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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1974页 > MMBTA13-7-F
SPICE模型: MMBTA13 MMBTA14
MMBTA13 / MMBTA14
NPN表面贴装达林顿晶体管
特点
外延平面片建设
可提供互补PNP类型( MMBTA63
/MMBTA64)
非常适用于中等功率放大和开关
高电流增益
无铅/符合RoHS (注3 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
A
C
B
B
E
顶视图
SOT-23
暗淡
C
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
A
B
C
D
E
G
H
J
K
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金
42引线框架) 。
MMBTA13标记(见第3页) : K2D , K3D
MMBTA14标记(见第3页) : K3D
订购&日期代码信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
M
C
L
M
α
尺寸:mm
B
E
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
30
30
10
300
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
ΔCW
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
30
5,000
10,000
10,000
20,000
最大
100
100
单位
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA V
BE
= 0V
V
CB
= 30V ,我
E
= 0
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 100μA
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
敖包
C
IBO
f
T
1.5
2.0
V
V
pF
pF
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
注意:
8.0典型
15典型
125
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
DS30047牧师10 - 2
1第3
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Diodes公司
400
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
1.10
1.05
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
1000
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 ,集电极发射极饱和电压与集电极电流
1
1.6
1.5
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与环境温度
1,000,000
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
h
FE
,直流电流增益
100,000
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
100
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,基极发射极电压与集电极电流
10,000
1,000
100
1
10
1000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,直流电流增益VS集电极电流
1000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
100
10
1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,增益带宽积VS集电极电流
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Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA13-7-F
MMBTA14-7-F
注意事项:
4.
(注4 )
包装
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXD
KXD =产品型号标识代码,例如: K2D = MMBTA13
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
YM
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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3 3
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Diodes公司
MMBTA13 / MMBTA14
NPN表面贴装达林顿晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
可提供互补PNP类型( MMBTA63
/MMBTA64)
非常适用于中等功率放大和开关
高电流增益
铅,卤素及锑,符合RoHS标准
"Green"设备(注3和4)
符合AEC -Q101标准的高可靠性
A
C
B
B
E
顶视图
SOT-23
暗淡
C
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
A
B
C
D
E
G
H
J
K
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金
42引线框架) 。
MMBTA13标记(见第3页) : K2D , K3D
MMBTA14标记(见第3页) : K3D
订购&日期代码信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
M
C
L
M
α
尺寸:mm
B
E
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
30
30
10
300
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
ΔCW
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
MMBTA13
MMBTA14
MMBTA13
MMBTA14
30
5,000
10,000
10,000
20,000
最大
100
100
单位
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA V
BE
= 0V
V
CB
= 30V ,我
E
= 0
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 100μA
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
敖包
C
IBO
f
T
1.5
2.0
V
V
pF
pF
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
注意事项:
8.0典型
15典型
125
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2:用于最小化自加热效应短持续时间脉冲测试。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造( 33周, 2008年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料,可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
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400
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
1.10
1.05
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
1000
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 ,集电极发射极饱和电压与集电极电流
1
1.6
1.5
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与环境温度
1,000,000
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
h
FE
,直流电流增益
100,000
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
100
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,基极发射极电压与集电极电流
10,000
1,000
100
1
10
1000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,直流电流增益VS集电极电流
1000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
100
10
1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,增益带宽积VS集电极电流
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Diodes公司
订购信息
设备
MMBTA13-7-F
MMBTA14-7-F
注意事项:
5.
(注5 )
包装
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXD
KXD =产品型号标识代码,例如: K2D = MMBTA13
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
YM
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBTA13-7-F
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MMBTA13-7-F
DIODES
2019
17500
SOT23
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MMBTA13-7-F
Diodes
22+
6125
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MMBTA13-7-F
DID
25+23+
15500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MMBTA13-7-F
Diodes Incorporated
24+
22000
518¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
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DIODES/美台
22+
33000
NA
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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DIODES/美台
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877805 复制

电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
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DIODES
24+
6675
SOT-23-3
2¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:2元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:359548161 复制

电话:13683302275
联系人:王先生
地址:北京市房山区水墨林溪三区11号楼
MMBTA13-7-F
DIODES/美台
24+
1108
SOT23
原装现货特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MMBTA13-7-F
DIODESI
20+
34500
SOT23-5
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MMBTA13-7-F
DIODES
22+
42000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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