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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第156页 > MMBTA42LT1G
MMBTA42LT1,
MMBTA43LT1
MMBTA42LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
MMBTA42
300
300
6.0
500
MMBTA43
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
1D X
M1E X
MMBTA42LT1
MMBTA43LT1
1D ， M1E =具体设备守则
X
=日期代码
订购信息
设备
MMBTA42LT1
MMBTA42LT1G
MMBTA43LT1
MMBTA43LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版5
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 160伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 30 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
MMBTA42
MMBTA43
f
T
C
cb
3.0
4.0
50
兆赫
pF
h
FE
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
V
CE （ SAT ）
MMBTA42
MMBTA43
V
BE （ SAT ）
0.5
0.5
0.9
VDC
25
40
40
40
VDC
MMBTA42
MMBTA43
I
EBO
MMBTA42
MMBTA43
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CBO
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） EBO
I
CBO
0.1
0.1
MADC
300
200
6.0
VDC
MADC
300
200
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
120
100
的hFE ， DC电流增益
80
60
40
55°C
20
0
25°C
T
J
= +125°C
V
CE
= 10 VDC
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
100
图1.直流电流增益
C
eb
@ 1MHz的
C，电容（pF ）
带宽（MHz ）
F T ，电流增益
100
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
C
cb
@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
V
CE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ 25 ° C，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ 125°C ，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ -55°C ，V
CE
= 10 V
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
包装尺寸
A
L
3
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
B·S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图5. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1,
MMBTA43LT1
MMBTA42LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
MMBTA42
300
300
6.0
500
MMBTA43
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
1D X
M1E X
MMBTA42LT1
MMBTA43LT1
1D ， M1E =具体设备守则
X
=日期代码
订购信息
设备
MMBTA42LT1
MMBTA42LT1G
MMBTA43LT1
MMBTA43LT3
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版5
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 160伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 30 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
MMBTA42
MMBTA43
f
T
C
cb
3.0
4.0
50
兆赫
pF
h
FE
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
V
CE （ SAT ）
MMBTA42
MMBTA43
V
BE （ SAT ）
0.5
0.5
0.9
VDC
25
40
40
40
VDC
MMBTA42
MMBTA43
I
EBO
MMBTA42
MMBTA43
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CBO
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） EBO
I
CBO
0.1
0.1
MADC
300
200
6.0
VDC
MADC
300
200
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
120
100
的hFE ， DC电流增益
80
60
40
55°C
20
0
25°C
T
J
= +125°C
V
CE
= 10 VDC
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
100
图1.直流电流增益
C
eb
@ 1MHz的
C，电容（pF ）
带宽（MHz ）
F T ，电流增益
100
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
C
cb
@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
V
CE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ 25 ° C，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ 125°C ，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ -55°C ，V
CE
= 10 V
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBTA42LT1 ， MMBTA43LT1
包装尺寸
A
L
3
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
B·S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
图5. SOT- 23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
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为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1G,
MMBTA43LT1G
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
首席执行官
价值
300
200
300
200
6.0
6.0
500
单位
VDC
3
1
VDC
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2
辐射源
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
特征
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
辐射源
： BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
I
C
符号
P
D
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
R
qJA
P
D
1D M
G
G
1
M1E M
G
G
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
1D = MMBTA42LT
M1E = MMBTA43LT
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
订购信息
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
9牧师
1
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 160伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 30 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
MMBTA42
MMBTA43
f
T
C
cb
50
兆赫
pF
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
CE （ SAT ）
h
FE
25
40
40
40
0.5
0.5
0.9
VDC
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CEO
300
200
300
200
6.0
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
VDC
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
I
EBO
MADC
V
BE （ SAT ）
VDC
3.0
4.0
120
100
的hFE ， DC电流增益
80
60
40
-55°C
20
0
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
100
25°C
T
J
= +125°C
V
CE
= 10 VDC
图1.直流电流增益
http://onsemi.com
2
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
100
C
eb
@ 1MHz的
C，电容（pF ）
F T ，电流增益 - 带宽（MHz ）
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
C
cb
@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
1000
图2.电容
图3.电流增益
带宽
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
V
CE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 25 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 125 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ -55 ° C，I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ 25 ° C，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ 125°C ，V
CE
= 10 V
V
BE（上）
@ -55°C ，V
CE
= 10 V
图4. “开”电压
1
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
1.0 s
0.01
10毫秒
0.001
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5.安全工作区
http://onsemi.com
3
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
订购信息
设备订单号
MMBTA42LT1G
MMBTA42LT3G
MMBTA43LT1G
套餐类型
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AP
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ，
突起，或毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
q
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0
°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
10
°
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0
°
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10
°
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1G,
MMBTA43LT1G
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
首席执行官
价值
300
200
300
200
6.0
6.0
500
单位
VDC
3
1
VDC
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2
辐射源
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
特征
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
辐射源
： BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
I
C
符号
P
D
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
R
qJA
P
D
1D M
G
G
1
M1E M
G
G
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
1D = MMBTA42LT
M1E = MMBTA43LT
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
订购信息
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年6月，
启示录10
1
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 160伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 30 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
MMBTA42
MMBTA43
f
T
C
cb
50
兆赫
pF
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
CE （ SAT ）
h
FE
25
40
40
40
0.5
0.5
0.9
VDC
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CEO
300
200
300
200
6.0
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
VDC
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
I
EBO
MADC
V
BE （ SAT ）
VDC
3.0
4.0
http://onsemi.com
2
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
典型特征
1000
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 10 V
h
FE
，直流电流增益
1.2
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
55°C
0.0
0.1
1
10
100
25°C
150°C
T
J
= 150°C
100
25°C
55°C
10
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1.0
0.9
0.8
55°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1
10
I
C
/I
B
= 10
100
150°C
25°C
0.9
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1
10
I
C
/I
B
= 10
100
150°C
55°C
25°C
I
C
，集电极电流（毫安）
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
q
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.1
1
q
VB
为V
BE
55°C
至150℃
10
100
0.1
0.1
V
CE
= 10 V
C，电容（pF ）
100
图4.基射极电压上与
集电极电流
C
IBO
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
10
C
敖包
1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图5.基射极温度
系数
http://onsemi.com
3
图6.电容
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
典型特征
f
头
，电流增益带宽（MHz ）
100
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
订购信息
设备订单号
MMBTA42LT1G
MMBTA42LT3G
MMBTA43LT1G
套餐类型
SOT23
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5
AT88CK109STK3
硬件用户指南
8557B—CRYPTO—04/09
目录
第1节
Introduction....................................................................................................... 1-1
1.1
Overview.............................................................................................. 1-1
1.2
AT88CK109STK3入门套件特点.............................................. 1-1 ..
