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SPICE模型: MMBTA63 MMBTA64
Pb
LEAD -FREE
MMBTA63 / MMBTA64
PNP表面贴装达林顿晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补NPN类型
( MMBTA13 / MMBTA14 )
非常适用于低功率放大和开关
高电流增益
无铅/ RoHS兼容的版本(注3 )
B
顶视图
SOT-23
A
C
B
E
D
G
H
K
J
D
L
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。终端连接:见图
MMBTA63标记(见第3页) : K2E , K3E
MMBTA64标记(见第3页) : K3E
订购&日期代码信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
E
C
尺寸:mm
B
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-30
-30
-10
-500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
MMBTA63
MMBTA64
MMBTA63
MMBTA64
-30
5,000
10,000
10,000
20,000
最大
-100
-100
单位
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100mA V
BE
= 0V
V
CB
= -30V ,我
E
= 0
V
EB
= -10V ,我
C
= 0
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ,我
B
= -100mA
I
C
= -100mA ,V
CE
= -5.0V
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
-1.5
-2.0
V
V
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
注意事项:
f
T
125
兆赫
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
DS30055启示录7 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA63 / MMBTA64
Diodes公司
400
Note1
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
P
D
,功耗(毫瓦)
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
1
I
C
= 1000
I
B
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 ,集电极发射极饱和电压
与集电极电流
10,000,000
V
CE
= 5V
T
A
= 150°C
1,000,000
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
V
CE
= 5V
T
A
= -50°C
h
FE
,直流电流增益
100,000
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
10,000
1,000
100
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,直流电流增益VS
集电极电流
0.3
0.2
0.1
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,基极发射极电压
与集电极电流
1000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
V
CE
= 5V
100
10
1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,增益带宽积主场迎战
集电极电流
100
DS30055启示录7 - 2
2 3
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MMBTA63 / MMBTA64
订购信息
设备
MMBTA63-7-F
MMBTA64-7-F
注意事项:
4
(注4 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXE
KXE =产品型号标识代码,例如: K2E = MMBTA63
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
三月
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
2006
T
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险,并会
同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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