MMBTA55 / MMBTA56
PNP小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
可提供互补NPN类型（ MMBTA05 /
MMBTA06)
非常适用于低功率放大和开关
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注3和4）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
A
C
B
B
E
顶视图
SOT-23
暗淡
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
G
H
J
K
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
MMBTA55标记（见第3页） ： K2H ， K2G
MMBTA56标记（见第3页） ： K2G
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
M
C
L
M
α
尺寸：mm
B
E
最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
MMBTA55
-60
-60
-4.0
-500
300
417
MMBTA56
-80
-80
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
-55到+150
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
民
-60
-80
-60
-80
-4.0
最大
-100
-100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -100μA ，我
C
= 0
V
CB
= -60V ，我
E
= 0
V
CB
= -80V ，我
E
= 0
V
CE
= -60V ，我
BO
= 0V
V
CE
= -80V ，我
BO
= 0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
V
CE
= -1.0V ，我
C
= -100mA ，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
100
50
-0.25
-1.2
V
V
兆赫
注：1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DS30054牧师11 - 2
1第3
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MMBTA55 / MMBTA56
Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA55-7-F
MMBTA56-7-F
注意事项：
5.
（注5 ）
包装
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2x
K2x =产品型号标识代码，例如： K2H = MMBTA55
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
YM
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30054牧师11 - 2
3 3
www.diodes.com
MMBTA55 / MMBTA56
Diodes公司
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
NPN和PNP高压晶体管
电压
60-80伏
特点
NPN和PNP硅平面设计
集电极电流I
C
= 100毫安
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
动力
225毫瓦
机械数据
案例： SOT -23 ，塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
约。重量： 0.008克
标记：
M M B TA 0 5 = B 0 5
M M B TA 0 6 = B 0 6
M M B TA 5 = B 5 5
M M B TA 5 6 = B 5 6
最大额定值
PA RA M E TE
C 0 LLE 至R -E MI TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到R-B A S é武LTA克é
MI TTE R-B A S é武LTA克é
C 0 L L权证吨 R C乌尔鄂西北 - C NT I傩我们
C I R C UI五六I G乌尔ê
S YM B○升
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
NP
P NP
MMB TA 0 5 MMB TA 5 MMB TA 0 6 MMB TA 5 6台
60
60
4 .0
500
NP
P NP
80
80
V
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）T
A
=25
O
C
减免上述25
O
C
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝基板（注2 ）T
A
=25
O
C
减免上述25
O
C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
Rθ
JA
P
D
Rθ
JA
T
J
,T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到150
PNP
单位
mW
毫瓦/
O
C
O
C / W
mW
毫瓦/
O
C
O
C
C
NPN
O
1.FR - 4 = 70×
60
x
1mm.
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5氧化铝
STAD-NOV.30.2005
PAGE 。 1
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
电气特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
特征
关CHATACTERISTICS
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0毫安，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=100
A，I
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60V ，我
B
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60V ，我
E
=0)
(V
CB
= 80V ，我
E
=0)
ON CHATACTERISTICS
直流电流增益
(I
C
= 10毫安，V
CE
=1.0V)
(I
C
= 100mA时V
CE
=1.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mA时我
B
=10mA)
基射极电压上
(I
C
= 100mA时V
CE
=1.0V)
小信号特性
电流增益带宽积（注4 ）
(I
C
= 10毫安，V
CE
= 2.0V ， F = 100MHz时）
f
T
100
-
兆赫
h
FE
100
100
V
CE（
SAT
)
V
BE
（上）
-
-
-
-
0.25
1.2
V
V
-
MMBTA05,MMBTA55
MMBTA06,MMBTA56
符号
民
最大
单位
MMBTA05,MMBTA55
MMBTA06,MMBTA56
V(
BR
)
首席执行官
60
80
4.0
-
-
-
-
0.1
V
V(
BR
)
EBO
I
CES
V
A
A
I
CBO
-
-
0.1
0.1
STAD-NOV.30.2005
PAGE 。 2
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
80
60
40
C
IBO
20
T
J
= 25°C
100
70
50
30
2.0
10
8.0
6.0
C
敖包
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
4.0
0.1
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
-55°C
100
80
60
40
0.5
V
CE
= 1.0 V
t
f
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
5.0 7.0 10
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20
30
50
70 100
200 300
500
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200 300 500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
