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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1444页 > MMBV3700LT1
ON Semiconductort
高压硅PIN二极管
这些装置主要用于VHF频段的开关设计
应用，但也适用于一般用途的开关使用
电路。它们以具有成本效益的塑料包被提供
经济，大批量消费和工业需求。
他们也是在表面贴装可用。
长反向恢复时间trr = 300 ns（典型值）
再加上引线键合建设坚固的PIN结构
最佳的可靠性
低串联电阻@ 100 MHz的 - RS = 0.7欧姆（典型值） @
IF = 10 MADC
反向击穿电压为200 V（最小值）
最大额定值
等级
反向电压
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
VR
PD
280
2.8
TJ
TSTG
+125
-55到+150
200
2.0
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
MPN3700
MMBV3700LT1
200
单位
VDC
MMBV3700LT1
MPN3700
3
1
2
CASE 318-08 ，风格8
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
3
阴极
SOT–23
1
阳极
1
2
CASE 182-06 ，风格1
TO-92 （TO- 226AC ）
2
阴极
TO–92
1
阳极
器件标识
MMBV3700LT1 = 4R
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
μAdc ）
二极管电容
（ VR = 20伏， F = 1.0兆赫）
串联电阻（图5）
（ IF = 10 MADC ）
反向漏电流
（ VR = 150伏）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ）
符号
V（ BR ）R
CT
RS
IR
TRR
民
200
–
–
–
–
典型值
–
–
0.7
–
300
最大
–
1.0
1.0
0.1
–
单位
VDC
pF
μAdc
ns
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMBV3700LT1D
MMBV3700LT1 MPN3700
典型特征
3.2
R 5 ，串联电阻（欧姆）
TA = 25°C
I F ，正向电流（mA ）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.7
0.8
0.9
1.0
TA = 25°C
IF ，正向电流（mA ）
VF ，正向电压（伏）
图1.串联电阻
10
8.0
6.0
I R ，反向电流（
A)
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0
-10
-20
-30
-40
-50
TA = 25°C
100
40
10
4.0
1.0
0.4
0.1
0.04
0.01
图2.正向电压
（C T） ，二极管电容（PF ）
VR = 15 VDC
0.004
0.001
-60
-20
0
+20
+60
+100
+140
VR ，反向电压（伏）
TA ，环境温度（ ° C）
图3.二极管电容
图4.漏电流
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2
MMBV3700LT1 MPN3700
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SOT -23的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现225毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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3
MMBV3700LT1 MPN3700
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版，需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
用于表面贴装封装的模板开孔尺寸
应该是相同的印刷电路上的焊盘尺寸
板，即，以1：1的注册。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组
控制设置，这将得到期望的加热方式。该
操作者必须设置温度数个加热区，
和一个数字带速。两者合计，这些控制
设置补热“轮廓”为特定
电路板。在由计算机控制的机器，所述
计算机从一个操作系统会记住这些配置文件
会话到下一个。图7示出一个典型的加热分布
用于焊接表面贴装时，设备在印刷
电路板。此配置文件将焊接各不相同
系统，但它是一个很好的起点。因素，可以
影响的信息包括焊接系统中的类型
使用时，密度和成分上的板型，类型
焊料使用，并且基板或基片材料的类型
被使用。这个曲线显示温度随时间的变化。
图上的线表示的实际温度
在可能经历了测试板的表面上或
靠近中央焊点。两个配置文件基于一个
高密度和低密度板。该维多利绍德
SMD310对流/红外回流焊接系统是
用于生成此信息。所使用的焊料类型是
62/36/2铅锡银带之间的熔点
177-189 ℃。当这种类型的炉子是用于焊料
回流工作时，电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件，然后通过加热
传导。在电路板上，因为它有一个大的表面
面积，更有效地吸收的热能，然后
分配的能量，以该组件。因为这
效果，一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第1步
预热
1区
？ RAMP ＆ QUOT ;
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
？浸泡＆ QUOT ;开发区2及五
？ RAMP ＆ QUOT ;
步骤5
第4步
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
？ SPIKE ＆ QUOT ;
？浸泡＆ QUOT ;
170°C
160°C
STEP 6 STEP 7
VENT冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
100°C
100°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
50°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
时间（ 37分钟总）
TMAX
图5.典型焊接暖气简介
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4
MMBV3700LT1 MPN3700
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318-08
ISSUE AF
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
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5
MMBV3700LT1 ， MPN3700
高压硅PIN
二极管
这些装置主要用于VHF频段的开关设计
应用，但也适用于一般用途的开关使用
电路。它们以具有成本效益的塑料包被提供
经济，大批量消费和工业需求。
他们也是在表面贴装可用。
特点
http://onsemi.com
SOT23
长反向恢复时间吨
rr
