MMBTH34表面贴装NPN RF- IF放大器
1985年10月
MMBTH34表面贴装NPN RF- IF放大器
概述
此设备被设计为共发射极的低噪声
在100放大器和混频器应用
mA
到15毫安
范围为300兆赫和低频漂移共基极
VHF振荡器应用中具有高输出电平的驱动
FET混频器
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
器件总耗散T
A
e
25 C
减免上述25°C （注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
铅的温度，持续10秒
45V
4 0V
百毫安
350 C
2 8毫瓦
b
55 ℃
a
150 C
b
55 ℃
a
150 C
300 C
记号
MMBTH34-3K
请参考流程47图
TL摹8548 - 1
注1
装在99 5 ％氧化铝10 ×8× 0 6毫米封装
电气特性
T
A
e
25℃除非另有规定
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
h
FE
h
FE
V
CE （S ）
V
BE（上）
C
cb
h
fe
I
C
e
100
mA
I
C
e
1 0毫安
I
E
e
10
mA
V
CB
e
30V
V
CE
e
30V
V
CE
e
15V我
C
e
7 0毫安
V
CE
e
2 0V我
C
e
20毫安
I
C
e
20毫安我
B
e
2 0毫安
V
CE
e
15V我
C
e
7 0毫安
V
CB
e
10V F
e
1兆赫
V
CE
e
15V我
C
e
15毫安F
e
100兆赫
50
40
15
05
0 95
0 32
V
V
pF
条件
民
45
45
40
50
50
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
订单号MMBTH34或MMBTH34 -HIGH
见NS包装数M03
C
1995年全国半导体公司
TL摹8548
RRD - B30M115印制在U S A
MMBTH34表面贴装NPN RF- IF放大器
物理尺寸
英寸（毫米）
SOT- 23 3引脚模压双列直插式（M ）
订单号MMBTH34或MMBTH34 -HIGH
NS包装数M03
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
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