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SPICE模型: MMBTA42
MMBTA42
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(MMBTA92)
非常适用于低功率放大和开关
无铅/符合RoHS (注4 )
符合AEC -Q101标准高
可靠性
A
C
SOT-23
暗淡
B
C
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
α
B
E
顶视图
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202,方法
208
无铅电镀(雾锡完成退火
在合金引线框架42 ) 。
标记(见第2页) : K3M
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.008克(近似值)
M
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
300
300
6.0
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极电流(注1 ) (注3 )
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
300
300
6.0
25
40
40
50
最大
100
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
B
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CB
= 200V ,我
E
= 0
V
CE
= 6.0V ,我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 30mA时V
CE
= 10V
I
C
= 20mA时,我
B
= 2.0毫安
B
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
cb
f
T
0.5
0.9
3.0
V
V
pF
兆赫
I
C
= 20mA时,我
B
= 2.0毫安
B
V
CB
= 20V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.当由热阻率所限定的安全操作区域内的集电极发射极饱和条件下运行(R
θ
JA
),功率
额定功耗(P
d
)和功率降额曲线(图1 ) 。
4.没有故意添加铅。
DS30062牧师10 - 2
1第3
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MMBTA42
Diodes公司
400
注1
350
P
D
,功耗(毫瓦)
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
10
100
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
I
C
I
B
= 10
T
A
= 150°C
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 ,集电极发射极饱和电压
与集电极电流
10,000
V
CE
= 5V
1.0
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,基极发射极电压随集电极电流
V
CE
= 5V
h
FE
,直流电流增益
1,000
T
A
= 150°C
T
A
= -50°C
100
T
A
= -50°C
10
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,直流电流增益VS
集电极电流
100
f
T
,增益带宽积(兆赫)
V
CE
= 5V
10
1
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,增益带宽积VS
集电极电流
10
DS30062牧师10 - 2
2 3
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MMBTA42
Diodes公司
订购信息
(注5 )
设备
MMBTA 42-7 -F
注意事项:
5.
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K3M
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
YM
K3M =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
1999
K
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
MAR
3
2003
P
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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