UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBTA94
高压晶体管
特点
PNP硅晶体管
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
=-400V
*集电极耗散：P
C（最大值）
=350mW
*低集电极 - 发射极饱和电压
3
应用
*电话交换
*高压开关
1
2
SOT-23
*无铅电镀产品编号： MMBTA94L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MMBTA94-AE3-R
MMBTA94L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
填料
带盘
MMBTA94L-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
4D
铅电镀
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-008,B
MMBTA94
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散（ TA = 25 ° C）
集电极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
C
I
C
T
J
T
英镑
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（工作温度范围内适用，除非另有规定）
等级
-400
-400
-6
350
-300
+150
-40~+150
单位
V
V
V
mW
mA
°C
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
Ic=-100A,IE=0
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
Ic=-1mA,IB=0
集电极 - 发射极击穿电压
BV
CES
Ic=-100A,V
BE
=0
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
=-100A,Ic=0
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
=-300V,I
E
=0
集电极截止电流
I
CES
V
CB
=-400V,V
BE
=0
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA
直流电流增益（注）
h
FE
V
CE
=-10V,I
C
=-50mA
V
CE
=-10V,I
C
=-100mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
输出电容
COB
V
CB
=-20V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％
民
-400
-400
-400
-5
典型值
最大单位
V
V
V
V
-100 nA的
-1
A
100
nA
300
60
70
70
40
-0.20
-0.5
-0.75
7
V
V
pF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 3
QW-R206-008,B
MMBTA94
典型特征
直流电流增益
1000
V
CE
=-10V
-10
PNP硅晶体管
基射极饱和电压
h
FE
，直流电流增益
100
-1.0
Ic=10*I
B
V
BE （ SAT ）
(V)
-1
-10
-100
-1000
10
-0.1
1
-0.01
-1
-10
-100
-1000
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容（pF ）
-10
Ic=10*I
B
-1.0
1000
集电极输出电容
I
E
=0,f=1MHz
100
V
CE （ SAT ）
(V)
-0.1
10
-0.01
-1
-10
-100
1
-0.1
-1
-10
-100
IC ，集电极电流（毫安）
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R206-008,B
MMBTA94
高电压PNP晶体管
表面贴装
集热器
3
SOT-23
3
1
2
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
-400
-450
-6.0
-300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结贮藏，温度
符号
PD
RJ-A
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
350
2.8
357
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
MMB牛逼A94 = 4D
电气特性
开关特性
(T
A
= 25℃ unles s otherwis 说明）
符号
民
最大
单位
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= -1.0mAdc 。我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -100 uAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -10 uAdc ，我
C
=0)
收集截止电流（V
CB
= -400Vdc ，我
E
=0)
Emitte截止电流（V
EB
= -4V ， IC = 0）
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.Pulse测试：脉冲宽度300 μS ，占空比2.0 ％ 。
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
-400
-450
-6.0
-
-
-
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
-
-
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/4
23-Sep-05
MMBTA94
电气特性
（ TA = 25°C除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10VDC ）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10VDC ）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -10VDC ）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -10VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -1.0 MADC ， IB = -0.1 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
(3)
VCE （ SAT ）
(3)
-
HFE(1)
HFE(2)
HFE(3)
HFE(4)
40
50
45
20
-
2.00
-
.
