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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2230页 > MMBTH10-4LT1
MMBTH10LT1,
MMBTH104LT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
器件标识： 3EM
器件标识：
特点
http://onsemi.com
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
1
BASE
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
VEBO
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
PD
225
1.8
R
θJA
PD
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
2
CASE 318
SOT23
类型6
订购信息
设备
MMBTH10LT1
MMBTH10LT1G
MMBTH104LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
MMBTH10LT1/D
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 25伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 2.0伏， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 4.0 MADC ， IB = 0.4 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
共基极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极基时间常数
（ IC = 4.0 MADC ， VCB = 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
fT
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
建行
CRB
rb'Cc
650
800
0.7
0.65
9.0
pF
pF
ps
兆赫
的hFE
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
VCE （ SAT ）
VBE
60
120
240
0.5
0.95
VDC
VDC
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
25
30
3.0
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
yib ，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b IB
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
50
60
20
30
40
1000兆赫
700
400
200
100
GIB
0
10
0
10
20
30
40
50
GIB （毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
图2.极地表
YFB ，正向转移导纳
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
40
10
30
20
GFB （毫姆欧）
0
10
20
30
20
JB FB （毫姆欧）
-g FB
BFB
50
100
40
30
1000兆赫
60
200
400
600
700
图3.矩形表
图4.极地表
http://onsemi.com
3
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
黄河流域，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-brb
2.0
1.0
MPS H10
-grb
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
5.0
2.0 1.8 1.2 0.8
-brb
0
100
MPS H11
JB RB （毫姆欧）
1.0
200
400
2.0
3.0
700
4.0
1000兆赫
0
0.4
0.4
GRB （毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
YOB ，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
凝块
700
1000
2.0
100
0
0
2.0
JB OB （毫姆欧）
6.0
BOB
6.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
400
200
4.0
6.0
采空区（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
http://onsemi.com
4
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236AB)
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图9. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
MMBTH10LT1,
MMBTH104LT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
器件标识： 3EM
器件标识：
特点
http://onsemi.com
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
1
BASE
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
VEBO
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
PD
225
1.8
R
θJA
PD
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
2
CASE 318
SOT23
类型6
订购信息
设备
MMBTH10LT1
MMBTH10LT1G
MMBTH104LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
MMBTH10LT1/D
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 25伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 2.0伏， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 4.0 MADC ， IB = 0.4 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
共基极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极基时间常数
（ IC = 4.0 MADC ， VCB = 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
fT
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
建行
CRB
rb'Cc
650
800
0.7
0.65
9.0
pF
pF
ps
兆赫
的hFE
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
VCE （ SAT ）
VBE
60
120
240
0.5
0.95
VDC
VDC
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
25
30
3.0
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
yib ，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b IB
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
50
60
20
30
40
1000兆赫
700
400
200
100
GIB
0
10
0
10
20
30
40
50
GIB （毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
图2.极地表
YFB ，正向转移导纳
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
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200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
40
10
30
20
GFB （毫姆欧）
0
10
20
30
20
JB FB （毫姆欧）
-g FB
BFB
50
100
40
30
1000兆赫
60
200
400
600
700
图3.矩形表
图4.极地表
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3
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
黄河流域，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-brb
2.0
1.0
MPS H10
-grb
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
5.0
2.0 1.8 1.2 0.8
-brb
0
100
MPS H11
JB RB （毫姆欧）
1.0
200
400
2.0
3.0
700
4.0
1000兆赫
0
0.4
0.4
GRB （毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
YOB ，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
凝块
700
1000
2.0
100
0
0
2.0
JB OB （毫姆欧）
6.0
BOB
6.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
400
200
4.0
6.0
采空区（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
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4
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236AB)
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图9. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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5
MMBTH10LT1,
MMBTH104LT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
器件标识： 3EM
器件标识：
特点
http://onsemi.com
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
1
BASE
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
