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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1858页 > MMBTA13LT1
乐山无线电公司， LTD 。
达林顿晶体管放大器
NPN硅
3
集热器
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
θJA
P
D
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBTA13LT1 = 1M ; MMBTA14LT1 = 1N
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ，
V
BE
= 0)
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 30V直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 10Vdc的，我
C
= 0)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
I
EBO
—
100
NADC
V
（ BR ） CEO
30
—
—
100
VDC
NADC
I
CBO
M26–1/5
乐山无线电公司， LTD 。
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0.1 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ）
V
CE （ SAT ）
V
BE
5,000
10,000
10,000
20,000
––
—
—
—
—
—
1.5
2.0
VDC
VDC
民
最大
单位
––
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ）
小信号特性
电流 - 增益带宽积（ 4 ）
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 10mAdc ， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
＆ LT ;
300
s,
占空比
＆ LT ;
2.0%.
4. f
T
= | H F
e
| *f
TEST
.
f
T
125
—
兆赫
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
M26–2/5
乐山无线电公司， LTD 。
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
带宽= 1.0赫兹
R ~0
~
2.0
带宽= 1.0赫兹
e
n
噪声电压（内华达州）
I
n
，噪声电流（PA ）
200
S
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100
50
10
A
100A
I
C
=1.0mA
20
0.1
0.07
0.05
0.03
100A
10A
I
C
=1.0mA
10
5.0
10
20
50 100
200
500 1.0k 2.0k
5.0k 10k 20k
50k 100k
0.02
10
20
50 100
200
500 1.0k 2.0k
5.0k 10k 20k
50k 100k
男，频率（Hz ）
男，频率（Hz ）
图2.噪声电压
V
T
，总宽带噪声电压（内华达州）
图3.噪声电流
200
500
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
A
200
100
50
10
A
100
A
30
20
100
A
20
10
I
C
= 1.0毫安
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
5.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
R
S
，源电阻值（kΩ ）
R
S
，源电阻值（kΩ ）
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
M26–3/5
乐山无线电公司， LTD 。
MMBTA13LT1
小信号特性
|h
fe
| ，小信号电流增益
20
4.0
MMBTA14LT1
C，电容（pF ）
T
J
=25°C
10
7.0
5.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
2.0
T
J
= 25°C
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0
1.2
4.0
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.电容
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200k
3.0
T
J
= 125°C
100k
T
J
= 25°C
2.5
h
FE
，直流电流增益
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
25°C
I
C
= 10毫安
2.0
50毫安
250mA
500mA
1.5
–55°C
V
CE
= 5.0V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
B
，基极电流（ μA ）
图8.直流电流增益
R
θV
，温度系数（毫伏/ ° C）
–1.0
图9.集电极饱和区
1.6
T
J
= 25°C
1.4
*适用于我
C
/I
B
<h
FE
/3.0
–2.0
+ 25 ° C至+ 125°C
* R
ΔVC
对于V
CE （ SAT ）
-55℃ + 25℃
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
–3.0
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
+ 25 ° C至+ 125°C
–4.0
θ
VB
对于V
BE
–5.0
0.8
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
-55℃ + 25℃
0.6
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100 200 300
500
–6.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
C，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图17为“ON”电压
图18.温度系数
M26–4/5
乐山无线电公司， LTD 。
MMBTA13LT1
R（T ），瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
MMBTA14LT1
D = 0.5
0.2
单脉冲
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.05
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R（T ） R
θJC
T
J（下PK）
– T
C
= P
（ PK）
Z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R（T ） R
θJA
T
J（下PK）
– T
A
= P
（ PK）
Z
θJA （T ）
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
吨，时间（ ms）的
图12.热响应
1.0k
I
C
，集电极电流（毫安）
700
500
300
200
1.0毫秒
图A
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
100s
t
P
P
P
1.0 s
P
P
100
70
50
30
20
t
电流限制
热限制
第二击穿极限
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
10
20
40
1
1/f
占空比= T
1
f =
t
1
t
P
10
峰值脉冲功率= P
P
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.Active地区安全工作区
设计说明：使用瞬态热的
性数据
M26–5/5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBTA13LT1 / D
达林顿晶体管放大器
NPN硅
集热器3
BASE
1
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
*
*摩托罗拉的首选设备
发射器2
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBTA13LT1 = 1M ; MMBTA14LT1 = 1N
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ， VBE = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
2.氧化铝= 0.4 0.3
V（ BR ） CES
ICBO
IEBO
30
—
—
—
100
100
VDC
NADC
NADC


0.062英寸
 
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
VCE （ SAT ）
VBE
5000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
—
1.5
2.0
VDC
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
基地 - 发射极电压上
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 4 ）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
4， FT = | HFE |
FTEST 。
fT
125
—
兆赫
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
恩，噪声电压（NV ）
100
10
A
50
100
A
20
IC = 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
带宽= 10 Hz至15.7千赫
IC = 10
A
10
10
A
