MMBT4403WT1
小信号特性
噪声系数
V
CE
=
10
VDC ，T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 430
W
I
C
= 500
毫安，
R
S
= 560
W
I
C
= 50
毫安，
R
S
= 2.7千瓦
I
C
= 100
毫安，
R
S
= 1.6千瓦
NF ，噪声系数（dB ）
10
F = 1千赫
8
6
4
2
6
4
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
R
S
=最佳源电阻
2
0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100
200
男，频率（KHz ）
图8.频率的影响
图9.源电阻的影响
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
R
S
，源电阻（欧姆）
50 k
h参数值
V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得
这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4403LT1线被选中，并且在同一单位被使用
开发每个图上的相应编号的曲线。
1000
700
500
hFE参数，电流增益
300
200
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100 k
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100
70
50
30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图10.电流增益
图11.输入阻抗
500
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
重，电压反馈比例（ X 10
4
)
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图12.电压反馈比例
图13.输出导纳
http://onsemi.com
4
FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
威伦
无铅机生产线
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
PNP硅
漏电流和耐热性。
更好的反
低调的表面安装，以便应用程序
包装外形
SOD-123H
优化电路板
材料
我们宣布
空间。
产品符合RoHS要求。
低功耗，高效率。
包可
无铅
电流能力，低正向电压降。
高
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
符合RoHS的产品
能力。
高浪涌
包装代号后缀“G”
Guardring
产品包装代码
无卤
过电压保护。
后缀“H”的
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
3
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
2
订购信息
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
设备
记号
航运
MMBT4403WT1
2T
3000 /磁带&卷轴
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
SOT-323
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
最大额定值
等级
方法2026
极性：
电压
集电极 - 发射极
由阴极频带指示
集电极 - 基极电压
安装位置：任意
发射极 - 基极电压
重量：的逼近0.011克
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
– 40
– 40
– 5.0
– 600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
3
集热器
尺寸以英寸（毫米）
1
BASE
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度额定值
热特性
除非另有规定ED 。
2
辐射源
最大RMS电压
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
特征
符号
最大
单位
对于容性负载，减免电流20 ％
器件总功耗FR- 5局
P
D
150
mW
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
T
A
= 25°C
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
热阻，
R
qJA
833
° C / W
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
结到环境
结温和存储温度
T
J
, T
英镑
14
V
RMS
-55到+150
20
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
T
J
21
°C
30
28
35
42
56
70
105
140
40
50
60
1.0
30
80
100
150
200
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
器件标识
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
MMBT4403WT1
= 2T
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
-55到+125
符号
典型结
特征
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
C
J
电动
电容（注1 ）
存储温度范围
开关特性
工作温度范围
特征
TSTG
40
120
-55到+150
民
最大
单位
-
65
到+175
VDC
VDC
VDC
μAdc
—
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
最大正向电压在1.0A DC
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
集电极 - 基极击穿电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
(I
C
= -0.1mAdc ，我
E
= 0)
@T
额定阻断电压DC
发射极 - 基极击穿电压
A=125℃
V
F
I
R
0.50
– 40
0.70
0.85
0.9
0.92
– 40
– 5.0
I
BEV
—
I
CEX
—
—
—
– 0.1
0.5
10
(I
注意事项：
E
= -0.1mAdc ，我
C
= 0)
(V
= -35伏直流，V
BASE
在1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
1测
截止目前
CE
EB
2-热阻结点到环境
= -0.4 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -35伏直流，V
EB
= -0.4 V直流）
μAdc
– 0.1
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度<300
s;
