MMBTA63LT1,
MMBTA64LT1
MMBTA64LT1是首选设备
达林顿晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器3
BASE
1
发射器2
3
1
2
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=器件代码
X = U为MMBTA63LT1
X = V的MMBTA64LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
2x
1
2X M
G
G
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
30
10
500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA63LT1
MMBTA63LT1G
MMBTA64LT1
MMBTA64LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT23
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第2版
出版订单号：
MMBTA63LT1/D
MMBTA63LT1 ， MMBTA64LT1
200
的hFE ， DC电流增益（ X1.0 K）
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
25°C
V
CE
= 2.0 V
5.0 V
T
A
= 125°C
10 V
55°C
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏特
2.0
T
A
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
0.8
0.4
0
0.3 0.5
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
I
C
/I
B
= 100
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
= -10毫安-50毫安-100毫安-175毫安
T
A
= 25°C
= 300毫安
1.0
2 3 5 10 20 30 50
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200 300
0.6
0.10.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200500 1K2K 5K10K
I
B
，基极电流（毫安）
图3. “开”电压
图2.集电极饱和区
| H FE |高频电流增益
10
4.0
3.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
1.0 2.0
5.0
10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
1K
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
A
= 25°C
图4.高频电流增益
http://onsemi.com
3
MMBTA63LT1 ， MMBTA64LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MMBTA63LT1/D
MMBTA63LT1G,
MMBTA64LT1G
达林顿晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器3
BASE
1
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
30
10
500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
3
发射器2
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
R
qJA
P
D
2X M
G
G
1
=器件代码
X = U为MMBTA63LT1
X = V的MMBTA64LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
2x
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA63LT1G
MMBTA64LT1G
包
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号：
MMBTA63LT1/D
MMBTA63LT1G ， MMBTA64LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
100
MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
VDC ）
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
10
VDC ）
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
100
MADC ，我
B
=
0.1
MADC ）
BASE
发射器上的电压
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
5.0
VDC ， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
f
T
125
兆赫
MMBTA63
MMBTA64
MMBTA63
MMBTA64
h
FE
5,000
10,000
10,000
20,000
1.5
2.0
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
30
100
100
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
MMBTA63LT1G ， MMBTA64LT1G
200
的hFE ， DC电流增益（ X1.0 K）
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.3
-10 V
25°C
V
CE
= -2.0 V
-5.0 V
T
A
= 125°C
-55°C
-0.5
-0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0
-7.0
-10
-20
-30
-50
-70
-100
-200
-300
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
-2.0
T
A
= 25°C
-1.6
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-2.0
T
A
= 25°C
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.1-0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10 -20 -50 -100-200-500 -1K-2K -5K-10K
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
= -10毫安-50毫安-100毫安-175毫安
-300毫安
-1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= -5.0 V
-0.8
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
I
C
/I
B
= 100
-0.4
0
-0.3 -0.5
-1.0
-2 -3 -5
-10 -20 -30 -50
I
C
，集电极电流（毫安）
-100 -200 -300
图3. “开”电压
图2.集电极饱和区
10
| H FE |高频电流增益
V
CE
= -5.0 V
F = 100 MHz的
T
A
= 25°C
1
I
C
，集电极电流（ A）
1毫秒
10毫秒
4.0
3.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
100毫秒
1s
0.01
单脉冲试验
@ T
A
= 25°C
0.001
0.01
热限制
0.1
-1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500
-1K
I
C
，集电极电流（毫安）
0.1
1.0
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
100
图4.高频电流增益
图5.安全工作区
http://onsemi.com
3
MMBTA63LT1G ， MMBTA64LT1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
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orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
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4
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