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RoHS指令
MMBT9014LT1
NPN外延硅晶体管
SOT-23
PRF-放大器，低噪声LEVEL&LOW
3
补
到MMPT9015LT1
集电极电流IC = 100毫安
集电极Emiller电压： V
CE
=45V
高Totalpower功耗PC =为225mW
高寿命和良好的线性
1
2
1.
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压＃
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
W
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
R
T
V
EBO
Ic
T
j
P
D
T
英镑
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
O
N
50
50
C
I
等级
50
45
5
100
225
150
-55~150
V
V
V
nA
nA
V
V
V
PF
dB
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位：mm
D
T
0.95
0.95
（ TA = 25℃ ）
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
（ TA = 25℃ ）
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
50
45
5
条件
I
C
= 100 A I
E
=0
I
C
= 1毫安我
B
=0
I
E
= 100 A I
C
=0
V
CB
=50V, V
C
=0
V
CB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
C
e
= 5V ，我
C
=2mA
V
CB
= 10V ，我
E
=10mA,f=100MHz
V
CE
= 5V I
C
=0.2mA
F = 1MHz的卢比= 2Kohm
60
300 1000
0.3
1.00
6.7
3.5
10
0.58 0.63
2.2
150 270
C
ob
f
T
兆赫V
CE
= 5V I
C
=10mA
NF
*器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
器件标识：
MMBT9014LT1=L6
o
永而佳电子有限公司。
HTTP ： // www.wej.cn
电子信箱： wej@yongerjia.com
RoHS指令
MMBT9014LT1
典型特征
100
1000
I
B
=160 A
I
B
=140 A
I
B
=120 A
I
B
=100 A
I
B
=80 A
I
B
=60 A
I
B
=40 A
I
B
=20 A
I
C
（毫安） ，收藏家CUTTENT
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
h
FE
特区CURREN GAIN
100
10
20
30
40
50
10
1
V
CE
（V ） ，集电极电压EMMITTER
静态特性
VBE （星期六） ， VCE （SAT） [毫伏] ，饱和电压
FT（兆赫），电流增益带宽积
1000
V
BE
（SAT）
100
10
1
基射极饱和电压
集电极 - 发射极电压Satruation
W
J
E
I
C
（毫安） ，集电极电流
E
10
C
E
L
V
CE
（SAT）
100
R
T
O
N
1000
100
10
C
I
I
C
（毫安） ，集电极电流
C
10
O
L
,
.
Vc
E
=5V
D
T
100
1000
直流电流增益
Vc
E
=5V
I
C
=20 I
B
1000
1
10
100
1000
I
C
（毫安） ，集电极电流
电流增益带宽积
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供货商
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厂家
批号
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封装
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操作
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    MMBT9014LT1
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