占空比<2.0 ％ 。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
特征
符号
批量工艺设计，
基本特征
出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
直流电流增益
h
FE
低调的表面安装，以便应用程序
(I
C
= –0.1
电路板空间。
OPTIMIZE
MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
低
-1.0 MADC ，
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
=
的功率损耗，
V
高英法fi效率。
高电流能力，低正向电压降。
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
高浪涌能力。
(I
C
= -150 MADC ，V
CE
= -2.0伏）（3）
Guardring过电压
Vdc)(3)
(I
C
= -500 MADC ，V
CE
= –2.0
保护。
超高速开关。
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
V
CE （ SAT ）
硅外延
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -150mAdc ，我
平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件
I = -50 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，
符合环保标准
B
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
基射
包装代码
(3)
V
BE （ SAT ）
符合RoHS的产品
饱和电压
后缀"G"
(I
C
= -150 MADC ，我
B
=
包装代号后缀"H"
无卤产品
= 15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，
数据
机械
I
B
= -50 MADC ）
威伦
包
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
无铅机生产线
特点
包装外形
民
最大
SOD-123H
单位
––
30
60
100
100
20
––
––
– 0.75
––
––
0.146(3.7)
––
0.130(3.3)
––
300
––
0.012 （ 0.3 ）典型值。
VDC
0.056(1.4)
– 0.4
– 0.75
VDC
– 0.95
– 1.3
0.071(1.8)
200
––
方法2026
集电极 - 基极电容
C
cb
pF
尺寸以英寸（毫米）
(V
CB
= –10
表示
0中，f = 1.0 MHz）的
极性：
VDC ，我
E
=
由阴极频带
––
8.5
C
eb
pF
安装位置：任意
发射极 - 基极电容
––
30
(V
BE
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
重量：的逼近0.011克
输入阻抗
h
ie
k
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F =
和电气特性
1.5
15
最大额定值
1.0千赫）
–4
电压
环境温度，除非另有规定。
h
re
X 10
在25 ℃评分
反馈率
(V
CE
半波，
I
C
=
的电阻
= 1.0千赫）
0.1
8.0
单相
= -10伏直流，
60Hz,
-1.0 MADC ，女
感性负载。
小信号电流增益
h
fe
—
对于容性负载，减免电流20 ％
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
60
500
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
输出导纳
h
oe
μmhos
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
1.0
100
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
最大RMS电压
开关特性
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
小信号特性
案例：模压塑料， SOD- 123H
电流增益 - 带宽积
f
T
,
(I
C
= -20mAdc ，V
CE
终端，每MIL -STD- 750
端子：镀
= -10伏直流， F = 100兆赫）
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
兆赫
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
RMS
14
20
21
28
40
35
42
60
15
1.0
20
225
30
30
40
120
56
80
70
100
105
150
140
200
最大直流阻断电压
CC
= - 30伏直流电，V
EB
= –2.0
DC
V
VDC ，
延迟时间
(V
t
d
30
t
d
t
s
t
f
—
50
—
—
—
最大正向平均整流电流
I
B1
= -15 MADC ）
I
O
上升时间
I
C
= -150mAdc ，
贮存时间
(V
CC
= -30伏直流，我
C
= -150 MADC ，
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
MADC ）
下降时间
I
B1
= I
B2
= –15
典型热阻（注2 ）
R
θJA
3.脉冲测试：脉冲宽度
（注
s;
典型结电容
<300
1)
占空比<2.0 ％ 。
C
J
工作温度范围
存储温度范围
ns
ns
-55到+125
-55到+150
T
J
TSTG
-
65
到+175
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
<2.0 NS
切换时间等效测试电路
– 30 V
V
F
I
R
+ 14V
0
特征
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
+2.0V
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
0.50
< 20纳秒
0.70
200
@T A = 125 ℃
– 30 V
0.5
10
0.85
0.9
0.92
200
注意事项：
0
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
* < 10 pF的
C
S
1.0 k
1.0 k
1N916
2-热阻结点到环境
–16 V
1.0 100μS ，
占空比= 2 ％
C
S
* < 10 pF的
–16 V
+4.0 V
范围上升时间< 4.0ns
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
1.0 100μS ，
占空比= 2 ％
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
通用晶体管
SOD-123
包
典型的瞬态特性
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
30
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
20
高浪涌能力。
C
eb
Guardring过电压保护。
超高速开关。
10
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
