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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第163页 > MMBT5087LT1
乐山无线电公司， LTD 。
低噪声晶体管
PNP硅
3
集热器
3
1
BASE
MMBT5087LT1
1
2
辐射源
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
– 50
– 50
– 3.0
– 50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
器件标识
MMBT5087LT=2Q
热特性
特征
器件总功耗RF- 5板（ 1 ）
T
A
=25 °C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θJA
P
D
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
–55to+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
—
—
–10
–50
民
– 50
– 50
最大
—
—
单位
VDC
VDC
ADC
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= –100
μAdc ，
I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -35伏直流，我
E
= 0)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
M17–1/6
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT5087LT1
电气特性
(T
特征
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
符号
h
FE
民
最大
单位
––
250
250
250
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
––
––
800
––
––
– 0.3
– 0.85
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -100μAdc ，V
CE
= -5.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= –500
μAdc ，
V
CE
= -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
(V
CB
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= -1.0mAdc ，V
CE
= -5.0Vdc ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= -20 MADC ，V
CE
= -5.0伏，R
s
= 10kΩ的， F = 1.0千赫）
(I
C
= -100μAdc ，V
CE
f
T
40
—
250
—
4.0
900
兆赫
pF
—
dB
C
敖包
h
fe
NF
—
—
2.0
2.0
= -5.0伏，R
s
= 3.0kΩ ， F = 1.0千赫）
M17–2/6
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT5087LT1
典型噪声特性
(V
CE
= - 5.0伏直流电，T
A
= 25°C)
10
带宽= 1.0赫兹
R ~0
~
S
10.0
7.0
5.0
带宽= 1.0赫兹
R ~
~
S
7.0
I
n
，噪声电流（PA ）
e
n
噪声电压（内华达州）
I
C
=10
A
5.0
3.0
2.0
I
C
=1.0mA
300A
30A
3.0
100A
1.0mA
300A
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100A
30A
10A
2.0
1.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
0.1
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
男，频率（Hz ）
男，频率（Hz ）
图1.噪声电压
图2.噪声电流
噪声系数等值线
(V
CE
= - 5.0伏直流电，T
A
= 25°C)
1.0M
500k
带宽= 1.0赫兹
1.0M
500k
200k
100k
50k
20k
10k
5.0k
2.0k
1.0k
500
R
S
，源电阻（
)
带宽= 1.0赫兹
R
S
，源电阻（
)
200k
100k
50k
20k
10k
5.0k
2.0k
1.0k
500
200
100
10
20
30
50
70
100
200
300
0.5dB
1.0dB
2.0dB
3.0dB
5.0dB
20
30
50
70
100
200
300
500
700 1.0K
0.5dB
1.0dB
2.0dB
3.0dB
5.0dB
500
700 1.0K
200
100
10
I
C
，集电极电流（ μA ）
I
C
，集电极电流（ μA ）
图3.窄带， 100赫兹
1.0M
500k
10赫兹至15.7KHz
图4.窄带， 1.0千赫
R
S
，源电阻（
)
200k
100k
50k
20k
10k
5.0k
2.0k
1.0k
500
200
100
10
20
30
50
70
100
200
300
噪声系数的定义是：
NF = 20日志
10
( –––––––––––––––)
4KTR
S
e
n 2
+ 4kTR
S
+ I
n2
R
S2
1/ 2
0.5dB
1.0dB
2.0dB
3.0分贝
5.0dB
500
700 1.0K
e
n
=晶体管的噪声电压折合到输入端。 （图3）
I
n
=晶体管的电流噪声折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38 ×10
–23
焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
R
s
=源电阻（
)
I
C
，集电极电流（ μA ）
图5.宽带
8
M17–3/6
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT5087LT1
典型静态特性
1.0
100
V
CE
，集电极 - EMITTERVOLTAGE （伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
T
A
=25°C
0.8
80
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
s
DUTY CYCLE<2.0 ％
300A
I
B
= 400
A
350A
250
A
200
A
150
A
0.6
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50mA
百毫安
60
0.4
40
100
A
50A
0.2
20
0
0.002 0.0050.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
I
B
，基极电流（毫安）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图6.集电极饱和区
θ
V
，温度系数（毫伏/ ° C）
图7.收集特性
1.4
1.6
T
J
=25°C
1.2
*适用于我
C
/ I
B
<
FE
/ 2
0.8
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
θ
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
25°Cto125°C
–55°Cto25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
–0.8
25°Cto125°C
θ
VB
对于V
BE
–55°Cto25°C
0.4
0.2
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
–1.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
–2.4
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. “开”电压
图11.温度系数
M17–4/6
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT5087LT1
典型的动态特性
500
300
200
1000
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
t
s
V
CC
=–3.0V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
=I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
t
f
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
–70 –100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图10.开启时间
f
T
型，电流增益 - 带宽积（兆赫）
500
10.0
图11.开启，关闭时间
T
J
= 25°C
300
T
J
= 25°C
V
CE
=20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
7.0
C
ib
5.0
200
3.0
100
2.0
C
ob
70
50
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图12.电流增益 - 带宽积
R（T ），瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
图13.电容
D = 0.5
0.2
0.1
图16
0.05
P
（ PK）
0.02
0.01
t
单脉冲
1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
占空比D = T
1
/ t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
（见AN- 569 ）
t
2
Z
θJA （T ）
= R（T ） R
θJA
T
J（下PK）
– T
A
= P
（ PK）
Z
θJA （T ）
1.0k
2.0k
5.0k
10k
20k
50k
100k
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
吨，时间（ ms）的
图14.热响应
M17–5/6
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT5087LT1 / D
低噪声晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT5087LT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
–50
–50
–3.0
–50
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBT5087LT1 = 2Q
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -35伏直流， IE = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
—
—
–10
–50
–50
–50
—
—
VDC
VDC
NADC
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT5087LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
250
250
250
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
800
—
—
–0.3
0.85
VDC
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -500
μAdc ，
VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = -20 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0伏， RS = 3.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
的hFE
NF
—
—
2.0
2.0
40
—
250
—
4.0
900
兆赫
pF
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型噪声特性
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
10
7.0
恩，噪声电压（NV ）
5.0
IC = 10
A
30
A
3.0
2.0
1.0毫安
100
A
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
中，噪声电流（PA ）
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0
