【MMBT6520LT1G高压晶体管PNP硅特点这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS柔顺】,IC型号MMBT6520LT1G,MMBT6520LT1G PDF资料,MMBT6520LT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT6520LT1G

高压晶体管

PNP硅

特点

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

集热器

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

基极电流

集电极电流

连续

符号

首席执行官

CBO

EBO

价值

350

5.0

250

500

单位

VDC

MADC

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR - 5局，

（注1 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板，（注2 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

qJA

标记图

qJA

, T

英镑

2Z M

2Z =器件代码

M =日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

订购信息

设备

MMBT6520LT1G

MMBT6520LT3G

包

航运

SOT- 23 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

， 2010年7月

启5

出版订单号：

MMBT6520LT1/D

MMBT6520LT1G

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

1.0

毫安）

集电极 - 基极击穿电压

100

毫安）

发射极 - 基极击穿电压

毫安）

收藏家Cuto FF电流

250

发射Cuto FF电流

4.0

基本特征

直流电流增益

1.0

毫安，V

100

毫安，V

集电极 - 发射极饱和电压

妈，我

1.0

毫安）

妈，我

2.0

毫安）

妈，我

3.0

毫安）

妈，我

5.0

毫安）

基射极饱和电压

妈，我

1.0

毫安）

妈，我

2.0

毫安）

妈，我

3.0

毫安）

基射极电压ON

100

毫安，V

小信号特性

电流增益

带宽积

毫安，V

V，F = 20兆赫）

集电极 - 基极电容

V，F = 1.0兆赫）

发射极 - 基极电容

0.5

V，F = 1.0兆赫）

200

6.0

100

兆赫

200

0.30

0.35

0.50

1.0

0.75

0.85

0.90

2.0

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

350

5.0

VDC

符号

民

最大

单位

CE （ SAT ）

VDC

BE （ SAT ）

VDC

BE（上）

VDC

http://onsemi.com

MMBT6520LT1G

200

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

= 10 V

= 125°C

100

= 25°C

= 20 V

F = 20MHz的

^ h FE ， DC电流增益

100

25°C

- 55°C

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

50 70

100

图1.直流电流增益

图2.电流增益 - 带宽积

1.2

V，电压（V ）

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 25°C

V，温度系数（MV /

1.4

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

QVC

对于V

CE （ SAT ）

- 55 ° C至25°C时

25 ° C至125°C

BE （ SAT ）

@ I

= 10

BE（上）

@ V

= 10 V

- 0.5

- 1.0

- 1.5

- 2.0

- 2.5

1.0

2.0

- 55 ° C至125°C

QVB

对于V

CE （ SAT ）

@ I

= 10

CE （ SAT ）

@ I

= 5.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

100

图3. “开”电压

图4.温度系数

100

C，电容（pF ）

= 25°C

1.0 k

700

500

300

200

T， TIME （ NS ）

@ V

BE （OFF）的

= 2.0 V

CE （关闭）

= 100 V

= 5.0

= 25°C

100

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

，反向电压（伏）

50 100 200

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

图5.电容

图6.开启时间

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MMBT6520LT1G

10 k

7.0 k

5.0 k

3.0 k

2.0 k

T， TIME （ NS ）

1.0 k

700

500

300

200

100

CE （关闭）

= 100 V

= 5.0

= I

= 25°C

，集电极电流（ A）

0.1

1.0 s

0.01

10毫秒

0.001

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

100

1000

，集电极 - 发射极电压（ V）

图7.开启，关闭时间

图8.安全工作区

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

单脉冲

（ PK）

单脉冲

QJC （T ）

= R （t）的

QJC

qJA （T ）

= R （t）的

qJA

占空比D = T

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

100

200

500

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

J（下PK）

- T

= P

（ PK）

QJC

(t)

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

0.2

0.05

0.5

1.0

1.0 k

2.0 k

5.0 k 10 k

图9.热响应

调整

对于V

CE （关闭）

= 100 V

1.0 k

-9.2 V

脉冲宽度

≈

100

, t

≤

5.0纳秒

占空比

≤

1.0%

适用于PNP测试电路，

翻转所有电压极性

1/2MSD7000

2.2 k

+10.8 V

20 k

采样示波器

约

-1.35 V

（调整V

（ BE ）关闭

= 2.0 V)

图10.开关时间测试电路

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MMBT6520LT1G

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

ISSUE AP

SEE视图C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度包括对引线FINISH

厚度。最小引线厚度是最小的

厚度基体材料。

4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ，

突起，或毛刺。

暗淡

民

0.89

0.01

0.37

0.09

2.80

1.20

1.78

0.10

0.35

2.10

MILLIMETERS

喃

最大

1.00

1.11

0.06

0.10

0.44

0.50

0.13

0.18

2.90

3.04

1.30

1.40

1.90

2.04

0.20

0.30

0.54

0.69

2.40

2.64

民

0.035

0.001

0.015

0.003

0.110

0.047

0.070

0.004

0.014

0.083

英寸

喃

0.040

0.002

0.018

0.005

0.114

0.051

0.075

0.008

0.021

0.094

最大

0.044

0.004

0.020

0.007

0.120

0.055

0.081

0.012

0.029

0.104

0.25

视图C

类型6 ：

1. PIN BASE

2.辐射源

3.收集

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

SCALE 10 ： 1

0.8

0.031

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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