7.0
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
C
cb
5.0
无卤素产品的包装代号后缀"H"
3.0
威伦
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.012 （ 0.3 ）典型值。
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10
0.146(3.7)
0.130(3.3)
I
C
/ I
B
= 10
V
CC
= 30 V
Q， CHARGE （ NC）
电容（pF）
0.071(1.8)
0.056(1.4)
Q
T
Q
A
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
2.0
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
反向电压（伏）
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
20
30
50
70
100
200
300
0.031 （ 0.8 ）典型值。
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
100
重量：的逼近0.011克
70
50
图4.充电
（毫米）
尺寸以英寸
数据
100
70
50
I
C
/I
B
= 10
t
r
，上升时间（ NS ）
最大额定值和电气特性
30
T， TIME （ NS ）
在25 ℃的环境温度，除非评级
t
另有规定ED 。
@V
CC
=30V
r
t
r
@V
CC
负载。
单相半波，60赫兹，电感电阻
=10V
30
对于容性负载，减免电流20 ％
t
d
@V
BE （OFF）的
= 2.0V
20
V
CC
= 30V
I
C
/ I
B
=10
评级
t
d
@V
BE （OFF）的
= 0V
20
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
10
7.0
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
200
12
20
14
20
500
13
30
10
21
7.0
30
5.0
10
14
40
28
40
20
15
50
35
50
30
50
16
60
42
60
1.0
70 100
18
80
56
80
200
10
100
70
100
300
115
150
105
150
500
120
200
140
200
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
10
20
30
50
70 100
I
O
300
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
C
，集电极电流（毫安）
FSM
I
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
图5.打开，在
5.0
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
时间
I
C
，集电极电流（毫安）
30
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
图6.上升时间
40
120
典型结电容（注1 ）
200
-55到+125
I
C
/I
B
= 20
-55到+150
-
65
到+175
t
s
，上升时间（ NS ）
100
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
70
V
F
@T A = 125 ℃
50
I
C
/I
B
= 10
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
30
t
s
’ = t
s
– 1/8 t
f
I
B1
= I
B2
2-热阻结点到环境
20
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
2012-06
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
带宽
更好的反向漏电流和耐热性。
= 1.0赫兹
低调的表面安装，以便应用程序
10
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
8
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
= 1.0毫安，R
S
C
保护。
Guardring为
I
过压
= 430
6
I
C
= 500
A,
R
S
= 560
超高速开关。
I
C
= 50
A,
R = 2.7kΩ
芯片，
硅外延平面
R
S
= 1.6
金属硅交界处。
k
I
C
= 100
A,
S
4
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
R
包装代号后缀"G"
2
=最佳源电阻
S
无卤素产品的包装代号后缀"H"
NF ，噪声系数（dB ）
V
CE
= -10伏直流，
批量处理的设计，出色的功耗报价
T
A
= 25°C
SOD-123H
威伦
特点
小信号特性
噪声系数
包
SOD-123
包
无铅机生产线
概要
10
F = 1.0千赫
8
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
NF ，噪声系数（dB ）
6
4
I
C
= 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
0.071(1.8)
0.056(1.4)
2
0
机械数据
0.010.02 0.05 0.1 0.2
环氧树脂： UL94 -V0
0.5 1.0 2.0
额定火焰
5.0 10
阻燃
20
50
100
0
50 100
200
500
1k
2k
5k
10k
20k
F频率（KHZ ）
案例：模压
,
塑料， SOD- 123H
,
图8.频率的影响
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
50k
0.024(0.6)
图9.源电阻的影响
S
0.031 （ 0.8 ）典型值。
R，源电阻（ Ω ）
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
(V
CE
= -10伏直流， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
安装位置：任意
这组曲线图示出了用于这一系列ransistors h的铁和其他“h”的参数之间的关系。要获得这些曲线，
重量：的逼近0.011克
从MMBT4403WT1线，并且在同一单位被用于将相应地开发
高增益和低增益单元被选定
h参数值
每个图的编号曲线。
h
ie
，输入阻抗（ kΩ的）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
700
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
500
对于容性负载，减免电流20 ％
h
fe
，电流增益
300
1000
最大额定值和电气特性
100
50
20
10
5
MMBT4403WT1 UNIT 1
MMBT4403WT1 UNIT 2
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
200
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
