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MMBT4403W
公司Bauelemente
符合RoHS产品
PNP硅
开关晶体管
A
L
集热器
3
顶视图
1
BASE
1
3
SOT-323
暗淡
A
B·S
1.800
1.150
最大
2.200
1.350
1.000
0.400
1.400
0.100
0.250
0.500
0.720
2.400
0.420
B
C
D
G
H
J
K
J
0.800
0.300
1.200
0.000
0.100
0.350
0.590
2.000
0.280
V
2
G
C
D
H
2
辐射源
K
L
S
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
–40
–40
–5.0
–600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
V
单位:mm外形尺寸
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局( 1 )
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
200
1.8
R
q
JA
PD
556
200
2.4
R
q
JA
TJ , TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT4403W =
K3T,
2T
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 3 )
( IC = -1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(IC = -0.1 MADC ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
( IE = -0.1 MADC , IC = 0)
基地截止电流
( VCE = -35伏直流, VEB = -0.4 V直流)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = -35伏直流, VEB = -0.4 V直流)
1, FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
m
S,占空比
2.0%.
V( BR ) CEO
–40
V( BR ) CBO
–40
V( BR ) EBO
–5.0
IBEV
ICEX
–0.1
–0.1
μAdc
μAdc
VDC
VDC
VDC


 
v
v
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
5
MMBT4403W
公司Bauelemente
PNP硅
开关晶体管
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -0.1 MADC , VCE = -1.0 V直流)
( IC = -1.0 MADC , VCE = -1.0 V直流)
( IC = -10 MADC , VCE = -1.0 V直流)
(IC = -150 MADC , VCE = -2.0伏)(3)
(IC = -500 MADC , VCE = -2.0伏)(3)
集电极 - 发射极饱和电压( 3 )
( IC = -150 MADC , IB = -15 MADC )
( IC = -500 MADC , IB = -50 MADC )
基地 - 发射极饱和电压( 3 )
( IC = -150 MADC , IB = -15 MADC )
( IC = -500 MADC , IB = -50 MADC )
的hFE
30
60
100
100
20
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
–0.75
–0.95
–1.3
–0.4
–0.75
VDC
300
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = -20 MADC , VCE = -10伏直流, F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
( VCB = -10伏直流, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
发射极 - 基极电容
( VBE = -0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
输入阻抗
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫)
电压反馈比例
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫)
小 - 信号电流增益
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫)
输出导纳
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫)
fT
200
建行
CEB
缺氧缺血性脑病
1.5
HRE
0.1
的hFE
60
HOE
1.0
100
500
8.0
15
X 10– 4
30
k
8.5
pF
pF
兆赫
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
3.脉冲测试:脉冲宽度
(
( VCC = -30伏直流, VEB = -2.0伏,
,
,
IC = -150 MADC , IB1 = -15 MADC )
(
( VCC = -30伏直流, IC = -150 MADC ,
,
,
IB1 = IB2 = -15 MADC )
td
tr
ts
tf
15
ns
20
225
ns
30
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
开关时间等效测试电路
– 30 V
& LT ; 2纳秒
+2 V
0
1.0 k
– 16 V
10至100
s,
占空比= 2 %
CS * < 10 pF的
200
+14 V
0
1.0 k
–16 V
1.0-100
s,
占空比= 2 %
CS * < 10 pF的
< 20纳秒
– 30 V
200
+ 4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启,关闭时间
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MMBT4403W
公司Bauelemente
PNP硅
开关晶体管
暂态特性
25°C
30
20
100°C
10
7.0
5.0
CEB
3.0
VCC = 30 V
IC / IB = 10
电容(pF)
Q, CHARGE ( NC)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
建行
QT
QA
2.0
0.1
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
10
20
30
50
70
100
200
300
500
反向电压( V)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3的电容
图4.收费数据
100
70
50
IC / IB = 10
100
70
50
TR @ VCC = 30 V
TR @ VCC = 10 V
TD @ VBE (关闭) = 2 V
TD @ VBE (关闭) = 0
VCC = 30 V
IC / IB = 10
t
r
,上升时间( NS )
T, TIME ( NS )
30
20
30
20
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.上升时间
200
IC / IB = 10
TS “ ,存储时间(纳秒)
100
70
50
IB1 = IB2
ts
TS = - 1/8 TF
30
20
IC / IB = 20
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
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MMBT4403W
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PNP硅
开关晶体管
噪声系数
VCE = -10伏直流, TA = 25℃
带宽= 1.0赫兹
10
10
F = 1千赫
小信号特性
NF ,噪声系数(dB )
6
4
IC = 1.0 mA时, RS = 430
IC = 500
A,
RS = 560
IC = 50
A,
RS = 2.7千欧
IC = 100
A,
RS = 1.6千欧
NF ,噪声系数(dB )
8
8
6
4
IC = 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
2
RS =最佳源电阻
2
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k 20 k
50 k
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(欧姆)