0.5
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
STAD-NOV.30.2005
PAGE 。 3
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
=
10毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
250毫安
I
C
=
500毫安
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
0.5
R
QVB
对于V
BE
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
STAD-NOV.30.2005
PAGE 。
4
MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-OCT.14.2005
PAGE 。五
MMBTA55
/
MMBTA56
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
PNP硅
驱动晶体管
SOT-23
3
SOT-23
暗淡
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
A
1
2
L
3
A
B
C
2
OLLE TOR
3
顶视图
1
B·S
D
G
H
J
V
1
B为E
2
MIT T E
D
G
C
H
K
J
K
L
S
V
单位：mm外形尺寸
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
-60
-80
-60
-80
-4.0
-500
单位
V
V
V
mA
标识代码： MMBTA55 ： 2H ， MMBTA56 ： 2GM
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25
减免上述25
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝基板
(2)
, T
A
= 25
减免上述25
热阻，结到环境
工作和存储结温范围
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
符号
P
D
R
JA
P
D
R
JA
T
J
, T
英镑
马克斯。
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 ~ +150
单位
mW
毫瓦/
/W
mW
毫瓦/
/W
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第1页
4
MMBTA55
/
MMBTA56
公司Bauelemente
PNP硅
驱动晶体管
电气特性
(T
A
= 25
特征
除非另有说明）
符号
分钟。
-60
-80
-4.0
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= -1.0毫安，我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -100 IA ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -60 V，I
B
= 0 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -60 V，I
E
= 0)
(V
CB
= -80 V，I
E
= 0)
MMBTA55
MMBTA56
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
MMBTA55
MMBTA56
I
CBO
V
V
nA
A
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -1.0 V)
(I
C
= -100毫安，V
CE
= -1.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -100毫安，我
B
= -10毫安）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -100毫安，V
ce
= -1.0 V)
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
100
100
-
-
-
-
-0.25
-1.2
-
V
V
小 - 信号特征
电流 - 增益 - 带宽积
(4)
(I
C
= -100毫安，V
CE
= -1.0 V，F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比2.0 ％ 。
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
50
-
兆赫
开启时间
-1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
打开-O FF时间
+V
BB
V
CC
+40 V
R
L
5.0
ms
+10 V
0
V
in
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
R
B
100
产量
V
in
* C
S
t
6.0 pF的
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
R
B
产量
* C
S
t
6.0 pF的
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
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01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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2
of
4
MMBTA55
/
MMBTA56
公司Bauelemente
PNP硅
驱动晶体管
切换时间等效测试电路
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= -2.0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
-2.0 -3.0
10
7.0
C
敖包
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
-200
5.0
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0
-2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
-55°C
V
CE
= -1.0 V
t
f
V
CC
= -40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
100
80
60
10
-5.0 -7.0 -10
t
d
@ V
BE （OFF）的
= -0.5 V
-20 -30
-50 -70 -100
t
r
-200 -300
-500
40
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10
-20
-50
-100 -200
-500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开关时间
图5.直流电流增益
-1.0
-0.8
V，电压（V ）
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.5
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= -1.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. “开”电压
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
页面
3
of
4
MMBTA55
/
MMBTA56
公司Bauelemente
PNP硅
驱动晶体管
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
I
C
=
-10毫安
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
-250毫安
I
C
=
-500毫安
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-1.0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-0.5 -1.0 -2.0
R
QVB
对于V
BE
0
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和区
