MMBTA56WT1G
驱动晶体管
PNP硅
特点
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值：人体模型 - 4千伏
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集热器
3
机器型号 - 400 V
这些设备是Pb--免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
1
BASE
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
-
-80
-
-80
-
-4.0
-
-500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
-
集电极 - 基极电压
-
发射极 - 基极电压
-
连续集电极电流 -
-
2
辐射源
3
2
热特性
特征
器件总功耗FR-局
-5
T
A
= 25C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
- 55 + 150
-
单位
mW
° C / W
C
SC- 70 （ SOT- 323 ）
-
-
CASE 419
方式3
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
FM M
G
G
1
FM
M
G
=器件代码
=日期代码*
=有铅
- 免费套餐
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBTA56WT1G
包
SC-
-70
（有铅
- 免费）
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月 - 第2版
1
出版订单号：
MMBTA56WT1/D
MMBTA56WT1G
F T ， CURRENT--增益 - 带宽积（兆赫
200
V
CE
= - 2.0 V
T
J
= 25C
C，电容（pF ）
100
70
50
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25C
30
20
- 2.0 - 3.0
10
7.0
C
敖包
- 5.0 - 7.0 - 10
- 20
- 30
- 50 - 70 - 100
- 200
5.0
- 0.1 - 0.2
- 0.5 - 1.0
- 2.0
- 5.0
- 10
- 20
- 50 - 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流 -
- 获得 - 带宽积
图3.电容
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
t
s
I C ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
- 1.0 k
- 700
- 500
- 300
T
C
= 25C
T
A
= 25C
1.0 s
- 200
- 100
- 70
- 50
- 30
- 20
- 10
- 1.0
100
ms
1.0毫秒
t
f
V
CC
= - 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25C
电流限制
热限制
第二击穿极限
t
d
@ V
BE （OFF）的
= - 0.5 V
- 20 - 30
- 50 - 70 - 100
t
r
- 200 - 300
- 500
10
- 5.0 - 7.0 - 10
- 2.0 - 3.0
- 5.0 - 7.0 - 10
- 20 - 30
- 50 - 70 - 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
CE
， COLLECTOR--发射极电压（伏）
图4.开关时间
图5.主动 -
-region安全工作区
400
T
J
= 125C
^ h FE ， DC电流增益
200
V
CE
= - 1.0 V
V，电压（V ）
- 1.0
- 0.8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
T
J
= 25C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
25C
- 55C
V
BE（上）
@ V
CE
= - 1.0 V
100
80
60
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
- 5.0 - 10
- 20
- 50
- 100 - 200
- 500
0
- 0.5
- 1.0 - 2.0
- 5.0
- 10
- 20
- 50
- 100 - 200
- 500
40
- 0.5 - 1.0 - 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.直流电流增益
图7. “开”电压
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3
MMBTA56WT1G
VCE ， COLLECTOR--发射极电压（伏）
T
J
= 25C
- 0.8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
I
C
=
- 10毫安
I
C
=
- 50毫安
I
C
=
- 100毫安
I
C
=
- 250毫安
I
C
=
- 500毫安
R
θ
VB ，温度系数（毫伏/
C)
- 1.0
- 0.8
- 1.2
- 1.6
- 2.0
- 2.4
- 2.8
- 0.5 - 1.0 - 2.0
R
， VB
对于V
BE
0
- 0.05 - 0.1 - 0.2
- 0.5
- 1.0
- 2.0
- 5.0
- 10
- 20
- 50
- 5.0
- 10
- 20
- 50
- 100 - 200
- 500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图8.集电极饱和区
图9.基线
发射极温度
系数
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4
MMBTA56WT1G
包装尺寸
SC-
-70 （ SOT-
-323)
CASE 419--04
ISSUE
D
e1
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
0.20
2.00
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.70 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.38
0.56
2.10
2.40
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
0.008
0.079
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.015
0.083
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
0.022
0.095
H
E
1
2
E
b
e
A
0.05 (0.002)
A1
A2
L
c
方式3 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们有铅的更多信息
- 免费策略和焊接
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，
或有意其他应用程序来支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，
附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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-2175或800-
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-3860免费电话美国/加拿大
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免费-9855收费
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5
MMBTA56WT1/D
MMBTA56WT1
包装尺寸
SC- 70 （ SOT- 323 ）
CASE 419-04
ISSUE M
D
e1
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.7 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.425 REF
2.10
2.40
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.017 REF
0.083
H
E
1
2
E
b
e
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
2.00
0.079
0.095
A
0.05 (0.002)
A2
L
c
方式3 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
A1
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
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