图8.频率的影响
图9.源电阻的影响
h参数值
VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫, TA = 25℃
这组图形示出的关系
从MMBT4403W线,并且在同一单元中选择
HFE等“ H”参数,这个系列的晶体管。对
用于开发的对应编号的曲线
获得这些曲线,高增益和低增益单元分别
在每幅图。
1000
700
500
100 k
50 k
MMBT4403W UNIT 1
MMBT4403W UNIT 2
h
je
,输入阻抗(欧姆)
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
h
fe
,电流增益
300
200
MMBT4403W UNIT 1
MMBT4403W UNIT 2
100
70
50
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
I
C
,集电极电流( MADC )
I
C
,集电极电流( MADC )
图10.电流增益
20
500
MMBT4403W UNIT 1
MMBT4403W UNIT 2
图11.输入阻抗
h
re
电压反馈比率( X10
-4
)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
h
oe
,输出导纳( μ姆欧)
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403W UNIT 1
MMBT4403W UNIT 2
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流( MADC )
I
C
,集电极电流( MADC )
图12.电压反馈比例
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图13.输出导纳
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MMBT4403W
公司Bauelemente
PNP硅
开关晶体管
静态特性
3.0
h
FE
归一化电流增益
2.0
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
– 55°C
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
图14.直流电流增益
1.0
V
ce
,集电极 - 发射极电压( V)
0.8
0.6
IC = 1.0毫安
0.4
10毫安
百毫安
500毫安
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IB ,基极电流(毫安)
图15.集电极饱和区
1.0
0.8
TJ = 25°C
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE (星期六) @ VCE = 10 V
0.5
0
系数(MV /
°
C
)
q
VC的VCE (SAT)
0.5
1.0
1.5
2.0
电压(V)的
0.6
0.4
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
500
q
VS的VBE
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
500
2.5
0.1 0.2
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图16为“ON”电压
图17.温度系数
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SMD型
开关晶体管
MMBT4403W
特点
开关晶体管。
PNP硅。
晶体管
IC
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗FR- 5局
热阻,结到环境
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
R
θJA
T
j
T
英镑
等级
-40
-40
-5
-600
150
833
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
/W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
MMBT4403W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
符号
Testconditons
晶体管
IC
-40
-40
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= -1.0毫安,我
B
= 0
V
( BR ) CBO
I
C
= -0.1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= -0.1毫安,我
C
= 0
I
BEV
I
CEX
V
CE
= -35 V, V
EB
= -0.4 V
V
CE
= -35 V, V
EB
= -0.4 V
I
C
= -0.1毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -10毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -150毫安,V
CE
= -2.0 V *
I
C
= -500毫安,V
CE
= -2.0 V *
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
-0.1
-0.1
30
60
100
100
20
ìA
ìA
直流电流增益
H
FE
300
-0.4
-0.75
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE(
SAT )
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试:脉冲宽度
300微秒,占空比
V
BE (
SAT )
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
-0.75
V
-0.95
-1.3
f
T
C
Cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
2.0%.
I
C
= -20毫安,V
CE
= -10 V , F = 100 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
BE
= -0.5 V,I
C
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
V
CC
= -30 V, V
EB
= -2.0 V,
I
C
= -150毫安,我
B1
= -15毫安
V
CC
= -30 V,I
C
= -150毫安,
I
B1
= I
B2
= -15毫安
200
8.5
30
1.5
0.1
60
1.0
15
8.0
500
兆赫
pF
pF
k
X 10
-4
100 ìmhos
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
记号
记号
2T
2
www.kexin.com.cn
MMBT4403W
PNP通用开关晶体管
电压
特点
PNP硅外延,平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= -40V
集电极电流I
C
=-600mA
免费( NPN )设备: MMBT4401W
40V
动力
200mW
机械数据
案例: SOT- 323
码头:每MIL -STD- 202方法208
大约重量: 0.02克
标记: M3W
顶视图
3
集热器
1
BASE
3
集热器
1
BASE
2
辐射源
2
辐射源
绝对最大额定值
参数
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最大功率耗散(注1 )
结温和存储温度范围
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
J
, T
英镑
-40
-40
-5.0
-600
200
-55到150
V
V
V
mA
mW
热特性
参数
符号
价值
单位
热阻,结到环境(注1 )
R
θJ一
625
℃/W
注1 :晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062使用最小建议垫。
MMBT4403W
电气特性(T
J
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
( BR )
我CE0
C
= -1.0mA ,我
B
=0
V
( BR )
我CB0
C
= -100uA ,我
E
=0
V
( BR )
EB0我
E
= -100uA ,我
C
=0
I
BEV
I
CEX
V
CE
=-35V, V
EB
=-0.4V
V
CE
=-35V, V
EB
=-0.4V
I
C
= -0.1mA ,V
CE
=-1.0V
I
C
= -1.0mA ,V
CE
=-1.0V
-40
-40
-5.0
-
-
30
60
100
100
20
-
-
