MMBTSC5345W
NPN硅外延平面晶体管
对RF放大器
该晶体管被细分为三组中，R ，
O，且Y ，根据其DC电流增益。
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
30
20
4
20
200
150
- 55 + 150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
特点在T
AMB
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
电流增益组
R
O
Y
符号
h
FE
h
FE
h
FE
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
f
T
C
OB
分钟。
40
70
120
30
20
4
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
550
1.4
马克斯。
80
140
240
-
-
-
0.5
0.5
0.3
-
-
单位
-
-
-
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
集电极基极击穿电压
在我
C
= 10 A
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 5毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 10 A
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 4 V
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
跃迁频率
在V
CE
= 6 V ， -I
E
= 1毫安
集电极输出电容
在V
CB
= 6 V ， F = 1兆赫
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/05/2006
MMBTSC5345W
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日期： 20/05/2006
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