10
20
50
100 200
500 1.0 k
男，频率（Hz ）
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
男，频率（Hz ）
5.0 k
10 k
300
A
100
A
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
图1.噪声电压
图2.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
带宽= 1.0赫兹
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
图3.窄带， 100赫兹
图4.窄带， 1.0千赫
RS ，源电阻（欧姆）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
200 300
500 700 1.0 k
IC ，集电极电流（ μA ）
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
图5.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT5087LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TA = 25°C
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
IC ，集电极电流（毫安）
100
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
300
A
60
IB = 400
A
350
A
250
A
200
A
150
A
0.6
0.4
40
100
A
50
A
0.2
20
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图6.集电极饱和区
图7.收集特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
0.8
*
q
VC的VCE （SAT）
0
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
25 ° C至125°C
q
VB的VBE
0.2
- 55 ° C至25°C时
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
图8. “开”电压
图9.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型的动态特性
500
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
7.0
5.0
1.0
tr
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
–1.0
ts
VCC = - 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
– 2.0 – 3.0 – 5.0 – 7.0 –10
– 20 – 30
IC ，集电极电流（毫安）
– 50 – 70 –100
图10.开启时间
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图11.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
300
200
VCE = 20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
10
TJ = 25°C
7.0
兴业银行
5.0
3.0
2.0
COB
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图12.电流增益 - 带宽积
图13.电容
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
图16
占空比D = T1 / T2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
阅读时间T1（见AN- 569 ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
图14.热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBT5087LT1 / D
低噪声晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT5087LT1
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
–50
–50
–3.0
–50
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBT5087LT1 = 2Q
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ，
IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -35伏直流， IE = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
ICBO
—
—
–10
–50
–50
–50
—
—
VDC
VDC
NADC
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT5087LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
250
250
250
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
—
—
800
—
—
–0.3
0.85
VDC
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -500
μAdc ，
VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = -20 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
（ IC = -100
μAdc ，
VCE = -5.0伏， RS = 3.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
的hFE
NF
—
—
2.0
2.0
40
—
250
—
4.0
900
兆赫
pF
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型噪声特性
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
10
7.0
恩，噪声电压（NV ）
5.0
IC = 10
A
30
A
3.0
2.0
1.0毫安
100
A
300
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
中，噪声电流（PA ）
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0
10
20
50
100 200
500 1.0 k
男，频率（Hz ）
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
男，频率（Hz ）
5.0 k
10 k
300
A
100
A
30
A
10
A
IC = 1.0毫安
带宽= 1.0赫兹
RS
≈ ∞
图1.噪声电压
图2.噪声电流
噪声系数等值线
（ VCE = - 5.0伏， TA = 25 ° C）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（ μA ）
带宽= 1.0赫兹
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
带宽= 1.0赫兹
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
500 700 1.0 k
图3.窄带， 100赫兹
图4.窄带， 1.0千赫
RS ，源电阻（欧姆）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10
20
30
50 70 100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
NF
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
200 300
500 700 1.0 k
IC ，集电极电流（ μA ）
+
20 LOG10
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
晶体管的EN =噪声电压折合到输入端。 （图3）
在=噪声晶体管的电流折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38× 10-23焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
RS =信号源阻抗（欧姆）
图5.宽带
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT5087LT1
典型静态特性
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TA = 25°C
0.8
IC = 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
IC ，集电极电流（毫安）
100
TA = 25°C
脉冲宽度= 300
s
80占空比
≤
2.0%
300
A
60
IB = 400
A
350
A
250
A
200
A
150
A
0.6
0.4
40
100
A
50
A
0.2
20
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
IB ，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图6.集电极饱和区
图7.收集特性
TJ = 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
0.8
*
q
VC的VCE （SAT）
0
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
25 ° C至125°C
q
VB的VBE
0.2
- 55 ° C至25°C时
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
图8. “开”电压
图9.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT5087LT1
典型的动态特性
500
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
7.0
5.0
1.0
tr
VCC = 3.0 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
–1.0
ts
VCC = - 3.0 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
2.0
3.0
20 30
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
– 2.0 – 3.0 – 5.0 – 7.0 –10
– 20 – 30
IC ，集电极电流（毫安）
– 50 – 70 –100
图10.开启时间
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图11.开启，关闭时间
500
TJ = 25°C
300
200
VCE = 20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
10
TJ = 25°C
7.0
兴业银行
5.0
3.0
2.0
COB
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图12.电流增益 - 带宽积
图13.电容
R（T ），瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
t1
t2
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100 200
图16
占空比D = T1 / T2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
阅读时间T1（见AN- 569 ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.01
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
500 1.0 k 2.0 k
图14.热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
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MAX6472UT19AD3-T
MSC8122
MRSE-3-6KX
MAX6390XS30D4-T
MI-Q6X-IUX
MH983P
MAX6307UK38D3T
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