UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
MMBTA44/45
高压
晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
= 400V （ UTC
MMBTA44)
V
首席执行官
= 350V （ UTC
MMBTA45)
*集电极电流高达300mA
*补为UTC
MMBTA94/93
*功耗：P
D
(max)=350mW
3
NPN外延硅晶体管
1
2
记号
(MMBTA44)
SOT-23
3D
*无铅电镀产品编号：
MMBTA44L/MMBTA45L
引脚配置
PIN号
引脚名称
1
辐射源
2
BASE
3
集热器
订购信息
订单号
正常
无铅
MMBTA44 - AE3 -R MMBTA44L - AE3 -R
MMBTA45 - AE3 -R MMBTA45L - AE3 -R
包
SOT-23
SOT-23
填料
带盘
带盘
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2005 Unisonic技术有限公司。
1
QW-R206-007.B
MMBTA44/45
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
Ta=25°C
Tc=25°C
MMBTA44
MMBTA45
MMBTA44
MMBTA45
NPN外延硅晶体管
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
D
T
J
T
英镑
评级
500
400
400
350
6
300
350
1.5
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
°C
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿
MMBTA44
电压
MMBTA45
集电极 - 发射极击穿MMBTA44
电压
MMBTA45
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
MMBTA44
集电极截止电流
MMBTA45
MMBTA44
集电极截止电流
MMBTA45
发射极截止电流
直流电流增益（注）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
测试条件
IC = 100μA ，我
B
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ， IC = 0
IC = 1mA时，我
B
=0.1mA
IC = 10毫安，我
B
=1mA
IC = 50mA时我
B
=5mA
IC = 10毫安，我
B
=1mA
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
CB
= 320V ，我
E
=0
V
CE
= 400V ，我
B
=0
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
EB
= 4V ， IC = 0
V
CE
= 10V ， IC = 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10V ， IC = 50毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
V
CE
= 20V ， IC = 10毫安
f=100MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
500
400
400
350
6
典型值
最大
单位
V
V
V
0.4
0.5
0.75
0.75
0.1
0.1
0.5
0.5
0.1
40
50
45
40
50
7
240
V
V
A
A
A
电流增益带宽积
输出电容
注：脉冲测试：P
W
<300μs ，职务Cycle<2 ％
f
T
C
ob
兆赫
pF
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2
QW-R206-007.B
MMBTA44/45
典型特征
直流电流增益
140
120
100
80
60
40
20
0
-20
-40
V
CE
=10V
NPN外延硅晶体管
打开-on开关时间
10
1
V
CE
=150V
IC / I
B
=10
Ta=25℃
V
BE （OFF）的
=4V
直流电流增益，H
FE
我的Ti （S ）
μ
10
0
T
f
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
-1
T
d
10
1
集电极电流I
C
（MA ）
,
10
2
10
0
打开 - 关闭开关时间
10
2
电容
10
3
CA PA citan CE （P F）
V
CE
=150V
IC / I
B
=10
TA = 25°
t
s
TI我（
μs
)
10
1
10
2
C
ib
10
0
t
F
10
1
C
ob
10
-1
10
10
0
0
10
1
集电极电流，I
C
（MA ）
10
2
10 -
1
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电压（V ）
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3
QW-R206-007.B
MMBTA44/45
ON电压
1.0
0.8
沃尔特GE （ V）
NPN外延硅晶体管
集电极饱和区
0.5
科尔ECT或发射极伏AG电子（ V）
TA = 25 ℃
V
BE （饱和） ，
IC / I
B
=10
0.4
IC = 1毫安
Ic=10mA
Ic=50mA
0.6
V
BE（上）
, V
CE
=10V
0.4
0.2
0
V
CE （SAT）
， IC / I
B
=10
0.3
0.2
0.1
0
Ta=25℃
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
-
1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电流I
C
（MA ）
,
基极电流，我
B
(μA)
典型特征（续）
高频电流增益
小SIG最终curre NT克泉，H
FE
10
2
V
CE
=10V
f=10MHz
Ta=25℃
10
4
科尔构造函数curre NT ， IC （MA ）
10
3
1ms
1s
5
=2
Ta
安全工作区
有效的责任
Cycle<10%
0.1ms
10
1
10
2
Ta
5
℃
=2
℃
10
0
10
1
MPSA44
10
0
10
1
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
2
10
3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电压（V）的
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4
QW-R206-007.B
MMBTA44/45
NPN外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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QW-R206-007.B
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MMBTA44/45
高电压晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
= 400V （ UTC
MMBTA44)
V
首席执行官
= 350V （ UTC
MMBTA45)
*集电极电流高达300mA
*补为UTC
MMBTA94/93
*功耗：P
D
(max)=350mW
NPN硅晶体管
无铅：
MMBTA44L/MMBTA45L
无卤： MMBTA44G / MMBTA45G
订购信息
正常
MMBTA44-AE3-R
MMBTA45-AE3-R
订购数量
无铅电镀
MMBTA44L-AE3-R
MMBTA45L-AE3-R
无卤
MMBTA44G-AE3-R
MMBTA45G-AE3-R
包
SOT-23
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
标志
MMBTA44
3D
35
MMBTA45
L：无铅
G：无卤
L：无铅
G：无卤
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1 4
QW-R206-007.E
MMBTA44/45
绝对最大额定值
参数
符号
NPN硅晶体管
评级
单位
MMBTA44
500
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
MMBTA45
400
V
MMBTA44
400
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
MMBTA45
350
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
300
mA
Ta=25°C
350
mW
功耗
P
D
T
C
=25°C
1.5
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿
MMBTA44
电压
MMBTA45
集电极 - 发射极击穿MMBTA44
电压
MMBTA45
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
MMBTA44
集电极截止电流
MMBTA45
MMBTA44
集电极截止电流
MMBTA45
发射极截止电流
直流电流增益（注）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 100μA ，我
B
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0.1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
10毫安，我
B
=1mA
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
CB
= 320V ，我
E
=0
V
CE
= 400V ，我
B
=0
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
V
CE
= 20V ，我
C
=10mA
f=100MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
500
400
400
350
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
μA
0.4
0.5
0.75
0.75
0.1
0.1
0.5
0.5
0.1
40
50
45
40
50
7
240
电流增益带宽积
输出电容
注：脉冲测试：P
W
<300μs,
值班Cycle<2 ％
兆赫
pF
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2 4
QW-R206-007.E
MMBTA44/45
典型特征
NPN硅晶体管
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3 4
QW-R206-007.E
MMBTA44/45
典型特征（续）
高频电流增益
10
2
小信号电流增益，H
FE
V
CE
=10 V
F = 10MHz的
TA = 25_C
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
NPN硅晶体管
安全工作区
有效的责任
循环<10 ％
1ms
1s
Ta
10
3
10
1
0.1ms
10
2
Ta
=2
5°
C
=2
5°
C
10
0
10
1
10
-1
10
-1
10
10
10
集电极电流，I
C
（MA ）
0
1
2
10
3
10
0
MPSA 44
10
0
10
10
10
集电极电压（V）的
1
2
3
10
4
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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4 4
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