MMBT4403LT1
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设备
MMBT4403LT1
MMBT4403LT1G
MMBT4403LT3
包
SOT- 23 （ TO- 236 ）
SOT- 23 （ TO- 236 ）
（无铅）
SOT- 23 （ TO- 236 ）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
开关时间等效测试电路
30 V
＆ LT ; 2纳秒
+2 V
0
1.0 KW
16 V
10至100
女士，
占空比= 2 ％
C
S
* < 10 pF的
200
W
+14 V
0
16 V
< 20纳秒
30 V
200
W
1.0 KW
1.0-100
女士，
占空比= 2 ％
C
S
* < 10 pF的
+4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
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3
MMBT4403LT1
小信号特性
噪声系数
V
CE
= -10伏直流，T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 430
W
I
C
= 500
毫安，
R
S
= 560
W
I
C
= 50
毫安，
R
S
= 2.7千瓦
I
C
= 100
毫安，
R
S
= 1.6千瓦
NF ，噪声系数（dB ）
10
F = 1千赫
8
6
6
4
2
4
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
R
S
=最佳源电阻
2
0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k 20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图8.频率的影响
图9.源电阻的影响
h参数值
V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得
这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4403LT1线被选中，并且在同一单位被用来
制定每个图上的相应编号的曲线。
1000
700
500
hFE参数，电流增益
300
200
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100 k
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100
70
50
30
0.1
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图10.电流增益
重，电压反馈比例（ X 10
4
)
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
500
图11.输入阻抗
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图12.电压反馈比例
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5
图13.输出导纳
MMBT4403LT1G
开关晶体管
PNP硅
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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集热器
3
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
价值
40
40
5.0
600
900
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
1
2
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
标记图
2T M
G
G
1
2T
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*瞬态脉冲，绝不能导致超过结温。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
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设备
MMBT4403LT1G
MMBT4403LT3G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
SOT- 23万带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
9牧师
1
出版订单号：
MMBT4403LT1/D
MMBT4403LT1G
h参数值
V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得
这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4403LT1线被选中，并且在同一单位被用来
制定每个图上的相应编号的曲线。
100 k
50 k
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图9.输入阻抗
20
重，电压反馈比例（ X 10
-4
)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
500
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图10.电压反馈比例
图11.输出导纳
http://onsemi.com
4
MMBT4403LT1G
静态特性
450
400
^ h FE ， DC电流增益
350
300
250
25°C
200
150
100
50
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
1
- 55°C
T
J
= 150°C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 1.0 V
图12.直流电流增益
1.2
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
I
C
= 1.0毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
I
b
，基极电流（毫安）
1
10
100
10毫安
百毫安
500毫安
图13.集电极饱和区
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和电压（ V）
0.35
I
C
/I
B
= 10
0.30
0.25
150°C
0.20
0.15
0.10
-55°C
0.05
0
0.0001
0.1
0.01
0.001
I
C
，集电极电流（ A）
1
25°C
系数（MV /
°
C)
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1 0.2
q
VS
对于V
BE
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
0.5
50 100 200
1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图14.集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图15.温度系数
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