MMBTSB1690
PNP硅外延平面晶体管
低频放大器和驱动器应用
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CP
P
合计
T
J
T
s
价值
15
12
6
2
4
1)
单位
V
V
V
A
A
mW
O
200
150
-55到+150
C
C
O
单脉冲, PW = 1毫秒。
特点在T
AMB
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V , -I
C
= 200毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 10 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 10 A
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 1 , -I
B
= 50毫安
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 15 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 6 V
跃迁频率
在-V
CE
= 2 V,I
E
= 200 mA时, F = 100 MHz的
集电极输出电容
在-V
CB
= 10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
符号
h
FE
-V
( BR ) CBO
-V
( BR ) CEO
-V
( BR ) EBO
-V
CESAT
-I
CBO
-I
EBO
f
T
C
ob
分钟。
270
15
12
6
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
360
15
马克斯。
680
-
-
-
0.18
100
100
-
-
单位
-
V
V
V
V
nA
nA
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 13/01/2006
MMBTSB1690
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 13/01/2006