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ST 2SB772T
PNP硅外延功率晶体管
这些器件旨在用于音频应用
高频功率放大器和低速切换
应用
E
C
B
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流 - DC
集电极电流 - 脉冲
1)
基极电流 - DC
总功率耗散@ T
C
= 25
O
C
总功率耗散@ T
A
= 25
O
C
工作和存储结温范围
1)
TO- 126塑料包装
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
C
-I
B
P
D
P
D
T
J
, T
s
价值
40
30
5
3
7
0.6
10
1.0
- 65至+ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
O
C
PW = 10ms时，占空比
≤
50%
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 20毫安
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 1 A
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） EBO
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
C
O
f
T
分钟。
30
60
100
160
200
30
40
5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
80
马克斯。
-
120
200
320
400
-
-
-
1
1
0.5
2
-
-
单位
-
-
-
-
-
V
V
V
A
A
V
V
pF
兆赫
R
Q
P
E
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 1毫安
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 3 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
输出电容
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
电流增益带宽积
在-I
C
= 100毫安， -V
CE
= 5 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/05/2006
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