摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT5087LT1 / D
低噪声晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT5087LT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
–50
–50
–3.0
–50
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBT5087LT1 = 2Q
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -35伏直流， IE = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
—
—
–10
–50
–50
–50
—
—
VDC
VDC
NADC
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT5087LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
250
250
250
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
800
—
—
–0.3
0.85
VDC
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -500
μAdc ，
VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = -20 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0伏， RS = 3.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
的hFE
NF
—
—
2.0
2.0
40
—
250
—
4.0
900
兆赫
pF
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型噪声特性
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
10
7.0
恩，噪声电压（NV ）
5.0
IC = 10
A
30
A
3.0
2.0
1.0毫安
100
A
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
中，噪声电流（PA ）
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0
10
20
50
100 200
500 1.0 k
男，频率（Hz ）
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
男，频率（Hz ）
5.0 k
10 k
300
A
100
A
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
图1.噪声电压
图2.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
带宽= 1.0赫兹
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
图3.窄带， 100赫兹
图4.窄带， 1.0千赫
RS ，源电阻（欧姆）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
200 300
500 700 1.0 k
IC ，集电极电流（ μA ）
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
图5.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT5087LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TA = 25°C
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
IC ，集电极电流（毫安）
100
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
300
A
60
IB = 400
A
350
A
250
A
200
A
150
A
0.6
0.4
40
100
A
50
A
0.2
20
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图6.集电极饱和区
图7.收集特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
0.8
*
q
VC的VCE （SAT）
0
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
25 ° C至125°C
q
VB的VBE
0.2
- 55 ° C至25°C时
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
图8. “开”电压
图9.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型的动态特性
500
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
7.0
5.0
1.0
tr
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
–1.0
ts
VCC = - 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
– 2.0 – 3.0 – 5.0 – 7.0 –10
– 20 – 30
IC ，集电极电流（毫安）
– 50 – 70 –100
图10.开启时间
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图11.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
300
200
VCE = 20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
10
TJ = 25°C
7.0
兴业银行
5.0
3.0
2.0
COB
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图12.电流增益 - 带宽积
图13.电容
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
图16
占空比D = T1 / T2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
阅读时间T1（见AN- 569 ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
图14.热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT5087LT1 / D
低噪声晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT5087LT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
–50
–50
–3.0
–50
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBT5087LT1 = 2Q
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -35伏直流， IE = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
—
—
–10
–50
–50
–50
—
—
VDC
VDC
NADC
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT5087LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
250
250
250
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
800
—
—
–0.3
0.85
VDC
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -500
μAdc ，
VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = -20 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0伏， RS = 3.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
的hFE
NF
—
—
2.0
2.0
40
—
250
—
4.0
900
兆赫
pF
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型噪声特性
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
10
7.0
恩，噪声电压（NV ）
5.0
IC = 10
A
30
A
3.0
2.0
1.0毫安
100
A
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
中，噪声电流（PA ）
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0
10
20
50
100 200
500 1.0 k
男，频率（Hz ）
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
男，频率（Hz ）
5.0 k
10 k
300
A
100
A
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
图1.噪声电压
图2.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
带宽= 1.0赫兹
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
图3.窄带， 100赫兹
图4.窄带， 1.0千赫
RS ，源电阻（欧姆）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
200 300
500 700 1.0 k
IC ，集电极电流（ μA ）
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
图5.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT5087LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TA = 25°C
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
IC ，集电极电流（毫安）
100
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
300
A
60
IB = 400
A
350
A
250
A
200
A
150
A
0.6
0.4
40
100
A
50
A
0.2
20
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图6.集电极饱和区
图7.收集特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
0.8
*
q
VC的VCE （SAT）
0
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
25 ° C至125°C
q
VB的VBE
0.2
- 55 ° C至25°C时
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
图8. “开”电压
图9.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型的动态特性
500
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
7.0
5.0
1.0
tr
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
–1.0
ts
VCC = - 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
– 2.0 – 3.0 – 5.0 – 7.0 –10
– 20 – 30
IC ，集电极电流（毫安）
– 50 – 70 –100
图10.开启时间
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图11.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
300
200
VCE = 20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
10
TJ = 25°C
7.0
兴业银行
5.0
3.0
2.0
COB
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图12.电流增益 - 带宽积
图13.电容
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
图16
占空比D = T1 / T2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
阅读时间T1（见AN- 569 ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
图14.热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
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