MMBTA28
NPN表面贴装达林顿晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
高电流增益
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注3和4）
SOT-23
A
C
B
B
顶视图
E
C
暗淡
A
B
C
D
E
K
J
L
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
E
D
G
H
M
G
H
J
K
L
M
α
C
B
E
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
80
80
12
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
f
T
民
80
12
80
10,000
10,000
最大
100
500
100
1.5
2.0
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
pF
pF
兆赫
测试条件
I
C
= 100μA我
E
= 0
I
E
= 100μA我
C
= 0
I
C
= 100μA我
B
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 100μA
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
8.0典型
15典型
125
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1.6x1.6x0.06英寸的焊盘布局作为二极管显示公司建议焊盘布局文件AP02001可发现
我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DS30367牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA28
Diodes公司
订购信息
产品型号
MMBTA28-7-F
注意事项：
（注5 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K6R
K6R =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
2008
V
五月
5
JUN
6
YM
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30367牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
MMBTA28
Diodes公司
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBTA28
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
高电流增益
非常适用于中等功率放大和开关
外延平面片建设
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记： 3SS
NPN表面贴装
达林顿晶体管
SOT-23
A
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100μAdc ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60Vdc的，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10Vdc的，我
C
=0)
直流电流增益*
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5Vdc)
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
=5Vdc)
10,000
10,000
民
80.0
80.0
12.0
100
100
最大
单位
VDC
VDC
VDC
nA
nA
G
F
E
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
C
C
B
B
E
H
J
基本特征
h
FE
k
尺寸
英寸
民
最大
.110
.118
.090
.098
.047
.055
.035
.041
.070
.081
.018
.024
.0005
.0039
.035
.043
.003
.007
.015
.020
MM
民
2.80
2.30
1.20
.89
1.78
.45
.013
.90
.085
.37
最大
3.00
2.50
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.10
.180
.51
记
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，我
B
=100uAdc)
基射极饱和电压
(I
C
=100mAdc,V
CE
=5.0v)
1.5
VDC
V
BE （ SAT ）
2.0
VDC
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
小信号特性
f
T
C
cb
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ， F = 100MHz时）
集电极 - 发射极电容
(V
CB
= 10Vdec ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
125
8.0
兆赫
pF
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
.037
.950
.037
.950
英寸
mm
www.mccsemi.com
修改：
A
1 4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
3
MMBTA28
晶体管（ NPN ）
特点
高电流增益
标记： 3SS
SOT–23
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
80
80
12
500
200
625
150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
首席执行官
（ SUS）的
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
V
CE(sat)1
*
V
CE(sat)2
*
V
BE
*
C
ob
f
T
TEST
条件
民
80
80
12
0.1
0.5
0.1
10
10
1.2
1.5
2
8
125
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
A
K
K
V
V
V
pF
兆赫
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 100μA ，V
BE
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CE
=60V, V
BE
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 5V ，我
C
=100mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.01mA
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=100mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
=5V,I
C
=10mA,
f=100MHz
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
*脉冲测试：脉冲宽度≤300μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
MPSA28
MMBTA28
C
PZTA28
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SuperSOT-3
马克： 3SS
B
SOT-223
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为500毫安。来源
从过程03 。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
12
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA28
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA28
350
2.8
357
**PZTA28
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
2001年仙童半导体国际
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28 ，版本A
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 100
A,
V
BE
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 60 V, V
BE
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
80
80
12
100
500
100
V
V
V
nA
nA
nA
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.01毫安
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
10,000
10,000
1.2
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
电流增益 - 带宽积
输出电容
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0,
F = 100 MHz的
V
CB
= 1.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
125
8.0
兆赫
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
3
典型特征
100
V
CE
= 5V
125 °C
V
CE （ SAT ）
- 集电极EM ITTE 电压（ V）
h
F ê
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 1000
1.6
80
60
25 °C
1.2
0.8
- 40 °C
25 °C
125 °C
40
20
0
0.001
- 40 °C
0.4
0
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
0.2
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28 ，版本A
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
2
1.6
V
BE （ON）的
- BAS ê发射极电压（ V）
V
BE （ SAT ）
- 基本EMITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 1000
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
V
CE
= 5V
1.6
- 40 °C
- 40 °C
1.2
0.8
0.4
0
25 °C
125 °C
1.2
0.8
0.4
0
25 °C
125 °C
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
V
CB
= 80V
20
输入和输出电容
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
15
10
10
C
ib
1
5
0.1
C
ob
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
2
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极电压（ V）
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
增益带宽积
VS集电极电流
BV
CER
- 击穿电压（ V）
400
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
114.2
114
113.8
113.6
113.4
113.2
113
112.8
0.1
1
10
100
电阻（K
)
1000
V CE = 5V
300
200
100
0
1
10
20
50
100
200 300
150200
I
C
- 集电极电流（毫安）
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28 ，版本A
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
3
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28 ，版本A
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
SPICE模型： MMBTA28
Pb
LEAD -FREE
MMBTA28
SOT-23
A
C
B
C
NPN表面贴装达林顿晶体管
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
高电流增益
无铅/符合RoHS （注3 ）
暗淡
A
B
C
D
E
G
K
J
D
L
M
B
E
顶视图
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
标记（见第3页） ： K6R
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
E
D
G
H
H
J
K
L
M
α
C
尺寸：mm
B
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
80
80
12
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 -
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
注意事项：
1.