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
IC = 1.0毫安
100
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
小信号特性
20
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
CIBO
科博
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
200 k
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC = 10毫安
2.0
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
1.5
– 55°C
VCE = 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
– 1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
q
VC的VCE （SAT）
25 ° C至125°C
– 2.0
- 55 ° C至25°C时
– 3.0
25 ° C至125°C
– 4.0
q
VB的VBE
– 5.0
- 55 ° C至25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
0.6
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
– 6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
1.0 s
PP
PP
t1
1/f
占空比
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
1
+
T1 F
+
TTP
峰值脉冲功率= PP
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
ON Semiconductort
达林顿放大器
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
MMBTA14LT1是首选设备
3
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
qJA
PD
556
300
2.4
R
qJA
TJ ， TSTG
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
集热器3
BASE
1
发射器2
器件标识
MMBTA13LT1 = 1M ; MMBTA14LT1 = 1N
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
VBE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
V（ BR ） CES
ICBO
IEBO
30
—
—
—
100
100
VDC
NADC
NADC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
MMBTA13LT1/D
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 3 ）
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
VCE （ SAT ）
VBE
5000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
—
1.5
2.0
VDC
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 4 ）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4， FT = | HFE |
FTEST 。
fT
125
—
兆赫
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
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2
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
100
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
IC = 1.0毫安
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
IC = 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
小信号特性
20
TJ = 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
CIBO
科博
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
TJ = 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
IC = 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
QVC
对VCE （SAT）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB的VBE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
PP
PP
1.0 s
t1
1/f
40
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= PP
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
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5
MMBTA13LT1,
MMBTA14LT1
MMBTA14LT1是首选设备
达林顿放大器
晶体管
NPN硅
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特点
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1x
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
集热器3
BASE
1
发射器2
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
标记图
1个M
G
G
1
=器件代码
X = M的MMBTA13LT1
X = N的MMBTA14LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBTA13LT1
MMBTA13LT1G
MMBTA14LT1
MMBTA14LT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第2版
出版订单号：
MMBTA13LT1/D
MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
V
BE
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0.1 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
f
T
125
兆赫
h
FE
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
V
CE （ SAT ）
V
BE
2.0
1.5
VDC
5000
10,000
10,000
20,000
VDC
V
（ BR ） CES
30
I
CBO
I
EBO
100
100
NADC
NADC
VDC
符号
民
最大
单位
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
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2
MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
mA
10
mA
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
2.0
1.5
55
°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV / C）
°
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
1.0
2.0
3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
55
°C
至25℃
25 ° C至125°C
4.0
q
VB
对于V
BE
5.0
6.0
5.0 7.0 10
55
°C
至25℃
0.8
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
MMBTA13LT1 ， MMBTA14LT1
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
单脉冲
Z
QJC （T ）
= R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
Z
qJA （T ）
= R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA （T ）
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
吨，时间（ ms）的
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
电流限制
热限制
第二击穿极限
0.4 0.6
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
1.0毫秒
100
ms
1.0 s
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图13.活动区的安全工作区
图A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= P
P
设计说明：采用瞬态热阻数据
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MI-P71L-MXW
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