MMBT4403
公司Bauelemente
PNP硅
开关晶体管
小信号特性
噪声系数
V
CE
= -10伏直流，T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 430
W
I
C
= 500
毫安，
R
S
= 560
W
I
C
= 50
毫安，
R
S
= 2.7千瓦
I
C
= 100
毫安，
R
S
= 1.6千瓦
NF ，噪声系数（dB ）
10
F = 1千赫
8
6
6
4
2
4
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
R
S
=最佳源电阻
2
0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k 20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图8.频率的影响
图9.源电阻的影响
h参数值
V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 255C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他h参数，这个系列的晶体管。 T O服务获得
这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4403线被选中，并且在同一单位被用来
制定每个图上的相应编号的曲线。
1000
700
500
hFE参数，电流增益
300
200
MMBT4403 UNIT 1
MMBT4403 UNIT 2
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
100 k
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403 UNIT 1
MMBT4403 UNIT 2
100
70
50
30
0.1
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图10.电流增益
20
HRE ，电压反馈RATIO （ ×10
- 4
)
MMBT4403 UNIT 1
MMBT4403 UNIT 2
锄头，输出导纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
500
图11.输入阻抗
100
50
20
10
5.0
2.0
1.00.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403 UNIT 1
MMBT4403 UNIT 2
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图12.电压反馈比例
http://www.SeCoSGmbH.com
图13.输出导纳
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军， 2004年修订版
B
页面
3
of
4
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBT4403
特点
工作和存储结温度： -55 150
能功率耗散350mWatts的
表面贴装SOT- 23封装
Ic=-600mA
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记： 2T / M3A
PNP一般
用途放大器
SOT-23
A
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100μAdc ，我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mAdc的，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
输入电容
(V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0 ， F = 1.0MHz的）
延迟时间
(V
CC
= 3.0VDC ，V
BE
=2.0Vdc
上升时间
I
C
= 150mAdc ，我
B1
=15mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 3.0VDC ，我
C
=150mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
40
40
5.0
0.1
0.1
最大
单位
C
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
G
F
E
C
B
B
E
H
J
K
尺寸
英寸
民
最大
.110
.120
.083
.098
.047
.055
.035
.041
.070
.081
.018
.024
.0005
.0039
.035
.044
.003
.007
.015
.020
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
基本特征
h
FE
30
60
100
100
20
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
300
V
CE （ SAT ）
0.4
0.75
0.75
0.95
1.30
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
小信号特性
f
T
C
cb
C
eb
200
8.5
30.0
15
20
225
30
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
.035
.900
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.079
2.000
英寸
mm
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修订版：A
1 4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
3
MMBT4403
晶体管（ PNP ）
特点
开关晶体管
记号
：MMBT4403=2T
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-40
-5
-0.6
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
SOT-23
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
TEST
条件
民
-40
-40
-5
-0.1
-0.1
-0.1
100
300
-0.4
-0.95
200
V
V
兆赫
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
CE
= -35 V，I
B
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
= -150mA
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA
I
C
= - 150毫安，我
B
=-15mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -20mA
f
T
f =
100MHz
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBT4403
PNP通用
扩音器
描述
在UTC
MMBT4403
被设计为使用作为通用
放大器和开关需要集电极电流高达500mA 。
3
1
PNP硅晶体管
3
2
1
SOT-23
2
SOT-323
订购信息
正常
MMBT4403-AE3-R
MMBT4403-AL3-R
订购数量
无铅
MMBT4403L-AE3-R
MMBT4403L-AL3-R
无卤
MMBT4403G-AE3-R
MMBT4403G-AL3-R
包
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
记号
2T
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R206-034.F
MMBT4403
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
评级
单位
-40
V
-40
V
-5
V
-600
mA
350
mW
P
C
2.8
毫瓦/°C的
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注1：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询
周期操作。
热数据
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
结到环境
符号
θ
JA
评级
357
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
集电极 - 发射极击穿
BV
首席执行官
I
C
= -1mA ，我
B
=0
电压（注）
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= -0.1mA ，我
C
=0
集电极截止电流
I
CEX
V
CE
=-35V, V
EB
=-0.4V
底座截止电流
I
BEX
V
CE
=-35V, V
BE
=-0.4V
基本特征*
h
FE1
V
CE
=-1V,I
C
=-0.1mA
h
FE2
V
CE
=-1V,I
C
=-1mA
直流电流增益
h
FE3
V
CE
=-1V,I
C
=-10mA
h
FE4
V
CE
= -2V ，我
C
= -150mA （注）
V
CE
= -2V ，我
C
= -500mA （注）
h
FE5
V
CE(SAT1)
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE(SAT2
