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MMBV432LT1
首选设备
硅调谐二极管
该器件是专为FM调谐,频率一般控制
和调整,或任何顶级的线的应用要求
备份到后端二极管配置为最小信号失真和
失谐。此设备在SOT -23塑料封装为供给
高容量,取放组装要求。
特点
http://onsemi.com
高品质因数 - Q = 150 (典型值) @ V
R
= 2.0伏, F = 100 MHz的
保证电容范围
双二极管 - 节省空间和降低成本
表面贴装封装
可在8毫米磁带和卷轴
单芯片提供了改进的匹配 -
保证
±1.0%
(最大值)在指定的调谐范围
无铅包装是否可用
双电压变
容二极管
1
3
2
3
最大额定值
(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
14
200
225
1.8
+125
-55到+125
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
9风格
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
M4B M
G
G
1
M4B =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBV432LT1
MMBV432LT1G
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号:
MMBV432LT1/D
MMBV432LT1
电气特性
(每个二极管)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
反向电压漏电流
(V
R
= 9.0 VDC )
二极管电容
(V
R
= 2.0伏, F = 1.0兆赫)
电容比C2 / C8
中(f = 1.0 MHz)的
勋章图
(V
R
= 2.0伏, F = 100兆赫)
符号
V
( BR )R
I
R
C
T
C
R
Q
14
43
1.5
100
典型值
150
最大
100
48.1
2.0
单位
VDC
NADC
pF
http://onsemi.com
2
MMBV432LT1
典型特性(每个二极管)
100
CT ,二极管电容(PF )
70
50
Q,优异的图
450
550
350
30
20
F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
250
150
T
A
= 25°C
F = 100 MHz的
10
1
2
3
5
7
10
50
0
2
4
6
8
10
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容
CT ,二极管电容(标准化)
2000
1000
Q,优异的图
500
200
100
50
20
10
V
R
= 2.0伏
T
A
= 25°C
1.06
图2.图优异与电压的
1.04
V
R
= 2.0伏
1.02
V
R
= 4.0伏
1.00
0.98
0.96
75
F = 1.0 MHz的
20
30
50 70 100
200 300
50
25
0
+25
+50
+75
+100
+125
男,频率(MHz)
T
J
,结温( ° C)
图3.图功绩与频率
10
5
I R ,反向电流( NA)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
2
4
6
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
T
A
= 125°C
图4.二极管电容随温度
8
10
12
14
V
R
,反向电压(伏)
图5.反向电流与反向电压
http://onsemi.com
3
MMBV432LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格9 :
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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