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81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
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4
MMBV609LT1/D
乐山无线电公司， LTD 。
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐，频率一般控制和
调整，或者最顶级的线的任何应用程序需要背到背二极管
配置最低的信号失真和失谐。该装置是
在SOT- 23塑料封装的高容量提供的，取放
装配要求。
高品质因数
—
Q = 450 （典型值） @ V
R
= 3.0伏， F = 50 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配
超突变结工艺提供高调谐比
1
2
MMBV609LT1
双
可变电压
容二极管
3
CASE 318-08 ，风格9
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
1
2
3
最大额定值（每个二极管）
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
20
100
225
1.8
+125
-55到+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV609LT1=5L
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
=10Adc)
反向电压漏电流
(V
R
=15Vdc)
二极管电容
(V
R
= 3.0伏， F = 1.0MHz的）
电容比C3 / C8
(f=1.0MHz)
勋章图
(V
R
= 3.0伏， F = 50MHz的）
符号
V
（ BR ）R
I
R
C
T
C
R
Q
民
20
—
26
1.8
250
典型值
—
—
—
—
450
最大
—
10
32
2.4
—
单位
VDC
NADC
pF
—
—
MMBV609LT1–1/2
QQ：2880707522 复制