第2节
入门................................................ ................................................. 2 -4
2.1
打开系统............................................... .......................... 2-4
2.2
系统要求................................................ ......................... 2-4
2.3
软件安装................................................ ............................ 2-4
第3节
使用AT88CK109STK3 ............................................... .............................. 3-5
3.1
Overview.............................................................................................. 3-5
3.2
电源................................................ ...................................... 3-6
3.3
RESET................................................................................................. 3-7
3.4
AT90USB1287 AVR微控制器............................................... 3-8 .....
3.5
串行链接................................................ .......................................... 3-8
3.6
板载资源.............................................. ............................. 3-9
3.7
AT88CK109BK3 CryptoAuthentication子板.................... 3-12
3.8
AT88CK109BK3主机和客户端套接字兼容.............. 3-12
3.9
主机和客户端电源配置........................................... 3- 13
3.10
设备互连头............................................... .............. 3-14
3.11
映射AT88CK109BK3到AT88Microbase ， STK500和STK600 3-14
3.12
接口与CryptoAuthentication一个USART ................................. 3-16
3.13
在系统编程.............................................. ...................... 3-16
3.14
调试................................................. ........................................ 3-17
3.15
测试点................................................ ......................................... 3-18
第4节
故障排除指南................................................ ..................................... 4-1
第5节
技术指标................................................ ................................... 5-1
第6节
技术支援................................................ ............................................. 6-1
第7节
完整的原理图................................................ ........................................ 7-1
AT88CK109STK用户指南
8699A—CRYPTO—10/09
i
第1节
介绍
在获取AVR为主AT88CK109BSTK3 CryptoAuthentication入门恭喜
工具包。该套件旨在帮助设计人员快速启动开发代码为CryptoAuthentication
产品系列。所有必要的硬件是在包装中提供。该AT88Microbase有
被预编程为您提供方便。请一定要参观
www.atmel.com/Javan
为
最新的固件映像。
1.1
概观
本文档介绍了AT88CK109STK3 ，这是一个开发工具包为AT88SA100 ，
AT88SA102和ATSA8810HS CryptoAuthentication器件。该试剂盒采用了模块化的方法。
该开发套件包含AT88Microbase板和AT88CK109BK3
CryptoAuthentication子板。该AT88Microbase采用了方便的A型USB
接口让用户使用一台个人电脑和实验接口
CryptoAuthentication 。该AT88Microbase的小USB外形使得板
功能演示和开发平台。
该AT88CK109BK3子板有两个SOT23-3封装插座无论是客户端主机或多
客户端开发。总之，这些板使得CryptoAuthentication的简单评价
使用演示软件产品。本用户指南充当一般情况下，入门指南为
以及为高级用户提供了完整的技术参考。
1.2
AT88CK109STK3入门套件特点
AT88Microbase提供以下功能：
AT90USB1287 （ AVR ） 64 QFN器件（ 2.7V VCC < < 5.5V ）
- 对在系统内可编程闪存128K字节
- 4K字节的EEPROM
- 8K字节的片内SRAM
AT88SC018 CryptoCompanion IC
对设备固件升级的USB软件接口（ DFU引导加载程序）
(2)
电源指示灯
- 从USB接口（ USB设备总线供电应用）
- 从一个外部电源
JTAG连接器：
- 用于片上ISP
- 用于片上调试通过JTAG ICE
AT88SCK109STK3
串行接口：
- 1个USB全速/低速设备接口
- USART
板载资源：
- 3用户定义的LED
- 10引脚I / O头（ 2× 0.1 “间距）
支持SPI ， TWI和UART
- 1蜂鸣器
板载RESET按钮
板载HWB按钮强制AVR进入DFU模式，在复位
16 MHz晶振作为系统时钟
该AT88SC19BK3提供了以下功能：
2 SOT23-3 CryptoAuthentication套接字
- 主机和客户端
- 软件PWR控制
AVR Studio的
软件界面
(1)
注：1。 AT88Microbase支持AVR Studio的版本
4.17 （建立666 ）
or
高。最多最新的关于这个信息的其他AVR工具产品，请
请咨询我们的网站。 AVR Studio的， AVR工具，这最新版本
用户指南可在爱特梅尔网站的AVR部分找到，
http://www.atmel.com 。
2. ATMEL Flip ，在系统编程版本3.2.2或更高版本，应使用
设备固件升级。详情请咨询爱特梅尔网站获取最新的
版本翻转和DFU引导程序十六进制文件如果需要的话
1-2
8699A—CRYPTO—10/09
AT88CK109STK3用户指南
图1 。
AT88CK109STK3套件
1.2.1
设备支持
AT88CK109BK3 （子板）目前支持以下CryptoAuthentication器件：
ATSA88100
ATSA88102
ATSA8810HS
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