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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第114页 > MMBTA56LT3G
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
http://onsemi.com
4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
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2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
http://onsemi.com
4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
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集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
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半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
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2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
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3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
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4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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5
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MI-P6YJ-MXY
M27C256B-25N1X
M295V040B-45P3R
M38039MC-XXXSP
MTN6123-AG
MI-MC2O-MS
M5LV-128/160-6AI
M38279E1MXXXHP
MI-P2YN-IXA
MSM82C37B-5GS
MC1DU016NACB-0QC00
M2404RDS6TG/S
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