【MMBT4401LT1首选设备开关晶体管NPN硅特点无铅包装是否可用最大额定值等级集电极发射极电压集】,IC型号MMBT4401LT1G,MMBT4401LT1G PDF资料,MMBT4401LT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT4401LT1

首选设备

开关晶体管

NPN硅

特点

无铅包装是否可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

40

60

6.0

600

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

3

1

BASE

2

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5委员会（注1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

R

qJA

P

D

556

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55

+150

单位

mW

3

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

2

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

类型6

标记图

2X

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

2X =具体设备守则

D =日期代码

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 第4版

出版订单号：

MMBT4401LT1/D

MMBT4401LT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

基本特征（注3 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

集电极 - 基极电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

发射极 - 基极电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

EB

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

250

C

cb

C

eb

h

ie

1.0

h

re

0.1

h

fe

40

h

oe

1.0

30

500

毫姆欧

8.0

15

X 10

4

30

kW

6.5

pF

兆赫

h

FE

20

40

80

100

40

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.75

0.95

1.2

0.4

0.75

VDC

300

V

（ BR ） CEO

40

V

（ BR ） CBO

60

V

（ BR ） EBO

6.0

I

BEV

I

CEX

0.1

MADC

VDC

符号

民

最大

单位

VDC

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

MMBT4401LT1

订购信息

设备

MMBT4401LT1

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT3

包

SOT- 23 （ TO- 236 ）

（无铅）

SOT- 23 （ TO- 236 ）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

+30 V

200

W

C

S

* < 10 pF的

4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MMBT4401LT1

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

Q， CHARGE （ NC）

C

敖包

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

Q

A

10

20

200

50 70 100

30

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

Q

T

100°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

0.2 0.3 0.5

2.0 3.0 5.0

10

1.0

反向电压（伏）

20 30

50

图3的电容

图4.收费数据

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升和下降时间

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

10

20

30

50

70

100

200

300

500

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

http://onsemi.com

4

MMBT4401LT1

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

4.0

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k

R

S

，源电阻（欧姆）

50 k 100 k

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组曲线图的图示H中的关系

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得

这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4401LT1线被选中，并且在同一单位被用来

制定每个图上的相应编号的曲线。

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

20 k

10 k

5.0 k

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

100

70

50

30

20

0.1

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

10

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.1

图12.输入阻抗

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

http://onsemi.com

5

图14.输出导纳

MMBT4401LT1G

开关晶体管

NPN硅

特点

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

集热器

3

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

连续

集电极电流

PEAK

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

价值

40

60

6.0

600

900

单位

VDC

MADC

1

2

3

1

BASE

2

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ） @T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板（注2 ） @T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

标记图

R

qJA

P

D

2X M

G

2X =具体设备守则

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

R

qJA

T

J

, T

英镑

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

*瞬态脉冲，绝不能导致超过结温。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

订购信息

设备

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

， 2010年7月

9牧师

1

出版订单号：

MMBT4401LT1/D

MMBT4401LT1G

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（注3 ）

集热器

： BASE

击穿电压

辐射源

： BASE

击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注3）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

h

FE

20

40

80

100

40

0.75

300

0.4

0.75

0.95

1.2

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

60

6.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

集热器

：辐射源

饱和电压

V

CE （ SAT ）

VDC

BASE

：辐射源

饱和电压

V

BE （ SAT ）

VDC

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

输入阻抗

电压反馈比例

小

“信号

电流增益

输出导纳

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

EB

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

250

1.0

0.1

40

1.0

6.5

30

15

8.0

500

30

兆赫

pF

kW

X 10

4

毫姆欧

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

切换时间等效测试电路

+ 30 V

+16 V

0

- 2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

-14 V

< 20纳秒

1.0 KW

C

S

* < 10 pF的

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

+ 30 V

200

W

- 4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

http://onsemi.com

2

MMBT4401LT1G

暂态特性

25°C

10

7.0

5.0

3.0

Q， CHARGE （ NC）

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

10

20

200

50 70 100

30

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

Q

T

100°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

Q

A

图3.充电数据

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

t

r

50

30

20

t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

图4.开启时间

图5.上升和下降时间

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

- 1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.储存时间

图7.下降时间

http://onsemi.com

3

MMBT4401LT1G

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k

R

S

，源电阻（欧姆）

50 k 100 k

图8.频率的影响

图9.源电阻的影响

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组曲线图的图示H中的关系

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得

这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4401LT1线被选中，并且在同一单位被用来

制定每个图上的相应编号的曲线。

50 k

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

20 k

10 k

5.0 k

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

图10.输入阻抗

10

重，电压反馈比例（ X 10

-4

)

