MMBTSC380
NPN硅外延平面晶体管
高频放大器的应用
对于FM IF ， OSC阶段， AM CONV 。 IF级
该晶体管被分成三个基团R ，
O，且Y ，根据其DC电流增益。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
发射极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
AMB
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
电流增益组
R
O
Y
符号
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
C
c,
r
bb’
G
pe
分钟。
40
70
120
-
-
-
-
100
1.4
10
27
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
29
马克斯。
80
140
240
0.1
0.1
0.4
1
400
3.2
50
33
单位
-
-
-
A
A
V
V
兆赫
pF
ps
dB
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
-I
E
P
合计
T
j
T
S
价值
35
30
4
50
50
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
O
C
C
O
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 35 V
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 4 V
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
基极发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
跃迁频率
在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
集电极输出电容
在V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
集电极基时间常数
在V
CE
= 10 V ， -I
E
= 1毫安， F = 30 MHz的
功率增益
在V
CC
= 6 V ， F = 10.7兆赫， -I
E
= 1毫安
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年6月5日
MMBTSC380
10
IC [马] ，集电极电流
I
B
=90 A
I
B
=80 A
h
FE
，直流电流增益
1000
V
CE
=12V
8
6
4
2
0
0
2
4
6
I
B
=70 A
I
B
=60 A
I
B
=50 A
I
B
=40 A
I
B
=30 A
I
B
=20 A
I
B
=10 A
100
8
10
10
0.1
1
10
100
I
C
[马] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.静态特性
V
BE （ SAT ）
, V
CE （ SAT ）
[ V]时，饱和电压
图2.直流电流增益
10
Ic=10I
B
IC [马] ，集电极电流
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
CE
=12V
1
V
BE （ SAT ）
0.1
V
CE （ SAT ）
0.01
0.1
1
10
IC [马] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极电压Satruation
图4.基射极电压上
f
T
[兆赫] ，电流增益带宽积
10
COB [ pF的] ，电容
1000
V
CE
=10V
f=1MHz
I
E
=0
1
100
0.1
1
10
100
V
CB
[V] ，集电极基极电压
10
1
10
I
C
[马] ，集电极电流
图5.集电极输出电容
图6.电流增益带宽积
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2006年6月5日
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