MMBTA55 / MMBTA56
PNP小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
可提供互补NPN类型（ MMBTA05 /
MMBTA06)
非常适用于低功率放大和开关
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注3和4）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
A
C
B
B
E
顶视图
SOT-23
暗淡
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
G
H
J
K
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
MMBTA55标记（见第3页） ： K2H ， K2G
MMBTA56标记（见第3页） ： K2G
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
M
C
L
M
α
尺寸：mm
B
E
最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
MMBTA55
-60
-60
-4.0
-500
300
417
MMBTA56
-80
-80
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
-55到+150
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
民
-60
-80
-60
-80
-4.0
最大
-100
-100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -100μA ，我
C
= 0
V
CB
= -60V ，我
E
= 0
V
CB
= -80V ，我
E
= 0
V
CE
= -60V ，我
BO
= 0V
V
CE
= -80V ，我
BO
= 0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
V
CE
= -1.0V ，我
C
= -100mA ，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
100
50
-0.25
-1.2
V
V
兆赫
注：1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DS30054牧师11 - 2
1第3
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MMBTA55 / MMBTA56
Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA55-7-F
MMBTA56-7-F
注意事项：
5.
（注5 ）
包装
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2x
K2x =产品型号标识代码，例如： K2H = MMBTA55
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
YM
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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3 3
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Diodes公司
SPICE模型： MMBTA55 MMBTA56
LEAD -FREE
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PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补NPN类型（ MMBTA05 /
MMBTA06)
非常适用于中等功率放大和开关
无铅/符合RoHS （注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
B
E
顶视图
SOT-23
A
C
B
E
C
暗淡
A
B
C
D
E
K
J
L
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
MMBTA55标记（见第2页） ： K2H
MMBTA56标记（见第2页） ： K2G
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
D
G
H
G
M
H
J
K
L
M
a
C
B
E
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBTA55
-60
-60
-4.0
-500
300
417
-55到+150
MMBTA56
-80
-80
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
民
-60
-80
-60
-80
-4.0
最大
单位
测试条件
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
-100
-100
V
V
V
nA
nA
I
C
= -100mA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -100mA ，我
C
= 0
V
CB
= -60V ，我
E
= 0
V
CB
= -80V ，我
E
= 0
V
CE
= -60V ，我
BO
= 0V
V
CE
= -80V ，我
BO
= 0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
V
CE
= -1.0V ，我
C
= -100mA ，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
100
-0.25
-1.2
V
V
f
T
50
兆赫
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
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Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA55-7-F
MMBTA56-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2x
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
K2x =产品型号标识代码，例如： K2H = MMBTA55
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
0.25
350
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
0.20
T
A
= 25°C
0.15
0.10
T
A
= 150°C
0.05
T
A
= -50°C
0
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 ，集电极发射极饱和电压
与集电极电流
DS30054牧师9 - 2
2 3
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MMBTA55 / MMBTA56
V
CE
= 5V
T
A
= 150°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
1000
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益VS
集电极电流
V
CE
= 5V
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
h
FE
，直流电流
增益（归）
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
T
A
= 150°C
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4基极发射极电压与集电极电流
100
f
T
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5增益带宽积与集电极电流
1
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
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使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
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不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
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3 3
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