MMBT591
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
PNP硅
通用晶体管
特点
3
集热器
SOT-23
暗淡
A
B
2
1
BASE
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
3
功耗
P
CM
: 0.5 W
集电极电流
I
CM
: -1 A
集电极 - 基极电压
1
C
D
G
2
辐射源
A
L
3
H
J
K
L
S
V
V
( BR ) CBO
: -80 V
操作&存储结温
T
j
, T
英镑
: - 55 C ~ + 150 C
O
O
顶视图
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
标记: 591
单位:mm外形尺寸
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
1
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
1
1
除非
否则
特定网络版)
民
典型值
最大
单位
V
V
V
TEST
条件
IC = -
100
μA ,我
E
=0
IC = -
10
妈,我
B
=0
I
E
=-
100
μA ,我
C
=0
V
CB
=-
60
V,I
E
=0
V
EB
=-
4
V,I
C
=0
V
CE
=-
5
V,I
C
=-
1
mA
V
CE
=-
5
V,I
C
=-
500
mA
V
CE
=-
5
V,I
C
=-
1
A
V
CE
=-
5
V,I
C
=-2A
-80
-60
-5
-0.1
-0.1
100
100
80
15
-0.3
-0.6
-1.2
μA
μA
300
h
FE(4)
1
V
CE(sat)1
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)2
1
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
1
1
I
C
=-
500
妈,我
B
=-
50
mA
I
C
=-
1
A,I
B
=-
100
mA
I
C
=-
1
A,I
B
=-
100
mA
V
CE
=-
5
V,I
C
=-
1
A
V
CE
=-
10
V,I
C
=-
50
毫安,, F =
100
兆赫
V
CB
=-
10
V,F =
1
兆赫
150
V
V
V
V
兆赫
V
BE ( SAT )
1
V
BE
1
-1
f
T
C
ob
10
pF
脉冲条件下,脉冲宽度= 300μS ,占空比cycle≤2 %下测得的。
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人