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MMBV3102LT1
首选设备
硅调谐二极管
该设备被设计在了表面贴装封装一般
频率控制和调谐应用。它提供了固态
可靠性在更换机械调谐方法。
特点
高Q值与在VHF频率保证最低值
控制和统一调谐比
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
30
200
225
1.8
+125
-55到+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
http://onsemi.com
3
阴极
1
阳极
3
1
2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
风格8
标记图
M4CM
G
G
1
M4C =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBV3102LT1
MMBV3102LT1G
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号:
MMBV3102LT1/D
MMBV3102LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
反向电压漏电流
(V
R
= 25伏直流,T
A
= 25°C)
二极管电容温度系数
(V
R
= 4.0伏, F = 1.0兆赫)
符号
V
( BR )R
I
R
TC
C
30
典型值
300
最大
0.1
单位
VDC
MADC
PPM /°C的
C
t
,二极管电容
V
R
= 3.0伏, F = 1.0 MHz的
pF
设备
MMBV3102LT1
20
22
最大
25
Q,优异的图
V
R
= 3.0伏
F = 50MHz的
200
C
R
,电容比
C
3
/C
25
F = 1.0 MHz的
4.5
典型值
4.8
典型特征
40
Q,品质因数( ×1000 )
36
CT ,二极管电容(PF )
32
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容
图2.图勋章
(C T) ,二极管电容(标准化)
100
I R ,反向电流( NA)
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
75
50
25
0
+25
+50
+75
+100
+125
V
R
= 3.0伏
F = 1.0 MHz的
10
V
R
= 20伏直流
1.0
0.1
0.01
0.001
60
20
0
+20
+60
+100
+140
T
A
,环境温度( ° C)
T
A
,环境温度( ° C)
图3.泄漏电流
图4.二极管电容
注意测试和规格
1. C
R
是C的比
T
在3.0伏直流电测量划分为C
T
在25伏直流测量。
http://onsemi.com
2
MMBV3102LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
3
MMBV3102LT1/D
乐山无线电公司, LTD 。
硅调谐二极管
该设备被设计在了表面贴装封装的
通用变频器controland调整应用程序。它提供
在更换机械调谐的固态可靠性
的方法。
高Q值与在VHF频率保证最低值
控制和统一调谐比
3
MMBV3102LT1
22 pF的(标称) 30Volts
可变电压
容二极管
3
阴极
1
阳极
1
2
CASE 318-08 ,风格
8
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
30
200
225
1.8
+125
-55到+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
器件标识
MMBV3102LT1 = M4C
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=10Adc)
反向电压漏电流
(V
R
=15Vdc)
二极管电容温度系数
(V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
符号
V
( BR )R
I
R
T
CC
30
典型值
300
最大
0.1
单位
VDC
μAdc
PPM /°C的
C
T
二极管电容
V
R
=3.0Vdc,f=1.0MHz
pF
设备类型
MMBV3102LT1
20
Q,优异的图
V
R
=3.0Vdc
f=50MHz
C
R
,电容比
C
3
/ C
25
f=1.0MHz
4.5
22
最大
25
200
典型值
4.8
MMBV3102LT1–1/2
乐山无线电公司, LTD 。
MMBV3102LT1
典型特征
40
20
10
C
T
,二极管电容(PF )
36
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
Q,品质因数
32
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
F = 1.0MHz的
T
A
= 25°C
V
R
,反向电压(伏)
男,频率(GHz )
图1.二极管电容
图2.图勋章
C
T
,二极管电容(标准化)
100
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
–75
–50
–25
0
+25
+50
+75
+100
+125
I
R
,反向电流( NA)
V
R
= 3.0VDC
F = 1.0MHz的
10
V
R
= 20VDC
1.0
0.1
0.01
0.001
-60
-20
0
+20
+60
+100
+140
T
A
,环境温度( ° C)
T
A
,环境温度( ° C)
图3.泄漏电流
图4.二极管电容
注意有关测试ANG规格
1. C
R
是C的比
T
在3.0伏直流电测量划分为C
T
在25伏直流测量。
MMBV3102LT1–2/2
MMBV3102LT1G
硅调谐二极管
该设备被设计在了表面贴装封装一般
频率控制和调谐应用。它提供了固态
可靠性在更换机械调谐方法。
特点
高Q值与在VHF频率保证最低值
控制和统一调谐比
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
价值
30
200
225
1.8
+125
55
+150
单位
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
http://onsemi.com
3
阴极
1
阳极
3
1
2
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
风格8
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
M4CM
G
G
1
M4C =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBV3102LT1G
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号:
MMBV3102LT1/D
MMBV3102LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
反向电压漏电流
(V
R
= 25伏直流,T
A
= 25°C)
二极管电容温度系数
(V
R
= 4.0伏, F = 1.0兆赫)
C
t
,二极管电容
V
R
= 3.0伏, F = 1.0 MHz的
pF
设备
MMBV3102LT1
20
22
最大
25
符号
V
( BR )R
I
R
TC
C
30
典型值
300
最大
0.1
单位
VDC
MADC
PPM /°C的
Q,优异的图
V
R
= 3.0伏
F = 50MHz的
200
C
R
,电容比
C
3
/C
25
F = 1.0 MHz的
4.5
典型值
4.8
典型特征
40
Q,品质因数( ×1000 )
36
CT ,二极管电容(PF )
32
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容
图2.图勋章
(C T) ,二极管电容(标准化)
100
I R ,反向电流( NA)
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
-75
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100
+125
V
R
= 3.0伏
F = 1.0 MHz的
10
V
R
= 20伏直流
1.0
0.1
0.01
0.001
-60
-20
0
+20
+60
+100
+140
T
A
,环境温度( ° C)
T
A
,环境温度( ° C)
图3.泄漏电流
图4.二极管电容
注意测试和规格
1. C
R
是C的比
T
在3.0伏直流电测量划分为C
T
在25伏直流测量。
http://onsemi.com
2
MMBV3102LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
09
过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
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