= 300 ns（典型值）
再加上引线键合建设坚固的PIN结构
最佳的可靠性
低串联电阻@ 100 MHz的 -
R
S
= 0.7
W
（典型值） @我
F
= 10 MADC
反向击穿电压为200 V（最小值）
无铅包可用
最大额定值
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
MMBV3700LT1
减免上述25℃
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
MPN3700
T
J
T
英镑
符号
V
R
P
D
200
2.8
P
D
280
2.8
+125
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
价值
20
单位
VDC
1
2
1
阳极
3
阴极
记号
图
3
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318 -08
风格8
4R M
G
G
1
4R =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
TO92
1
阳极
2
阴极
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
记号
图
1
2
TO-92 （TO- 226AC ）
案例182-06
风格1
MPN
3700
AYWW
G
G
MPN
=器件代码
3700
=具体设备
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号：
MMBV3700LT1/D
MMBV3700LT1 ， MPN3700
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（I
R
= 10
MADC ）
二极管电容（V
R
= 20伏， F = 1.0兆赫）
串联电阻（图5 ）（Ⅰ
F
= 10 MADC ）
反向漏电流（V
R
= 150伏）
反向恢复时间（I
F
= I
R
= 10 MADC ）
符号
V
（ BR ）R
C
T
R
S
I
R
t
rr
民
200
典型值
0.7
300
最大
1.0
1.0
0.1
单位
VDC
pF
W
MADC
ns
典型特征
3.2
RS ，串联电阻（欧姆）
T
A
= 25°C
I F ，正向电流（mA ）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.7
0.8
0.9
1.0
T
A
= 25°C
I
F
，正向电流（mA ）
V
F
，正向电压（伏）
图1.串联电阻
10
8.0
6.0
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
T
A
= 25°C
100
40
I R ，反向电流（
μ
A)
10
4.0
1.0
0.4
0.1
0.04
0.01
图2.正向电压
（C T） ，二极管电容（PF ）
V
R
± 15 VDC
0.004
0
10
20
30
40
50
0.001
60
20
0
+20
+60
+100
+140
V
R
，反向电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图3.二极管电容
图4.漏电流
订购信息
设备
MMBV3700LT1
MMBV3700LT1G
MPN3700
MPN3700G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1000单位/散装
1000单位/散装
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MMBV3700LT1 ， MPN3700
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
A
L
A1
L1
视图C
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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3
MMBV3700LT1 ， MPN3700
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
案例182-06
ISSUE AL
A
B
座位
飞机
R
D
K
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
DIM MIN
最大
A
0.175
0.205
B
0.170
0.210
C
0.125
0.165
D
0.016
0.021
G
0.050 BSC
H
0.100 BSC
J
0.014
0.016
K
0.500
L
0.250
N
0.080
0.105
P
0.050
R
0.115
V
0.135
风格1 ：
PIN 1.阳极
2.阴极
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
6.35
2.03
2.66
1.27
2.93
3.43
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
P
J
MMBV3700LT1/D
ON Semiconductort
高压硅PIN二极管
这些装置主要用于VHF频段的开关设计
应用，但也适用于一般用途的开关使用
电路。它们以具有成本效益的塑料包被提供
经济，大批量消费和工业需求。
他们也是在表面贴装可用。
长反向恢复时间trr = 300 ns（典型值）
再加上引线键合建设坚固的PIN结构
最佳的可靠性
低串联电阻@ 100 MHz的 - RS = 0.7欧姆（典型值） @
IF = 10 MADC
反向击穿电压为200 V（最小值）
最大额定值
等级
反向电压
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
VR
PD
280
2.8
TJ
TSTG
+125
-55到+150
200
2.0
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
MPN3700
MMBV3700LT1
200
单位
VDC
MMBV3700LT1
MPN3700
3
1
2
CASE 318-08 ，风格8
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
3
阴极
SOT–23
1
阳极
1
2
CASE 182-06 ，风格1
TO-92 （TO- 226AC ）
2
阴极
TO–92
1
阳极
器件标识
MMBV3700LT1 = 4R
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
μAdc ）
二极管电容
（ VR = 20伏， F = 1.0兆赫）
串联电阻（图5）
（ IF = 10 MADC ）
反向漏电流
（ VR = 150伏）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ）
符号
V（ BR ）R
CT
RS
IR
TRR
民
200
–
–
–
–
典型值
–
–
0.7
–
300
最大
–
1.0
1.0
0.1
–
单位
VDC
pF
μAdc
ns
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMBV3700LT1D
MMBV3700LT1 MPN3700
典型特征
3.2
R 5 ，串联电阻（欧姆）
TA = 25°C
I F ，正向电流（mA ）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.7
0.8
0.9
1.0
TA = 25°C
IF ，正向电流（mA ）
VF ，正向电压（伏）
图1.串联电阻