100
最大直流阻断电压
70
50
最大正向平均整流电流
MMBT4403WT1 UNIT 1
V
RMS
MMBT4403WT1 UNIT 2
V
RRM
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
2
21
1
30
0.5
0.2
0.1
0.1
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
0.1
0.2 0.3
0.5
法）
叠加在额定负荷（ JEDEC
0.7 1.0
2.0
3.0
I
FSM
2.0
3.0
7.0 5.0
10
7.0 5.0
10
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
I
C
，集电极
典型热阻（注2 ）
CURRENT （ MADC ）
R
θJA
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
–4
)
图10.电流增益
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
10
5.0
20
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
h
oe
，输出导纳（
μmhos ）
500
I
C
，集电极电流（ MADC ）
40
图11.输入
120
阻抗
-55到+150
-
65
到+175
特征
MMBT4403WT1 UNIT 1
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
1.0
0.5
MMBT4403WT1 UNIT 2
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
符号
100
V
F
I
R
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
0.5
10
MMBT4403WT1 UNIT 1
MMBT4403WT1 UNIT 2
@T A = 125 ℃
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图12.电压反馈比例
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图13.输出导纳
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
FM1200-M
通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
耗散报价
批量处理的设计，卓越的动力
静态特性
威伦
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
h
FE
归一化电流增益
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
3.0
低功耗，高效率。
V = 1.0 V
能力，低正向电压降。
HIGH CURRENT
CE
2.0
能力。
高浪涌
V
CE
= 10 V
Guardring过电压保护。
超高速开关。
1.0
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
0.7
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.5
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.3
T
J
= 125°C
25°C
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
–55°C
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
0.2
塑料， SOD- 123H
案例：模压
0.3
0.1
0.2
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
0.031 （ 0.8 ）典型值。
30
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
电流（mA ）
我，收藏家
方法2026
50
70
100
20
300
0.031 （ 0.8 ）典型值。
500
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
1.0
重量：的逼近0.011克
0.8
图14.直流电流增益
尺寸以英寸（毫米）
C
最大额定值和电气特性
100mA
500mA
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单身
0.6
相半波，
mA
感性负载。
I
C
=1.0
60HZ ，阻性
10毫安
对于容性负载，减免电流20 ％
0.4
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
0.2
最大RMS电压
最大直流阻断电压
0
0.02 0.03
0.05
最大
0.005 0.01
正向平均整流电流
0.07
V
RRM
V
RMS
V
DC
0.1
0.2
I
O
0.3
12
20
14
20
0.5
13
30
21
30
0.7
1.0
14
40
28
40
2.0
15
50
35
50
3.0
5.0
16
60
42
60
7.0
1.0
10
18
80
56
80
20
10
100
70
100
30
50
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I，基极电流（毫安）
B
I
FSM
图15.集电极饱和区
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
30
40
120
典型热阻（注2 ）
10
典型结
25°C
T =
电容（注1 ）
+ 0.5
-55到+150
工作温度范围
J
-55到+125
0
-
对于V
+175
θ
VC
65
to
CE （ SAT ）
系数（毫伏/ ℃）
V
0.8
存储温度范围
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
V，电压（V ）
0.6
特征
BE
CE
最大正向电压在1.0A DC
V @V
=1.0 V
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
– 0.5
V
F
I
R
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
0.4
–1.0
–1.5
–2.0
– 2.5
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
@T A = 125 ℃
注意事项：
0.2
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
V
@ I /I =10
2-热阻结点到环境
0
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
CE （ SAT ）
C
B
θ
VS
对于V
BE
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图16为“ON”电压
图17.温度系数
I
C
，集电极电流（毫安）
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
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