【MMBTH10NPN高频三极管该器件是专为VHF / UHF放大器的应用和高输出甚高频振荡器。3集热】,IC型号MMBTH10-T/R7,MMBTH10-T/R7 PDF资料,MMBTH10-T/R7经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MMBTH10

NPN高频三极管

该器件是专为VHF / UHF放大器的应用和高输出

甚高频振荡器。

3

集热器

1

BASE

规格特点

650 MHz的保证最小电流增益带宽积

集电极电流高达50mA

工业标准SOT- 23封装

1

2

2

辐射源

应用

低噪声VHF / UHF放大器和混频器

低频率漂移，高输出振荡器

SOT-23

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

T

J

= 25°C

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

D

TJ

T

英镑

价值

25

30

3.0

50

225

-55到150

-55到150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

连续集电极电流 - （注1）

功率耗散（注1 ）

工作温度范围

存储温度范围

热特性

特征

热阻 - 结到环境（注1 ）

符号

R

日JA

价值

556

单位

° C / W

注1 ：设备安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062与推荐的最小焊盘布局。

4/18/2006

页面

1

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MMBTH10

电气特性

（ TJ = 25 ℃，除非另有说明）

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

符号

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

I

EB0

条件

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 100微安，我

E

= 0

I

E

= 10微安，我

C

= 0

V

CB

= 25 V,

E

= 0

I

V

EB

= 2.0 V,

C

= 0

I

民

25

30

3.0

-

-

典型

-

-

-

-

-

最大

-

-

-

100

100

单位

V

V

V

nA

nA

基本特征

参数

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

符号

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE

条件

I

C

= 4.0毫安， V = 10 V

CE

I

C

= 4.0毫安，我

B

= 0.4毫安

I

C

= 4.0毫安， V = 10 V

CE

民

60

-

-

典型

180

-

-

最大

-

0.5

0.95

单位

-

V

V

小信号特性

参数

电流增益 - 带宽积

集电极 - 基极电容

共基极反馈电容

集电极 - 基极时间常数

符号

f

T

C

cb

C

rb

rb'C

c

条件

I

C

= 4.0毫安， V = 10 V

CE

F = 1.0 MHz的

V

CB

= 10 V,

E

= 0

I

F = 1.0 MHz的

V

CB

= 10 V,

E

= 0

I

F = 1.0 MHz的

I

C

= 4.0毫安， V = 10 V

CB

F = 31.8兆赫

民

650

-

-

-

典型

-

-

-

-

最大

-

0.7

0.65

9.0

单位

兆赫

pF

pF

ps

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第2页

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MMBTH10

封装布局，并建议焊盘尺寸

订购信息

MMBTH10 -T / R7 - 每卷7英寸的卷轴， 3K单位

MMBTH10 -T / R13 - 每卷13英寸的卷轴， 12K单位

版权所有强茂国际， 2005年公司

本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息

本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证

适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用

系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。

4/18/2006

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