) I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
BE(SAT1)
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA(Note)
基射极饱和电压
V
BE(SAT2
) I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
小信号特性
跃迁频率
f
T
V
CE
= -10V ，我
C
= -20mA ， F = 100MHz的
集电极 - 基极电容
C
CB
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 140KHz
发射极 - 基极电容
C
EB
V
BE
= -0.5V ，我
C
= 0中，f = 140KHz
输入阻抗
h
IE
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA中，f = 1kHz时
电压反馈比例
h
RE
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA中，f = 1kHz时
小信号电流增益
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA中，f = 1kHz时
输出导纳
h
OE
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA中，f = 1kHz时
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA我
B1
=-15mA
上升时间
t
R
贮存时间
t
S
V
CC
= -30V ，我
C
=-150mA
I
B1
= I
B2
=-15mA
下降时间
t
F
注：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比≦ 2 ％
民
-40
-40
-5
-0.1
-0.1
30
60
100
100
20
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
300
-0.4
-0.75
-0.95
-1.3
V
V
-0.75
200
8.5
30
15
8
500
100
15
20
225
30
1.5
0.1
60
1.0
兆赫
pF
pF
k
×10
-4
μmbos
ns
ns
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R206-034.F
MMBT4403
测试电路
-30V
200
Ω
0
≤220ns
PNP硅晶体管
-16V
1KΩ
50Ω
图1.饱和导通开关计时器
1.5V -6V
注： BV
EBO
=5V
0
≤220ns
1k
1KΩ
50Ω
37Ω
-30V
图2.饱和关断开关计时器
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R206-034.F
MMBT4403
典型特征
集电极 - 发射极电压，V
CE （ SAT ）
(V)
PNP硅晶体管
直流电流增益，H
FE
基极 - 发射OnVoltage ，V
BE （ON）的
(V)
-100
集电极截止电流
- 环境温度
V
CB
=-35V
-10
电容（pF）
16
12
8
COB
4
0
-0.1
兴业银行
20
输入和输出
电容与反向偏置电压
-1
-0.1
-0.01
25
50
75
100 125
环境温度，T
A
(℃)
集电极电流，I
CBO
（ nA的）
基射极电压，V
BE （ SAT ）
(V)
-1
-10
-50
反向偏置电压（V）的
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R206-034.F
MMBT4403
PNP硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R206-034.F
麻布
通用扩增fi er
■
特点
●
集电极电流500mA的
晶体管
2SA205 （ MMBT4403 ）
PNP
- 40V - 0.5A
单位：mm
■
原理图
3 C
SOT-23
2.9±0.1
0.425±0.075
0.6
1.2±0.2
1 E
2
1.9±0.2
1
2.4±0.35
0.1
2 B
3
■
订购信息
TYPE
2SA205H
2SA205S
封装引脚1,2,3马克·航运
SOT - 23 E， B，C TA5 3kpcs / Reel&Tape
TO-92
E， B，C TA5 3kpcs / Reel&Tape
H
00.15
1.2±0.
2
TO-92
4.55±0.15
3.5±0.2
■
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家功率2SA205H
2SA205S
耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
j
T
英镑
极限
-40
-40
-5.0
-500
350
625
150
-55到+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
1.27TYP
4.5±0.2
14.3±0.2
1.6Max
0 0.38
3.43Max
℃
℃
S
0.465±0.085
2.54±0.1
0.435±0.075
■
电气特性（Ta = 25℃）
N指标
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
BEX
V
CE（坐
)
h
FE
f
T
COB
分钟。
-40
-40
-5.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
条件
I
C
=0.1mA,I
E
=0
I
C
=1.0mA,I
B
=0
I
E
=0.1A,I
C
=0
V
CE
=35V,V
BE
=0.4V
V
CE
=35V,V
EB
=0.4V
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-150mA,V
CE
=-2.0V
I
E
=50mA,V
CE
= -20V F = 100MHz的
V
CB
=10V,I
E
=0
f=140kHz
90
200
-0.1
-0.1
-0.75
365
8.5
麻布
1/1
1.25±0.15
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
2N4403 / MMBT4403
2N4403
MMBT4403
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2T
B
PNP通用放大器
这种装置是专为用作通用放大器
并切换需要集电极电流为500毫安。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
40
40
5.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4403
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4403
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001年仙童半导体公司
2N4403 / MMBT4403 ，版本C
2N4403 / MMBT4403
PNP通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极EMITTE 电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.5
β
= 10
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125
°
C
- 40
°
C
400
300
200
100
0
0.1
125 °C
25 °C
25 °C
- 40 °C
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
500
V
BE （ON）的
- BAS ê发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
- 40
°
C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
- 40
°
C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25 °C
25 °C
125
°
C
β
= 10
125°C
V
CE
= 5V
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
1
10
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
V
CB
= 35V
10
输入和输出电容
VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
IB
1
8
4
0
0.1
OB
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
10
反向偏置电压（V）的
50
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBT4403
表面贴装SOT- 23封装
能功率耗散350mWatts的
C
引脚配置
顶视图
PNP一般
用途放大器
SOT-23
A
D
2T
B
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100μAdc ，我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mAdc的，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
输入电容