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

20

10

5.0

2.0

1.0

0.1

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电压反馈比例

http://onsemi.com

4

图12.输出导纳

MMBT4401LT1G

静态特性

500

450

400

^ h FE ， DC电流增益

350

300

250

200

150

100

50

0

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ A）

1

- 55°C

25°C

T

J

= 150°C

V

CE

= 5.0 V

V

CE

= 2.0 V

V

CE

= 1.0 V

图13.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.2

1.0

0.8

I

C

= 1.0毫安

0.6

0.4

0.2

0

10毫安

百毫安

300毫安

500毫安

0.001

0.01

0.1

I

B

，基极电流（毫安）

1

10

100

图14.集电极饱和区

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和电压（ V）

0.35

I

C

/I

B

= 10

0.30

0.25

150°C

0.20

0.15

0.10

-55°C

0.05

0

0.0001

0.1

0.001

0.01

I

C

，集电极电流（ A）

1

25°C

系数（MV /

°

C)

+ 0.5

0

- 0.5

- 1.0

- 1.5

- 2.0

- 2.5

0.1 0.2

q

VB

对于V

BE

0.5

50

1.0 2.0

5.0 10 20

I

C

，集电极电流（毫安）

100 200

500

q

VC

对于V

CE （ SAT ）

图15.集电极 - 发射极饱和

电压与集电极电流

图16.温度系数

http://onsemi.com

5

MMBT4401LT1

首选设备

开关晶体管

NPN硅

特点

无铅包装是否可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

40

60

6.0

600

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

3

1

BASE

2

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5委员会（注1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

R

qJA

P

D

556

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55

+150

单位

mW

3

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

2

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

类型6

标记图

2X

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

2X =具体设备守则

D =日期代码

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 第4版

出版订单号：

MMBT4401LT1/D

MMBT4401LT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

基本特征（注3 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

集电极 - 基极电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

发射极 - 基极电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

EB

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

250

C

cb

C

eb

h

ie

1.0

h

re

0.1

h

fe

40

h

oe

1.0

30

500

毫姆欧

8.0

15

X 10

4

30

kW

6.5

pF

兆赫

h

FE

20

40

80

100

40

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.75

0.95

1.2

0.4

0.75

VDC

300

V

（ BR ） CEO

40

V

（ BR ） CBO

60

V

（ BR ） EBO

6.0

I

BEV

I

CEX

0.1

MADC

VDC

符号

民

最大

单位

VDC

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

MMBT4401LT1

订购信息

设备

MMBT4401LT1

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT3

包

SOT- 23 （ TO- 236 ）

（无铅）

SOT- 23 （ TO- 236 ）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

+30 V

200

W

C

S

* < 10 pF的

4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MMBT4401LT1

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

Q， CHARGE （ NC）

C

敖包

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

Q

A

10

20

200

50 70 100

30

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

Q

T

100°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

0.2 0.3 0.5

2.0 3.0 5.0

10

1.0

反向电压（伏）

20 30

50

图3的电容

图4.收费数据

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升和下降时间

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

10

20

30

50

70

100

200

300

500

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

http://onsemi.com

4

MMBT4401LT1

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

4.0

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k

R

S

，源电阻（欧姆）

50 k 100 k

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组曲线图的图示H中的关系

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得

这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4401LT1线被选中，并且在同一单位被用来

制定每个图上的相应编号的曲线。

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

20 k

10 k

5.0 k

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

100

70

50

30

20

0.1

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

10

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.1

图12.输入阻抗

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

MMBT4401LT1 UNIT 1

MMBT4401LT1 UNIT 2

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

http://onsemi.com

5

图14.输出导纳