-0.75
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-100
-100
-
-
-
300
-
-0.4
-0.75
-0.95
-1.3
-
8.5
30
15
20
225
30
V
V
V
nA
nA
直流电流增益
h
FE
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1.0V
I
C
= -150mA ,V
CE
=-2.0V
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2.0V
I
C
= -150mA ,我
B
= -15毫安
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ,我
B
=-15mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -20mA ,V
CE
=-10V,
f=100MHz
V
CB
= -5.0V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= -0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
=-30V, V
BE
=-2.0V,
I
C
= -150mA ,我
B1
=-15mA
V
CC
= -30V ,我
C
=-150mA,
I
B1
=I
B2
=15mA
-
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
V
基地 - 发射极饱和电压
V
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
切换时间等效测试电路
-30V
-30V
200
< 2ns的
0
+2V
1.0K
C
S
< 10pF的
1N916
1 100us的
占空比= 2.0 %
0
1N916
+4V
<20ns
+14V
200
1.0K
C
S
< 10pF的
-16V
10为100ns
占空比= 2.0 %
-16V
图。 1 。
开启时间
图。 2.开启,关闭时间
MMBT4403W
电气特性曲线
400
350
300
的hFE
250
200
150
100
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
V
CE
= 10V
0.900
0.800
0.700
T
J
= 25C
T
J
= 100
C
V
BE
(上)
0.600
0.500
0.400
0.300
0.200
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
T
J
= 100C
T
J
=150C
图。 3.典型
FE
VS集电极电流
0.500
0.450
0.400
I
C
/I
B
= 10
图。 4.典型的V
BE
VS集电极电流
100
C
IB
( EB)的
电容(pF)
0.350
V
CE
(SAT)
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
T
J
= 25C
T
J
= 150C
10
C
OB
( CB )
1
0.1
1
10
100
反向电压( V)
图。 5.典型的V
CE
(坐)与集电极电流
图。 6.典型的电容VS反向电压
MMBT4403W
RECOMMENTED焊盘布局
订购信息
MMBT4403W T / R 7 - 7 “卷轴, 3000个/卷
MMBT4403W T / R13 - 13 “卷10000个/卷
版权所有强茂国际, 2005年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。的规格和
本文信息如有更改,恕不另行通知。强茂不作任何保证,声明或
保证对其产品是否适合任何特定用途。强茂产品未被授权
用于生命支持设备或系统使用。强茂并没有在其专利权利或权利的任何许可
其他人。
产品speci fi cation
MMBT4403W
特点
开关晶体管。
PNP硅。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗FR- 5局
热阻,结到环境
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
R
θJA
T
j
T
英镑
等级
-40
-40
-5
-600
150
833
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
/W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
产品speci fi cation
MMBT4403W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
符号
Testconditons
-40
-40
-5
-0.1
-0.1
30
60
100
100
20
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
( BR ) CEO
I
C
= -1.0毫安,我
B
= 0
V
( BR ) CBO
I
C
= -0.1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= -0.1毫安,我
C
= 0
I
BEV
I
CEX
V
CE
= -35 V, V
EB
= -0.4 V
V
CE
= -35 V, V
EB
= -0.4 V
I
C
= -0.1毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -10毫安,V
CE
= -1.0 V
I
C
= -150毫安,V
CE
= -2.0 V *
I
C
= -500毫安,V
CE
= -2.0 V *
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试:脉冲宽度
300微秒,占空比
V
BE (
SAT )
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
f
T
C
Cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
2.0%.
I
C
= -20毫安,V
CE
= -10 V , F = 100 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
BE
= -0.5 V,I
C
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -10 V , F = 1.0千赫
V
CC
= -30 V, V
EB
= -2.0 V,
I
C
= -150毫安,我
B1
= -15毫安
V
CC
= -30 V,I
C
= -150毫安,
I
B1
= I
B2
= -15毫安
1.5
0.1
60
1.0
200
8.5
30
15
8.0
500
100 ìmhos
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
-0.75
直流电流增益
H
FE
300
-0.4
-0.75
-0.95
-1.3
兆赫
pF
pF
k
X 10
-4
V
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE(
SAT )
记号
记号
2T
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4008-318-123
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBT4403W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MMBT4403W
ON
21+
19200
SC-70-3 / SOT-323-3
原装正品
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电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
MMBT4403W
ST
1148+
50000
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中国唯一指定代理商√√√特价!特价!
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MMBT4403W
信科特
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
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地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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强茂
13
3000
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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