MMBTSC3838
NPN硅外延平面晶体管
对于高频放大器应用
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
20
11
3
50
200
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 10 V,I
C
= 5毫安
电流增益组
R
S
符号
h
FE
h
FE
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NF
分钟。
56
120
-
-
20
11
3
-
1.4
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
3.2
-
3.5
马克斯。
160
240
0.5
0.5
-
-
-
0.5
-
1.5
-
单位
-
-
A
A
V
V
V
V
GHz的
pF
dB
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 10 V
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 2 V
集电极基极击穿电压
在我
C
= 10 A
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 10 A
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
= 5毫安
跃迁频率
在V
CE
= 10 V,I
E
= 10 mA时, F = 500 MHz的
输出电容
在V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
噪声系数
在V
CE
= 6 V,I
C
= 2毫安, F = 500 MHz时, RG = 50
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 26/05/2007
MMBTSC3838
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
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日期: 26/05/2007