MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
mA
10
mA
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
2.0
1.5
55
°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV / C）
°
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
1.0
2.0
3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
55
°C
至25℃
25 ° C至125°C
4.0
q
VB
对于V
BE
5.0
6.0
5.0 7.0 10
55
°C
至25℃
0.8
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
MMBTA13LT1G,
MMBTA14LT1G
达林顿放大器
晶体管
NPN硅
特点
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这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
集热器3
BASE
1
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
发射器2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
1个M
G
G
1
R
qJA
P
D
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
=器件代码
X = M的MMBTA13LT1
X = N的MMBTA14LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
1x
订购信息
设备
MMBTA13LT1G
MMBTA14LT1G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第3版
1
出版订单号：
MMBTA13LT1/D
MMBTA13LT1G ， MMBTA14LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
V
BE
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0.1 MADC ）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积（注4 ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
f
T
125
兆赫
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
FE
5000
10,000
10,000
20,000
1.5
2.0
VDC
VDC
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
30
100
100
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
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2
MMBTA13LT1G ， MMBTA14LT1G
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
恩，噪声电压（NV ）
100
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
mA
10
mA
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
MMBTA13LT1G ， MMBTA14LT1G
小信号特性
20
T
J
= 25°C
10
C，电容（pF ）
7.0
5.0
C
IBO
C
敖包
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
V
R
，反向电压（伏）
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
2.0
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
1.5
- 55°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
I
B
，基极电流（毫安）
100 200
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
- 1.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
- 2.0
- 55 ° C至25°C时
- 3.0
25 ° C至125°C
- 4.0
q
VB
对于V
BE
- 5.0
- 55 ° C至25°C时
0.8
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
0.6
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
- 6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
MMBTA13LT1G ， MMBTA14LT1G
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
单脉冲
Z
QJC （T ）
= R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
- T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
1.0毫秒
100
ms
1.0 s
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图13.活动区的安全工作区
图A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= P
P
设计说明：采用瞬态热阻数据
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5
QQ：2881677436 复制