2.
3.
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
CES
I
EBO
民
80
12
80
10,000
10,000
最大
100
500
100
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA我
E
= 0
I
E
= 100μA我
C
= 0
I
C
= 100μA我
B
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 100A
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
f
T
1.5
2.0
V
V
pF
pF
兆赫
8.0典型
15典型
125
设备安装在FR- 4印刷电路板，如图所示的二极管公司1.6x1.6x0.06英寸的焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
没有故意添加铅。
DS30367牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA28
Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA28-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K6R
YM
K6R =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
MAR
3
2006
T
APR
4
2007
U
五月
5
2008
V
JUN
6
JUL
7
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30367牧师8 - 2
3 3
www.diodes.com
MMBTA28
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
分立功率&信号
技术
MPSA28
MMBTA28
C
PZTA28
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 3SS
B
SOT-223
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为500毫安。来源
从过程03 。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
12
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA28
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA28
350
2.8
357
**PZTA28
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 100
A,
V
BE
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 60 V, V
BE
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
80
80
12
100
500
100
V
V
V
nA
nA
nA
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.01毫安
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
10,000
10,000
1.2
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
电流增益 - 带宽积
输出电容
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0,
F = 100 MHz的
V
CB
= 1.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
125
8.0
兆赫
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
100
V
CE
= 5V
80
60
25 °C
125 °C
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.6
β
= 1000
1.2
- 40 C
0.8
25 C
125 C
40
20
0
0.001
- 40 °C
0.4
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
P 03
0.2
0
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 03
1000
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
2
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
- 基极发射极电压（ V）
BESAT
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 1000
- 40 C
25 °C
125 C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
CE
= 5V
1.6
1.2
0.8
0.4
0
- 40 °C
25 °C
125 °C
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 03
1000
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
V
CB
= 80V
10
BV
CER
- 击穿电压（ V）
100
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
114.2
114
113.8
113.6
113.4
113.2
113
112.8
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
P 03
125
电阻（K
)
输入和输出电容
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
20
增益带宽积
VS集电极电流
40
电容（pF）
VCE = 5V
30
15
10
C
ib
20
5
C
ob
10
2
0.1
1
10
100
0
VCE - 集电极电压（ V）
1
10
20
50
100 150200
I
C
- 集电极电流（毫安）
MPSA28 / MMBTA28 / PZTA28
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
MMBTA28
NPN表面贴装达林顿晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
外延平面片建设
适用于中等功率放大和
开关
高电流增益
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K6R
重量： 0.008克（约）
订购&日期代码信息：参见第2页
SOT-23
A
C
B
B
顶视图
E
E
D
G
H
K
J
D
L
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
C
尺寸：mm
B
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBTA28
80
80
12
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 -
功耗
热阻，结到环境
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
民
80
12
80
10,000
10,000
最大
100
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100毫安我
E
= 0
I
E
= 100毫安我
C
= 0
I
C
= 100毫安我
B
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 100毫安
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
f
T
1.5
2.0
V
V
pF
pF
兆赫
8.0典型
15典型
125
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1.6x1.6x0.06 NCH板布局上的二极管公司表示建议焊盘布局
文件AP02001 ，可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30367修订版2 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA28
订购信息
（注3）
新产品
设备
MMBTA28-7
注意事项：
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K6R
K6R =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
YM
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极饱和
电压（V）的
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
T
A
= 25°C
I
C
I
B
= 1000
T
A
= -50°C
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
T
A
= 150°C
DS30367修订版2 - 2
2 3
www.diodes.com
MMBTA28
QQ：2880707522 复制