图8.基射极温度
系数
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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of
4
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBTA55
THRU
MMBTA56
PNP一般
用途放大器
SOT-23
A
D
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
这个装置是专为通用放大器应用在
300mA的集电极电流
马尔： MMBTA55 = 2H / B55 ， MMBTA56 = 2GM / B56
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
最大额定值
符号
V
首席执行官
等级
集电极 - 发射极电压
MMBTA55
MMBTA56
V
CBO
集电极 - 基极电压
MMBTA55
MMBTA56
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
符号
P
D
R
JA
符号
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
工作结温
储存温度
等级
器件总功耗*
减免上述25
O
C
热阻，结到环境
O
等级
60
80
60
80
4.0
500
-55到+150
-55到+150
最大
225
1.8
556
民
最大
单位
V
C
C
B
V
B
E
V
mA
O
C
O
C
G
F
E
热特性
单位
mW
毫瓦/
O
C
O
C / W
单位
H
J
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
除非另有说明电气特性@ 25℃
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
MMBTA55
MMBTA56
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100I ADC ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60Vdc的，我
E
=0)
MMBTA55
(V
CB
= 80VDC ，我
E
=0)
MMBTA56
发射Cuto FF电流
(V
CE
= 60Vdc的，我
B
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 1.0VDC ，我
C
=10mAdc)
(V
CE
= 1.0VDC ，我
C
=100mA)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，我
B
=10mAdc)
基射极电压上
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
电流增益带宽积
(2)
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 1.0VDC ， F = 100MHz时）
开关特性
V
（ BR ） CEO
60
80
4.0
---
---
---
---
---
---
0.1
0.1
0.1
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
.035
.900
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
I
CES
基本特征
h
FE
100
100
---
---
50
---
---
0.25
1.2
---
---
.079
2.000
英寸
mm
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
VDC
VDC
兆赫
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修订版：A
1 4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
SMD型
驱动晶体管
MMBTA55,MMBTA56
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
SOT- 23封装
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗FR - 5委员会（ * 1 ）
减免上述25
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝基板， （ * 2 ）
减免上述25
热阻，结到环境
结温
储存温度
* 1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
* 2。氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
j
T
英镑
MMBTA55
-60
-60
-4.0
-500
225
1.8
556
300
2.4
417
150
-55到+150
MMBTA56
-80
-80
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
/W
mW
毫瓦/
/W
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD通用
晶体管（ PNP ）
MMBTA55/MMBTA56
SMD通用晶体管（ PNP ）
特点
PNP硅外延平面晶体管
开关和放大器应用
符合RoHS标准
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
MMBTA55
2H
60
60
4.0
500
250
560
150
-55到+150
MMBTA56
2G
80
80
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
°C
单位
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
P
合计
R
θJA
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗在25℃以上
从结点到环境的热阻
结温
存储温度范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-04-12
第1页3
SMD通用晶体管（ PNP ）
MMBTA55/MMBTA56
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
MMBTA55
符号
描述
分钟。
100
马克斯。
-
-
-
-
0.25
1.2
0.1
0.1
分钟。
100
100
80
4.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
0.25
1.2
0.1
0.1
V
V
V
V
μA
μA
MMBTA56
单位
条件
-V
CE
=1V,
-I
C
=10mA
-V
CE
=1V, -
I
C
=100mA
-I
C
=1mA,
I
B
=0
I
E
=100A, -
I
C
=0
-I
C
=100mA,
-I
B
=10mA
-I
C
= 100mA时 -
V
CE
=1.0V
-V
CE
=60V,
I
B
=0
h
FE
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE（上）
-I
首席执行官
-I
CBO
f
T
直流电流增益
100
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
60
4.0
-
-
-
-
-V
CB
=60V,
I
E
=0
电流增益带宽积
50
-
-V
CB
=80V,
I
E
=0
50
-
兆赫
-V
CE
=1V,
-I
C
=100mA,
f
=100MHz
版本A / AH 2008-04-12
www.taitroncomponents.com
分页： 1 2 3
SMD通用晶体管（ PNP ）
MMBTA55/MMBTA56
尺寸（mm）
SOT-23
如何联系我们：
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28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
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电子邮件：
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TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
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