UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
MMBTA42
高压
晶体管
描述
在UTC
MMBTA42
是高电压晶体管，设计用于
电话交换机和高电压开关。
1
3
NPN外延硅晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
=300V
*高电流增益
*功耗：P
D（最大）
=350mW
2
SOT-23
记号
*无铅电镀产品编号： MMBTA42L
引脚配置
1D
PIN号
引脚名称
1
辐射源
2
BASE
3
集热器
订购信息
订单号
正常
无铅
MMBTA42 - AE3 -R MMBTA42L - AE3 -R
包
SOT-23
填料
带盘
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2005 Unisonic技术有限公司。
1
QW-R206-004.B
MMBTA42
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
D
T
J
T
英镑
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
评级
300
300
6
500
350
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注）
电流增益带宽积
集电极电容基地
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
cb
测试条件
IC = 100μA ，我
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ， IC = 0
IC = 20mA时，我
B
=2mA
IC = 20mA时，我
B
=2mA
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
BE
= 6V ， IC = 0
V
CE
= 10V ， IC = 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10V ， IC = 30毫安
V
CE
= 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
300
300
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
0.2
0.90
100
100
80
80
80
50
300
3
兆赫
pF
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2
QW-R206-004.B
MMBTA42
典型特征
直流电流增益
10
3
直流电流增益，H
FE
V
CE
=10V
NPN外延硅晶体管
饱和电压
10
1
IC = 10 ×I
B
V
CE（ s的）
, V
BE （S AT）
(V)
10
2
10
0
V
BE
（SAT）
10
1
10-
1
V
CE
（SAT）
10
0
10
0
10
-2
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电流IC （MA ）
集电极电流Ic （ mA）的
,
电容
电流增益带宽积（兆赫）
10
2
I
E
=0
f=1MHz
10
3
电流增益带宽积
V
CE
=20V
10
1
10
2
-
1
10
10
0
10
1
10
2
10
1
10
0
10
1
集电极电流Ic （ mA）的
,
10
2
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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3
QW-R206-004.B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBTA42
高压RANSISTOR
描述
在UTC
MMBTA42
是高电压晶体管，设计用于
电话交换机和高电压开关。
NPN硅晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
=300V
*高电流增益
*集电极耗散：P
C（最大值）
=350mW
*无铅电镀产品编号： MMBTA42L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MMBTA42-AE3-R
MMBTA42L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
填料
带盘
MMBTA42L-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
1D
铅电镀
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1 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
绝对最大额定值
(Ta=25℃)
参数
NPN硅晶体管
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
300
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
300
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极耗散（T
A
=25℃)
P
C
350
mW
集电极电流
I
C
500
mA
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
电流增益带宽积
集电极电容基地
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
cb
测试条件
IC = 100μA ，我
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ， IC = 0
IC = 20mA时，我
B
=2mA
IC = 20mA时，我
B
=2mA
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
BE
= 6V ， IC = 0
V
CE
= 10V ， IC = 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10V ， IC = 30毫安
V
CE
= 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
300
300
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
0.2
0.90
100
100
80
80
80
50
300
3
兆赫
pF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
典型特征
直流电流增益与输出电流
1K
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
Ta=-50℃
V
CE
=5V
Ta=150℃
Ta=25℃
1K
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
NPN硅晶体管
直流电流增益与输出电流
V
CE
=10V
Ta=150℃
Ta=-50℃
Ta=25℃
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极发射极饱和主场迎战
集电极电流
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1.0
集电极发射极饱和主场迎战
集电极电流
0.9
0.8
0.7
0.6
I
C
/I
B
=10
V
CE
=5V
Ta=-50℃
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-50℃
05
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Ta=25℃
Ta=150℃
1 2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
0.1
1
10
集电极电流，I
C
（MA ）
100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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4 4
QW-R206-004,C
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