10
8.0
6.0
I R ，反向电流（
A)
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0
-10
-20
-30
-40
-50
TA = 25°C
100
40
10
4.0
1.0
0.4
0.1
0.04
0.01
图2.正向电压
（C T） ，二极管电容（PF ）
VR = 15 VDC
0.004
0.001
-60
-20
0
+20
+60
+100
+140
VR ，反向电压（伏）
TA ，环境温度（ ° C）
图3.二极管电容
图4.漏电流
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2
MMBV3700LT1 MPN3700
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SOT -23的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现225毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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3
MMBV3700LT1 MPN3700
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版，需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
用于表面贴装封装的模板开孔尺寸
应该是相同的印刷电路上的焊盘尺寸
板，即，以1：1的注册。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组
控制设置，这将得到期望的加热方式。该
操作者必须设置温度数个加热区，
和一个数字带速。两者合计，这些控制
设置补热“轮廓”为特定
电路板。在由计算机控制的机器，所述
计算机从一个操作系统会记住这些配置文件
会话到下一个。图7示出一个典型的加热分布
用于焊接表面贴装时，设备在印刷
电路板。此配置文件将焊接各不相同
系统，但它是一个很好的起点。因素，可以
影响的信息包括焊接系统中的类型
使用时，密度和成分上的板型，类型
焊料使用，并且基板或基片材料的类型
被使用。这个曲线显示温度随时间的变化。
图上的线表示的实际温度
在可能经历了测试板的表面上或
靠近中央焊点。两个配置文件基于一个
高密度和低密度板。该维多利绍德
SMD310对流/红外回流焊接系统是
用于生成此信息。所使用的焊料类型是
62/36/2铅锡银带之间的熔点
177-189 ℃。当这种类型的炉子是用于焊料
回流工作时，电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件，然后通过加热
传导。在电路板上，因为它有一个大的表面
面积，更有效地吸收的热能，然后
分配的能量，以该组件。因为这
效果，一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第1步
预热
1区
？ RAMP ＆ QUOT ;
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
？浸泡＆ QUOT ;开发区2及五
？ RAMP ＆ QUOT ;
步骤5
第4步
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
？ SPIKE ＆ QUOT ;
？浸泡＆ QUOT ;
170°C
160°C
STEP 6 STEP 7
VENT冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
100°C
100°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
50°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
时间（ 37分钟总）
TMAX
图5.典型焊接暖气简介
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4
MMBV3700LT1 MPN3700
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318-08
ISSUE AF
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
风格8 ：
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
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5
乐山无线电公司， LTD 。
硅PIN二极管
这些装置主要用于VHF频段切换应用程序设计
阳离子，但也适合于在通用切换使用
电路。它们以具有成本效益的塑料包被提供
经济，大批量消费和工业需求。他们
也是表面贴装。
长反向恢复时间
t
rr
= 300 ns（典型值）
坚固的PIN结构加上引线键合
构建最佳的可靠性
低串联电阻@ 100 MHz的 -
R
S
= 0.7欧姆（典型值） @我
F
= 10 MADC
反向击穿电压为200 V（最小值）
MMBV3700LT1
硅PIN
开关二极管
3
1
2
3
阴极
1
阳极
例
318-08 ，美丽人生
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值（每个二极管）
等级
反向电压
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
P
D
T
J
T
英镑
MV21XX
280
2.8
+150
-55到+150
MMBV21XXLT1
200
200
2.0
单位
VDC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV3700LT1=4R
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
=10Adc)
二极管电容
(V
R
= 20伏， F = 1.0MHz的）
串联电阻（ figure5 ）
(I
F
=10mAdc)
反向漏电流
(V
R
=150Vdc)
反向恢复时间
(I
F
=I
R
=10mAdc)
t
rr
—
300
—
ns
符号
V
（ BR ）R
C
T
R
S
I
R
民
200
—
—
—
典型值
—
—
0.7
—
最大
—
1.0
1.0
0.1
单位
VDC
pF
μAdc
I9–1/2
乐山无线电公司， LTD 。
MMBV3700LT1 MPN3700
典型特征
R
S
，串联电阻（欧姆）
3.2
800
I
F
，正向电流（mA ）
2.8
700
600
500
400
300
200
100
0
0.7
0.8
0.9
1.0
T
A
= 25°C
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
T
A
= 25°C
I
F
，正向电流（mA ）
V
F
，正向电压（伏）
图1.串联电阻
图2.正向电压
C
T
二极管CAPACITANDE （PF ）
10
8.0
6.0
100
40
I
R
，反向电流（
A
)
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
10
4.0
1.0
0.4
0.1
0.04
0.01
0.004
0.001
- 60
- 20
0
+20
+60
+100
+140
T
A
= 25°C
V
R
= 25VDC
V
R
，正向电压（伏）
T
A
，环境温度（ ° C）
图3.二极管电容
图4.漏电流
I9–2/2
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