MMBT5400 / MMBT5401
MMBT5400 / MMBT5401
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-05-16
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBT5400
120 V
130 V
5V
250毫瓦
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBT5401
150 V
160 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 1毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 50毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 1毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 50毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
MMBT5400
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
30
40
40
50
60
50
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
180
–
–
240
–
0.2 V
0.5 V
1.0 V
1.0 V
MMBT5401
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sttigungsspg 。
2
)
基射极饱和电压 - 基射极Sttigungsspannung
2
)
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MMBT5400 / MMBT5401
特性（T
j
= 25°C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 100 V， （E打开）
- V
CB
= 120 V ， （E打开）
- V
CB
= 100 V，T
j
= 100 ° C， （E打开）
- V
CB
= 120 V ，T
j
= 100 ° C， （E打开）
- V
EB
= 4 V， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 10 V ， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200 A,
R
S
= 10
,
F = 1千赫
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
标记 - Stempelung
MMBT5400
MMBT5401
F
F
R
THA
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
MMBT5550 / MMBT5551
MMBT5400 2L =
MMBT5401 = 2LX
–
8分贝
C
CBO
–
–
6 pF的
f
T
100兆赫
–
300兆赫
MMBT5400
MMBT5401
MMBT5400
MMBT5401
- I
CBO
- I
CBO
- I
CBO
- I
CBO
- I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–-
50 nA的
50 nA的
50 A
50 A
50 nA的
Kennwerte （T
j
= 25°C)
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
MMBT5400
PNP硅外延平面晶体管
为高电压。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
P
合计
T
J
T
S
价值
130
120
5
600
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
MMBT5400
特点在T
AMB
=25
O
C
符号
直流电流增益
在-V
CE
= 5V ， -I
C
=10mA
集电极基极击穿电压
在-I
C
=0.1mA
集电极发射极击穿电压
在-I
C
=1mA
发射极基极击穿电压
在-I
E
=0.1mA
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
=100V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
=3V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 50mA时-I
B
=5mA
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 50mA时-I
B
=5mA
电流增益带宽积
在-V
CE
= 10V ， -I
C
=10mA
输出电容
在-V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
噪声系数
在-I
C
= 0.2毫安， -V
CE
= 5V ， F = 15.7KHz
NF
-
8
dB
C
ob
-
6
pF
f
T
100
-
兆赫
-V
BE （ SAT ）
-
1
V
-V
CE （ SAT ）
-
0.5
V
-I
EBO
-
0.05
A
-I
CBO
-
0.05
A
-V
（ BR ） EBO
5
-
V
-V
（ BR ） CEO
120
-
V
-V
（ BR ） CBO
130
-
V
h
FE
40
180
-
分钟。
马克斯。
单位
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
QQ：2880707522 复制
