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MMBT5770 NPN晶体管RF
2007年7月
MMBT5770
NPN晶体管RF
本设备是专为使用射频放大器，振荡器和乘法器与在1.0毫安至30 mA范围集电极电流。
从工艺43采购。
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
30
15
4.5
单位
V
V
V
nA
°C
- 连续
10
-55到+150
工作和存储结温范围
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
225
1.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
556
*设备安装在FR- 4PCB 1.6 “
×
1.6”
×
0.06”.
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极耐受电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
C
= 1.0
μA,
I
E
= 0
I
C
= 3.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 3.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 4.0毫安，V
CE
= 10V ， F = 100MHz的
600
30
0.4
1.0
V
V
30
15
3
50
V
V
V
nA
参数
测试条件
分钟。
马克斯。
单位
在特性*
h
FE
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
兆赫
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MMBT5770版本A
MMBT5770 NPN晶体管RF
典型特征
2
MMBT5770版本A
www.fairchildsemi.com
MMBT5770 NPN晶体管RF
典型特征
（续）
3
MMBT5770版本A
www.fairchildsemi.com
MMBT5770 NPN晶体管RF
典型特征
（续）
4
MMBT5770版本A
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MMBT5770 NPN晶体管RF
典型特征
（续）
5
MMBT5770版本A
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MAZ8043-L
MAX3744EVKIT
MAX14529EEWC+T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    MMBT5770
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    -
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MMBT5770
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