VEBO
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
PD
225
1.8
R
θJA
PD
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
2
CASE 318
SOT23
类型6
订购信息
设备
MMBTH10LT1
MMBTH10LT1G
MMBTH104LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
MMBTH10LT1/D
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 25伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 2.0伏， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 4.0 MADC ， IB = 0.4 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
共基极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极基时间常数
（ IC = 4.0 MADC ， VCB = 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
fT
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
建行
CRB
rb'Cc
650
800
0.7
0.65
9.0
pF
pF
ps
兆赫
的hFE
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
VCE （ SAT ）
VBE
60
120
240
0.5
0.95
VDC
VDC
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
25
30
3.0
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
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2
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
yib ，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b IB
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
50
60
20
30
40
1000兆赫
700
400
200
100
GIB
0
10
0
10
20
30
40
50
GIB （毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
图2.极地表
YFB ，正向转移导纳
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
40
10
30
20
GFB （毫姆欧）
0
10
20
30
20
JB FB （毫姆欧）
-g FB
BFB
50
100
40
30
1000兆赫
60
200
400
600
700
图3.矩形表
图4.极地表
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3
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
黄河流域，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-brb
2.0
1.0
MPS H10
-grb
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
5.0
2.0 1.8 1.2 0.8
-brb
0
100
MPS H11
JB RB （毫姆欧）
1.0
200
400
2.0
3.0
700
4.0
1000兆赫
0
0.4
0.4
GRB （毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
YOB ，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
凝块
700
1000
2.0
100
0
0
2.0
JB OB （毫姆欧）
6.0
BOB
6.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
400
200
4.0
6.0
采空区（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
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4
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236AB)
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图9. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
MMBTH10LT1,
MMBTH104LT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
器件标识： 3EM
器件标识：
特点
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无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
1
BASE
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
VEBO
价值
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
PD
225
1.8
R
θJA
PD
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
1
2
CASE 318
SOT23
类型6
订购信息
设备
MMBTH10LT1
MMBTH10LT1G
MMBTH104LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
MMBTH10LT1/D
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 25伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 2.0伏， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 4.0 MADC ， IB = 0.4 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 4.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
共基极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极基时间常数
（ IC = 4.0 MADC ， VCB = 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
fT
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
建行
CRB
rb'Cc
650
800
0.7
0.65
9.0
pF
pF
ps
兆赫
的hFE
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
VCE （ SAT ）
VBE
60
120
240
0.5
0.95
VDC
VDC
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
25
30
3.0
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
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2
MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
yib ，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b IB
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
50
60
20
30
40
1000兆赫
700
400
200
100
GIB
0
10
0
10
20
30
40
50
GIB （毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
图2.极地表
YFB ，正向转移导纳
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
40
10
30
20
GFB （毫姆欧）
0
10
20
30
20
JB FB （毫姆欧）
-g FB
BFB
50
100
40
30
1000兆赫
60
200
400
600
700
图3.矩形表
图4.极地表
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MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
（ VCB = 10 VDC ， IC = 4.0 MADC ， TA = 25 ° C）
黄河流域，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-brb
2.0
1.0
MPS H10
-grb
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
5.0
2.0 1.8 1.2 0.8
-brb
0
100
MPS H11
JB RB （毫姆欧）
1.0
200
400
2.0
3.0
700
4.0
1000兆赫
0
0.4
0.4
GRB （毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
YOB ，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
凝块
700
1000
2.0
100
0
0
2.0
JB OB （毫姆欧）
6.0
BOB
6.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
400
200
4.0
6.0
采空区（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
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MMBTH10LT1 ， MMBTH10-4LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236AB)
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图9. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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MC6FD020-30P1
M5-320/104-10VI
MAX6318MHUK39CX-T
MI-P500-IYY
MAX6473TA23BD3
MI-P7LK-IYV
M38749MCT-XXXGP
MAX750A
MRSE-3-5UXRA
M27C4001-35XF6X
MI-QC6WP-MUY
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