MMBTA92LT1G,
MMBTA93LT1G
高电压晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
1
2
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
92
300
300
5.0
500
93
200
200
5.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
器件标识
MMBTA92LT1 = 2D ; MMBTA93LT1 = 2E
记号
图
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗(注2 )
氧化铝基板,
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 ( TO- 236AF )
CASE 318
类型6
2x
M
G
MG 2倍
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBTA92LT1G
MMBTA92LT3G
MMBTA93LT1G
包
SOT23
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
SOT- 23 10000 /磁带&卷轴
(无铅)
SOT23
(无铅)
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
, 2010年7月
启8
1
出版订单号:
MMBTA92LT1/D
MMBTA92LT1G , MMBTA93LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注3 )
(I
C
=
1.0
MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
=
100
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
=
100
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
200
VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
=
160
VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
3.0
VDC ,我
C
= 0)
MMBTA92
MMBTA93
MMBTA92
MMBTA93
MMBTA92
MMBTA93
V
( BR ) CEO
VDC
300
200
300
200
5.0
VDC
VDC
MADC
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
0.25
0.25
0.1
I
EBO
MADC
基本特征
(注3)
直流电流增益
(I
C
=
1.0
MADC ,V
CE
=
10
VDC )
(I
C
=
10
MADC ,V
CE
=
10
VDC )
(I
C
=
30
MADC ,V
CE
=
10
VDC )
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
=
20
MADC ,我
B
=
2.0
MADC )
基射极饱和电压
(I
C
=
20
MADC ,我
B
=
2.0
MADC )
这两种类型
这两种类型
MMBTA92
MMBTA93
MMBTA92
MMBTA93
V
CE ( SAT )
h
FE
25
40
25
25
VDC
0.5
0.5
0.9
VDC
V
BE ( SAT )
小信号特性
当前
ΔGAIN
- 带宽积
(I
C
=
10
MADC ,V
CE
=
20
VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
=
20
VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
MMBTA92
MMBTA93
f
T
C
cb
50
兆赫
pF
6.0
8.0
300
250
^ h FE , DC电流增益
200
25°C
150
-55°C
100
50
0
0.1
1.0
I
C
,集电极电流(毫安)
10
100
T
J
= +125°C
V
CE
= 10 VDC
图1.直流电流增益
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2
MMBTA92LT1G , MMBTA93LT1G
100
C
ib
@ 1MHz的
F T ,电流增益 - 带宽(MHz )
150
130
110
90
70
50
30
10
1
3
5
11
13
15
7
9
I
C
,集电极电流(毫安)
T
J
= 25°C
V
CE
= 20伏直流
F = 20MHz的
17
19
21
C,电容(pF )
10
C
cb
@ 1MHz的
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(伏)
1000
图2.电容
图3.电流增益
带宽
1.4
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
V
CE ( SAT )
@ 25 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
CE ( SAT )
@ 125 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
CE ( SAT )
@ -55 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ 25 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ 125 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ -55 ° C,I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ 25 ° C,V
CE
= 10 V
V
BE(上)
@ 125°C ,V
CE
= 10 V
V
BE(上)
@ -55°C ,V
CE
= 10 V
图4. “开”电压
1
I
C
,集电极电流( A)
0.1
1.0 s
0.01
10毫秒
0.001
1
10
100
1000
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5.安全工作区
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3
MMBTA92LT1G , MMBTA93LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
ISSUE AP
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ,
突起,或毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
q
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0
°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
10
°
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0
°
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10
°
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
安森美半导体
和
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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4
MMBTA92LT1/D