-
0.40
0.50
0.75
VDC
VBE （ SAT ）
-
0.75
VDC
电流增益带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 10MHz时）
fT
20
-
兆赫
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
23-Sep-05
MMBTA94
SOT- 23封装外形尺寸
SOT-23
A
顶视图
B
C
D
E
G
H
K
J
L
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.35
1.19
2.10
0.85
0.46
1.70
2.70
0.01
0.89
0.30
0.076
最大
0.51
1.40
3.00
1.05
1.00
2.10
3.10
0.13
1.10
0.61
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
23-Sep-05
MMBTA94
MMBTA94
PNP
版本2011-09-01
1.1
表面贴装高压晶体管
Hochspannungs - Transistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
±0.1
PNP
200毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体[ MM]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBTA94
400 V
400 V
6V
200毫瓦
1
)
300毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
T
j
T
S
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 300 V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- V
BESAT
–
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
- I
EB0
–
- I
CB0
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
100 nA的
500毫伏
750毫伏
750毫伏
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2 ％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MMBTA94
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 1毫安
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 10毫安
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 30毫安
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 20 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
MMBTA92
C
CBO
R
THA
–
–
< 500 K / W
1
)
MMBTA44
MMBTA94 =
7 pF的
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
25
–
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
功耗与环境温度）
1
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。 ）
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
MMBTA94
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
PNP硅
-400V ， -0.1A ，为350mW
外延晶体管
特点
SOT-23
A
L
3
3
高压晶体管
记号
产品
MMBTA44
标识代码
4D
1
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
F
G
H
J
符号
集热器
REF 。
A
B
C
D
E
F
BASE
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.04
2.10
2.80
1.20
1.60
0.89
1.40
1.78
2.04
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.18
0.40
0.60
0.08
0.20
0.6 REF 。
0.85
1.15
辐射源
最大额定值
（在Ta = 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-400
-400
-5
-0.1
350
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
℃
电气特性
（在Ta = 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -400V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
V
CE
= -20V ，我
C
= -10mA
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
*
h
FE3
*
h
FE4
*
V
CE(sat)1
*
V
CE(sat)2
*
V
BE （ SAT ）
*
f
T
分钟。
-400
-400
-5
-
-
70
80
40
40
-
-
-
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-
300
-
-
-0.2
-0.3
-0.75
-
单位
V
V
V
A
A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
*脉冲测试
V
V
V
兆赫
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10月15日2010年修订版A
第1页2
MMBTA94
公司Bauelemente
PNP硅
-400V ， -0.1A ，为350mW
外延晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10月15日2010年修订版A
第2页2
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBTA94
特点
表面贴装SOT- 23封装
能功率耗散350mWatts的
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记： 4D
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= -1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -100μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -100μAdc ，我
C
=0)
集电极电流连续
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -400Vdc ，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -4Vdc ，我
C
=0)
民
-400
-400
-5
-100
-100
-100
最大
单位
VDC
VDC
VDC
F
E
C
B
PNP硅高
电压晶体管
SOT-23
A
D
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
CBO
I
EBO
C
B
E
MADC
NADC
NADC
G
H
TJ
TSTG
结温
储存温度
150
-55到+150
°C
°C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
基本特征
h
FE
直流电流增益*
(I
C
= -1.0mAdc ，V
CE
=-10Vdc)
(I
C
= -10mAdc ，V
CE
=-10Vdc)
(I
C
= -50mAdc ，V
CE
=-10Vdc)
(I
C
=-100mAdc,V
CE
=-10Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mAdc ，我
B
=-1.0mAdc)
(I
C
= -50mAdc ，我
B
=-5mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
=-50mAdc,I
B
=-1.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= -10mAdc ，V
CE
= -20Vdc ， ）
70
80
40
40
300
V
CE （ SAT ）
-0.2
-0.3
-0.75
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
小信号特性
f
T
50
兆赫
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修改：
A
3
of
3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
ST 2SB772T
PNP硅外延功率晶体管
这些器件旨在用于音频应用
高频功率放大器和低速切换
应用
E
C
B
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流 - DC
集电极电流 - 脉冲
1)
基极电流 - DC
总功率耗散@ T
C
= 25
O
C
总功率耗散@ T
A
= 25
O
C
工作和存储结温范围
1)
TO- 126塑料包装
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
C
-I
B
P
D
P
D
T
J
, T
s
价值
40
30
5
3
7
0.6
10
1.0
- 65至+ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
O
C
PW = 10ms时，占空比
≤
50%
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 20毫安
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 1 A
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） EBO
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
C
O
f
T
分钟。
30
60
100
160
200
30
40
5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
80
马克斯。
-
120
200
320
400
-
-
-
1
1
0.5
2
-
-
单位
-
-
-
-
-
V
V
V
A
A
V
V
pF
兆赫
R
Q
P
E
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 1毫安
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 3 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
输出电容
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
电流增益带宽积
在-I
C
= 100毫安， -V
CE
= 5 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/05/2006
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
QQ：2881677436 复制
