MMBT589LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，
新标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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5
MMBT589LT1/D
MMBT589LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = -0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = -0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCES = -30伏直流）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -4.0 V直流）
V（ BR ） CEO
–30
V（ BR ） CBO
–50
V（ BR ） EBO
–5.0
ICBO
–
冰
–
IEBO
–
–0.1
–0.1
MADC
–0.1
MADC
–
MADC
–
VDC
–
VDC
VDC
基本特征
DC电流增益（1） （图1）
（ IC = -1.0毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -500毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
（ IC = 2.0 A ， VCE = -2.0 V ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ） （图3 ）
（ IC = -0.5 A， IB = -0.05 ）
（ IC = -1.0 A， IB = 0.1 A）
（ IC = -2.0 A， IB = -0.2 ）
基射极饱和电压（ 1 ） （图2 ）
（ IC = -1.0 A， IB = -0.1 A）
基射极导通电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
截止频率
（ IC = -100毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
输出电容（ F = 1.0兆赫）
1.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%
的hFE
100
100
80
40
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
VBE （ON）的
–
fT
100
科博
–
–
15
pF
–1.1
兆赫
–1.2
V
–0.25
–0.30
–0.65
V
–
300
–
–
V
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2
MMBT589LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SOT -23的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现225毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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5
MMBT589LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = -0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = -0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCES = -30伏直流）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -4.0 V直流）
V（ BR ） CEO
–30
V（ BR ） CBO
–50
V（ BR ） EBO
–5.0
ICBO
–
冰
–
IEBO
–
–0.1
–0.1
MADC
–0.1
MADC
–
MADC
–
VDC
–
VDC
VDC
基本特征
DC电流增益（1） （图1）
（ IC = -1.0毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -500毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
（ IC = 2.0 A ， VCE = -2.0 V ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ） （图3 ）
（ IC = -0.5 A， IB = -0.05 ）
（ IC = -1.0 A， IB = 0.1 A）
（ IC = -2.0 A， IB = -0.2 ）
基射极饱和电压（ 1 ） （图2 ）
（ IC = -1.0 A， IB = -0.1 A）
基射极导通电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
截止频率
（ IC = -100毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
输出电容（ F = 1.0兆赫）
1.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%
的hFE
100
100
80
40
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
VBE （ON）的
–
fT
100
科博
–
–
15
pF
–1.1
兆赫
–1.2
V
–0.25
–0.30
–0.65
V
–
300
–
–
V
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2
MMBT589LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
由TJ （ max）的最大额定结温开采
在模具中，R的
θJA
从装置的热阻
结点到环境，并且操作温度TA 。
使用提供的数据表中的SOT -23的值
包， PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现225毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT589LT1 / D
高电流表面贴装
PNP硅晶体管开关
负载管理
在便携式应用
的A设备
m
X
家庭
1
BASE
2
辐射源
集热器
3
MMBT589LT1
30伏特
2.0安培
PNP晶体管
3
1
最大额定值（Ta = 25_C ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ICM
最大
–30
– 50
– 5.0
–1.0
–2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
2
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT23LF （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBT589LT1 = G3
热特性
特征
器件总功耗
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
（单脉冲< 10秒。 ）
结温和存储温度
1， FR- 4 @最小焊盘
2. FR- 4 @ 1.0 X 1.0英寸垫
3.参考：图8
符号
PD （1）
最大
310
2.5
R
q
JA （1）
PD （2）
403
710
5.7
R
q
JA （2）
PDsingle （3）
575
TJ ， TSTG
- 55 + 150
°C
176
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
热复合是贝格斯公司的商标。
m
X
:
MicroExecutive系列高性能表面贴装器件
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1998年
1
MMBT589LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = -0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = -0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流
（ VCES = -30伏直流）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -4.0 V直流）
V（ BR ） CEO
–30
V（ BR ） CBO
–50
V（ BR ） EBO
–5.0
ICBO
—
冰
—
IEBO
—
–0.1
–0.1
–0.1
—
—
VDC
—
VDC
VDC
m
ADC
m
ADC
m
ADC
基本特征
DC电流增益（1） （图1）
（ IC = -1.0毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -500毫安， VCE = -2.0 V ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
（ IC = 2.0 A ， VCE = -2.0 V ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ） （图3 ）
（ IC = -0.5 A， IB = -0.05 ）
（ IC = -1.0 A， IB = 0.1 A）
（ IC = -2.0 A， IB = -0.2 ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ） （图2 ）
（ IC = -1.0 A， IB = -0.1 A）
基地 - 发射极导通电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 A， VCE = -2.0 V ）
截止频率
（ IC = -100毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
输出电容（ F = 1.0兆赫）
1.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%
的hFE
100
100
80
40
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
—
VBE （ON）的
—
fT
100
科博
—
—
15
pF
–1.1
兆赫
–1.2
V
–0.25
–0.30
–0.65
V
—
300
—
—
V
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT589LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
QQ：2881677436 复制