(V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0 ， F = 1.0MHz的）
延迟时间
(V
CC
= 3.0VDC ，V
BE
=2.0Vdc
上升时间
I
C
= 150mAdc ，我
B1
=15mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 3.0VDC ，我
C
=150mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
40
40
5.0
0.1
0.1
最大
单位
VDC
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
VDC
VDC
μAdc
μAdc
G
F
E
C
B
H
J
基本特征
h
FE
30
60
100
100
20
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
300
V
CE （ SAT ）
0.4
0.75
0.75
0.95
1.30
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
小信号特性
f
T
C
cb
C
eb
200
8.5
30.0
15
20
225
30
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
.035
.900
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
先进的信息
先进的信息
MMBT4403
小信号晶体管（ PNP ）
SOT-23
.122 (3.1)
.118 (3.0)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
特点
¨
PNP硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。
顶视图
¨
互补型的NPN
晶体管MMBT4401建议。
¨
这种晶体管也可在TO- 92例
类型名称2N4403 。
1
2
最大。 0.004 （0.1）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
标识代码：
2T
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1 =基地， 2 =发射器， 3 =收藏家。
最大额定值和热特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
价值
单位
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗FR- 5局， * T
A
=25°C
减免上述25℃
功耗氧化铝基板， **吨
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
FR- 5局
氧化铝基板
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
40
40
5.0
600
225
1.8
300
2.4
556
417
150
-55到+150
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
P
合计
R
qJA
T
j
T
S
结温
存储温度范围
* FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
**氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2/17/99
MMBT4403
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
分钟。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
日易迪
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
日易迪
C
= 1毫安，我
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
日易迪
E
= 0.1毫安，我
C
= 0
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
日易迪
C
= 150毫安， -I
B
= 15毫安
日易迪
C
= 500毫安，二
B
= 50毫安
基射极饱和电压
(1)
日易迪
C
= 150毫安， -I
B
= 15毫安
日易迪
C
= 500毫安，二
B
= 50毫安
集电极 - 发射极截止电流
在DV
EB
= 0.4 V, V
CE
= 35 V
发射基截止电流
在DV
EB
= 0.4 V, V
CE
= 35 V
直流电流增益
在DV
CE
= 1 V ， -I
C
=
在DV
CE
= 1 V ， -I
C
=
在DV
CE
= 1 V ， -I
C
=
在DV
CE
= 2 V ，二
C
=
在DV
CE
= 2 V ，二
C
=
0.1毫安
1毫安
10毫安
150毫安
500毫安
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
I
CEX
I
BEV
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
ie
f
T
C
CBO
C
EBO
40
40
5.0
0.75
30
60
100
100
20
1.5
200
0.40
0.75
0.95
1.30
100
100
300
15
8.5
30
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nA
nA
kW
兆赫
pF
pF
输入阻抗
在DV
CE
= 10 V ，二
C
= 1毫安中，f = 1千赫
电流增益带宽积
在DV
CE
= 10 V ，二
C
= 20 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容
在DV
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容
在DV
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1MHz时，
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度 300米占空比 2 ％
MMBT4403
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
外延平面片建设
互补NPN类型可用
(MMBT4401)
适用于中等功率放大和
开关
E
SOT-23
A
C
B
B
顶视图
E
D
G
H
K
J
L
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K2T
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（约）
C
B
E
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBT4403
-40
-40
-5.0
-600
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS30058修订版3 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBT4403
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
-40
-40
-5.0
30
60
100
100
20
-0.75
1.5
0.1
60
1.0
200
最大
-100
-100
300
-0.40
-0.75
-0.95
-1.30
8.5
30
15
8.0
500
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100mA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -100mA ，我
C
= 0
V
CE
= -35V, V
EB （O FF ）
= -0.4V
V
CE
= -35V, V
EB （O FF ）
= -0.4V
I
C
= -100μA ，V
CE
=
I
C
= -1.0mA ，V
CE
=
I
C
= -10mA ，V
CE
=
I
C
= -150mA ，V
CE
=
I
C
= -500mA ，V
CE
=
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-2.0V
-2.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= -150mA ，我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -150mA ，我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= -10V ，我
C
= -1.0mA ，
F = 1.0kHz
V
CE
= -10V ，我
C
= -20mA ，
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA ，
V
BE （OFF）的
= -2.0V ，我
B1
= -15mA
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA
订购信息
设备
MMBT4403-7
注意：
（注3）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2T
K2T =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30058修订版3 - 2
2 3
www.diodes.com
YM
MMBT4403
QQ：2881677436 复制
