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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第50页 > MMBT5551LT1G
MMBT5550LT1,
MMBT5551LT1
MMBT5551LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
5550
140
160
6.0
600
5551
160
180
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
2
辐射源
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
记号
图
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
XXXM
XXX = MMBT550LT1 = M1F ，
MMBT5551LT1 ， LT3 ， LT1G = G1
M =月守则
订购信息
设备
MMBT5550LT1
MMBT5550LT1G
MMBT5551LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
°C
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT3
MMBT5551LT3G
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
SOT- 23万带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号：
MMBT5550LT1/D
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
集电极 - 发射极截止
(V
CB
= 10 V)
(V
CB
= 75 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
h
FE
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
V
CE （ SAT ）
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
V
BE （ SAT ）
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
I
CES
这两种类型
50
100
1.0
1.2
1.0
nA
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
I
EBO
50
V
（ BR ） CEO
MMBT5550
MMBT5551
V
（ BR ） CBO
MMBT5550
MMBT5551
V
（ BR ） EBO
6.0
I
CBO
100
50
100
50
NADC
MADC
NADC
160
180
VDC
140
160
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
500
300
^ h FE ， DC电流增益
200
100
55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
A)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0.4
T
J
= 125°C
V，电压（V ）
1.0
0.8
I
C
= I
CES
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
75°C
反向
25°C
前锋
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
mF
V
BB
8.8 V
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
V
CC
30 V
3.0 k
R
C
V
OUT
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
显示的值是我
C
@ 10毫安
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
C，电容（pF ）
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
50
C
敖包
30
20
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
10
0.2 0.3 0.5
20 30
2.0 3.0 5.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
IBO
1.0
100
200
V
R
，反向电压（伏）
图7的电容
图8.导通时间
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
0.2 0.3 0.5
20 30 50
1.0 2.0 3.0 5.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
图9.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
包装尺寸
SOT- 23-3 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AK
A
L
3
1
2
B·S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
MMBT5550LT1,
MMBT5551LT1
MMBT5551LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
5550
140
160
6.0
600
5551
160
180
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
2
辐射源
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
记号
图
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
XXXM
XXX = MMBT550LT1 = M1F ，
MMBT5551LT1 ， LT3 ， LT1G = G1
M =月守则
订购信息
设备
MMBT5550LT1
MMBT5550LT1G
MMBT5551LT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
°C
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT3
MMBT5551LT3G
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
SOT- 23万带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号：
MMBT5550LT1/D
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
集电极 - 发射极截止
(V
CB
= 10 V)
(V
CB
= 75 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
h
FE
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
V
CE （ SAT ）
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
V
BE （ SAT ）
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
I
CES
这两种类型
50
100
1.0
1.2
1.0
nA
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
I
EBO
50
V
（ BR ） CEO
MMBT5550
MMBT5551
V
（ BR ） CBO
MMBT5550
MMBT5551
V
（ BR ） EBO
6.0
I
CBO
100
50
100
50
NADC
MADC
NADC
160
180
VDC
140
160
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
500
300
^ h FE ， DC电流增益
200
100
55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
A)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0.4
T
J
= 125°C
V，电压（V ）
1.0
0.8
I
C
= I
CES
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
75°C
反向
25°C
前锋
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
mF
V
BB
8.8 V
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
V
CC
30 V
3.0 k
R
C
V
OUT
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
显示的值是我
C
@ 10毫安
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
C，电容（pF ）
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
50
C
敖包
30
20
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
10
0.2 0.3 0.5
20 30
2.0 3.0 5.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
IBO
1.0
100
200
V
R
，反向电压（伏）
图7的电容
图8.导通时间
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
0.2 0.3 0.5
20 30 50
1.0 2.0 3.0 5.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
图9.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
MMBT5550LT1 ， MMBT5551LT1
包装尺寸
SOT- 23-3 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AK
A
L
3
1
2
B·S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
MMBT5550LT1G,
MMBT5551LT1G
高电压晶体管
NPN硅
特点
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集热器
3
1
BASE
2
辐射源
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
符号
V
首席执行官
价值
140
160
160
180
6.0
600
> 8000
＆ GT ; 400
单位
VDC
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
1
2
3
记号
图
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
人体模型
机器型号
V
EBO
I
C
ESD
VDC
MADC
V
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
X1X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板（注2 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
P
D
X1X =器件代码
M1F = MMBT5550LT
G1 = MMBT5551LT
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
MMBT5550LT1G
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT3G
包
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年9月
9牧师
1
出版订单号：
MMBT5550LT1/D
MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
集电极 - 发射极截止
(V
CB
= 10 V)
(V
CB
= 75 V)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
这两种类型
h
FE
60
80
60
80
20
30
250
250
0.15
0.25
0.20
1.0
1.2
1.0
50
100
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
V
（ BR ） CEO
140
160
160
180
6.0
100
50
100
50
50
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
VDC
NADC
MADC
NADC
I
EBO
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
I
CES
nA
http://onsemi.com
2
MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
500
300
200
^ h FE ， DC电流增益
100
- 55°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
0.4
T
J
= 125°C
V
CE （ SAT ）
，科尔 - Emitt饱和电压（ V）
0.30
I
C
/I
B
= 10
0.25
150°C
0.20
0.15
25°C
0.10
-55°C
0.05
0
0.0001
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
0.5
0.6
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
图3.集电极截止区
图4. V
CE （ SAT ）
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3
MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
1.10
V
BE （ SAT ）
，相应- Emitt饱和电压（V）的
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
150°C
25°C
I
C
/I
B
= 10
-55°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
150°C
25°C
V
CE
= 10 V
-55°C
图5. V
BE （ SAT ）
2.5
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.5
C，电容（pF ）
1.0
0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
图6. V
BE（上）
T
J
= 25°C
C
IBO
C
敖包
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
图7.温度系数
图8的电容
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
V
BB
- 8.8 V
100
0.25
mF
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
V
CC
30 V
3.0 k
R
C
V
OUT
显示的值是我
C
@ 10毫安
图9.开关时间测试电路
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4
MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
1000
f
T
，电流增益带宽积（兆赫）
I
C
，集电极电流（ A）
V
CE
= 1 V
T
A
= 25°C
100
1
10毫秒
0.1
1.0 S
0.01
10
1
0.1
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
0.001
1.0
100
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1000
图10.电流增益带宽积
100
70
50
30
C，电容（pF ）
T， TIME （ NS ）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
IBO
C
敖包
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
图11.安全工作区
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
1.0
V
R
，反向电压（伏）
20 30
2.0 3.0 5.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图12的电容
图13.开启时间
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MSP430F478IPN
MAX6470TA17AD3-T
MI-P700-IYV
M95256-RDW3P
MC10H113FN
MAX6380UR41-T
MMO110-08IO7
MX26C2000BPC-15
MLV1005N160
MI-P74R-IYA
MI-PC64K-IV
M93C46-WDS6P/S
M54HC240C1R
MAX1459AAP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MMBT5551LT1G
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
MMBT5551LT1G
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