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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2261页 > MMBT6517LT1G
MMBT6517LT1G
高压晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
基极电流
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
价值
350
350
5.0
25
100
单位
V
V
V
mA
mA
1
2
3
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注2 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 ( TO- 236AB )
CASE 318
类型6
标记图
1Z M
G
G
1
1Z
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
订购信息
设备
MMBT6517LT1G
MMBT6517LT3G
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
SOT- 23万带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启示录6
1
出版订单号:
MMBT6517LT1/D
MMBT6517LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
= 1.0 mA)的
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 100
毫安)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
毫安)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 250 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V)
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
C
= 30 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
C
= 50 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
C
= 100毫安, V
CE
= 10 V)
集热器
:辐射源
饱和电压(注3)
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0 mA)的
(I
C
= 20 mA时,我
B
= 2.0 mA)的
(I
C
= 30 mA时,我
B
= 3.0 mA)的
(I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0 mA)的
BASE
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0 mA)的
(I
C
= 20 mA时,我
B
= 2.0 mA)的
(I
C
= 30 mA时,我
B
= 3.0 mA)的
BASE
:辐射源
ON电压
(I
C
= 100毫安, V
CE
= 10 V)
小信号特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 20 V , F = 20兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20 V , F = 1.0 MHZ )
发射极 - 基极电容
(V
EB
= 0.5 V , F = 1.0兆赫)
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 2.0 % 。
f
T
C
cb
C
eb
兆赫
40
200
pF
6.0
pF
80
h
FE
20
30
30
20
15
200
200
V
0.30
0.35
0.50
1.0
V
0.75
0.85
0.90
V
2.0
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
350
350
6.0
V
V
nA
50
nA
50
符号
最大
单位
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
http://onsemi.com
2
MMBT6517LT1G
200
V
CE
= 10 V
的hFE , DC电流增益
100
70
50
- 55°C
30
20
25°C
T
J
= 125°C
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
100
70
50
T
J
= 25°C
V
CE
= 20 V
F = 20MHz的
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70 100
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50 70
100
图1.直流电流增益
图2.电流增益 - 带宽积
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
T
J
= 25°C
R
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
1.4
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
- 55 ° C至25°C时
IC
+
10
IB
25 ° C至125°C
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 10 V
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
1.0
2.0
- 55 ° C至125°C
R
QVB
对于V
BE
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 5.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
图3. “开”电压
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
图4.温度系数
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
eb
T
J
= 25°C
C
cb
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
50 100 200
图5.电容
http://onsemi.com
3
MMBT6517LT1G
1.0 k
700
500
300
200
T, TIME ( NS )
t
r
100
70
50
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
T, TIME ( NS )
1.0 k
700
500
300
200
100
t
f
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 2.0 V
V
CE (关闭)
= 100 V
I
C
/I
B
= 5.0
T
J
= 25°C
t
s
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
图6.开启时间
图7.开启,关闭时间
+V
CC
V
CC
调整
对于V
CE (关闭)
= 100 V
1.0 k
50
-9.2 V
脉冲宽度
100
ms
t
r
, t
f
5.0纳秒
占空比
1.0%
适用于PNP测试电路,
翻转所有电压极性
1/2MSD7000
2.2 k
+10.8 V
20 k
50
W
采样示波器
-1.35 V
(调整V
( BE )关闭
= 2.0 V)
图8.开关时间测试电路
R(T ) ,瞬态热
电阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
单脉冲
P
( PK)
单脉冲
Z
QJC (T )
= R (t)的
R
QJC
Z
qJA (T )
= R (t)的
R
qJA
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
2.0
5.0
10
20
50
吨,时间( ms)的
100
200
500
R
QJC
(吨)= R(T )R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
R
QJC
(t)
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.05
0.5
1.0
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
图9.热响应
http://onsemi.com
4
MMBT6517LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4. 318-01 THRU
07
09
过时了,新标准
31808.
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
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传真:
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日本以客户为中心中心
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为了文学:
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5
MMBT6517LT1/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBT6517LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MMBT6517LT1G
ON
25+
5990
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1244719342 复制 点击这里给我发消息 QQ:735585398 复制

电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
MMBT6517LT1G
ONSemiconductor
18+
32
SOT-23-3
原装现货,可开17%的增值票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MMBT6517LT1G
ON
25+
32560
SOT-23
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
MMBT6517LT1G
ON
2019+
15000
SOT23
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MMBT6517LT1G
ON
15+
99000
SOT23
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MMBT6517LT1G
ON/安森美
1926+
98526
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
MMBT6517LT1G
ON
17+
4550
3SOT-23
进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMBT6517LT1G
onsemi
24+
10000
SOT-23-3(TO-236)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MMBT6517LT1G
ON/安森美
2443+
23000
SOT23
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMBT6517LT1G
ON/安森美
24+
8640
SOT23
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