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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第194页 > MMBTA55LT1
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
http://onsemi.com
4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
乐山无线电公司， LTD 。
驱动晶体管
PNP硅
3
集热器
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
3
1
BASE
2
辐射源
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
2
价值
MMBTA55 MMBTA56
–60
–60
–4.0
–500
–80
–80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
器件标识
MMBTA55LT1 = 2H ; MMBTA56LT1 = 2GM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= –100
μAdc ，
I
C
= 0 )
收藏家Cuto FF电流
( V
CE
= -60Vdc ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -60Vdc ，我
E
= 0)
( V
CB
= -80Vdc ，我
E
= 0)
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–60
–80
–4.0
—
—
—
—
–0.1
VDC
μAdc
μAdc
—
—
–0.1
–0.1
I
首席执行官
I
CBO
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度<300
s,
占空比<2.0 ％ 。
M29–1/2
乐山无线电公司， LTD 。
MMBTA55LT1 MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
100
100
—
—
—
–0.25
民
最大
单位
—
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100mAdc ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -100mAdc ，我
B
= -10mAdc ）
基射极电压ON
(I
C
= -100mAdc ，V
CE
= -1.0Vdc ）
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE（上）
—
–1.2
VDC
小信号特性
电流 - 获得带宽积（ 4 ）
(V
CE
= -1.0伏，我
C
= -100mAdc ， F = 100兆赫）
f
T
50
—
兆赫
4. f
T
被定义为频率在哪些| H F
e
|推断团结。
M29–2/2
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
http://onsemi.com
4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBTA55LT1 / D
驱动晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
MMBTA55
–60
–60
–4.0
–500
MMBTA56
–80
–80
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBTA55LT1 = 2H ; MMBTA56LT1 = 2GM
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
特征
符号
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = -60伏直流， IB = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = -60伏直流， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -80伏直流， IE = 0 ）
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
–60
–80
–4.0
—
—
—
—
—
—
–0.1
–0.1
–0.1
VDC
VDC
μAdc
μAdc
基本特征
直流电流增益（ IC = -10 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = -100 MADC ， IB = -10 MADC ）
基射极电压上（IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
的hFE
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
fT
100
100
—
—
—
—
–0.25
–1.2
—
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 4 ）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0伏， F = 100兆赫）
1.
2.
3.
4.
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
50
—
兆赫
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBTA55LT1 MMBTA56LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBTA55LT1 MMBTA56LT1
包装尺寸
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
B·S
1
2
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
CASE 318-08
ISSUE AE
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBTA55LT1 MMBTA56LT1
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MMBTA55LT1/D*
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1,
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1是首选设备
驱动晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
MMBTA55
MMBTA56
集电极基极电压
MMBTA55
MMBTA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
V
CBO
60
80
4.0
500
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
SOT23
CASE 318
类型6
60
80
VDC
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
标记DIAGRAMS
2H X
2GM X
2H ， 2GM =具体设备守则
X
=日期代码
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA55LT1
MMBTA55LT3
MMBTA56LT1
MMBTA56LT1G
MMBTA56LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA55LT1/D
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -10 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
V
CC
1.0 V
+40 V
R
L
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
V
CC
+V
BB
+40 V
100
R
B
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
* C
S
t
6.0 pF的
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
2.0 3.0
10
7.0
C
敖包
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
V
CE
= 1.0 V
t
f
100
80
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
0.8
1.2
0.6
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100 200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
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4
MMBTA55LT1 ， MMBTA56LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
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MD1214
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M29W800DB90ZE6T
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型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
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