MMBTSA1235
PNP硅外延平面晶体管
对于低频放大应用
该晶体管被分成两个组E和F ,
根据它的直流电流增益。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 6 V , -I
C
= 1毫安
在-V
CE
= 6 V , -I
C
- 0.1毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 100 A
发射极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 60 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 6 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 100毫安, -I
B
= 10毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 100毫安, -I
B
= 10毫安
增益带宽积
在-V
CE
= 6 V , -I
C
= 10毫安
集电极输出电容
在-V
CB
= 6 V , F = 1兆赫
噪声系数
在-V
CE
= 6 V,I
E
= 0.3毫安, F = 100赫兹,R
G
= 10 K
电流增益组
E
F
符号
h
FE
h
FE
h
FE
-V
( BR ) CBO
-V
( BR ) CEO
-V
( BR ) EBO
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE ( SAT )
-V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
NF
分钟。
150
250
90
60
50
6
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
4
-
马克斯。
300
500
-
-
-
-
0.1
0.1
0.3
1
-
-
20
单位
-
-
-
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
pF
dB
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
60
50
6
200
200
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 2006年5月8日
MMBTSA1235
功耗与环境温度
300
功耗: P合计(MW )
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
O
125
150
环境温度: TA( C)
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 2006年5月8日