MMBT8050W
NPN硅外延平面晶体管
对于开关和放大器应用
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
25
40
6
600
200
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 1 V，I
C
= 100毫安
在V
CE
= 1 V，I
C
= 500毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 35 V
集电极饱和电压
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基本饱和电压
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 2毫安
集电极基极击穿电压
在我
C
= 10 A
发射极基极击穿电压
在我
E
= 100 A
增益带宽积
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 50 MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
MMBT8050CW
MMBT8050DW
符号
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
f
T
C
CBO
分钟。
100
160
40
-
-
-
25
40
6
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
12
马克斯。
250
400
-
100
0.5
1.2
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 11/08/2006
MMBT8050W
C 0 M M O 4 N ê米ITT é
C 0 LLE （C T） R C h的R A科特r是抽动症s
C 0 M M O 4 N ê米其德
C 0 LLE C到R C h的R A科特r是抽动症s
mA
100
0 .3 5
mA
500
0 .9
0 .8 5
80
0 .3
400
I
C
60
0 .2 5
I
C
0 .2
300
0 .8
40
0 .1 5
200
0 .1
20
I
B
= 0 0.0 5m的
100
0 .7 5
V
Bé
= 0 .7 V
0
0
10
20V
V
CE
0
0
1
2V
V
CE
ollectorsaturat IO nvoltage
V ê R 5美国C 0 LL权证吨 R C ü R R简吨
D C ú R R简吨克的
V ê R 5美国C 0 LL权证吨 R C ü R R简吨
V
0 .5
牛逼 P IC A L
LIM它s
一件T T A M B = 2 5
o
C
1000
700
500
400
300
200
V
CE
=1V
0 .4
Ic
I
B
=10
150 C
5
o
C
o
V
ESAT
0 .3
h
FE
T
b
am
=2
100
0 .2
70
50
40
-5 0
o
C
0 .1
150 C
o
25 C
-5 0 C
o
o
30
20
0
1 0
-1
1
10
10
2
10
3
M A
I
C
10
1 0
-1
1
10
10
2
10
3
I
C
B A S （E S）的T ü R A T I O 4 N V ℃的克é
V ê R 5美国C 0 LL权证吨 R C ü R R简吨
C 0 M M O 4 N ê米其T E
C 0 LLE C到R C h的R A科特r是抽动症s
V
2
TY P IC A L
L IM它s
一件T T A M B = 2 5
o
C
Ic
I
B
mA
500
3 .2
2 .8
2 .4
400
=10
2
1 .8
1 .6
V
Bé坐
I
C
1
-5 0 C
25
o
300
1 .4
1 .2
o
1
200
C
0 .8
0 .6
150 C
o
100
I
B
= 0 0.2米一
0 .4
0
1 0
-1
1
10
10
2
10
3
M A
I
C
0
0
1
2V
V
CE
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 11/08/2006
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