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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2183页 > MMBT4401-7-F
MMBT4401
NPN小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ MMBT4403 ）
非常适用于中等功率放大和开关
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料，
注3： UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀），每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.0082克（近似值）
C
B
顶视图
E
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6.0
600
单位
V
V
V
mA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注1）
热特性
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
MMBT4401
文件编号： DS30039牧师13 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
MMBT4401
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
15
20
225
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2.0V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
kΩ
-4
x 10
μS
兆赫
ns
ns
ns
ns
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
400
350
P
D
，功耗（毫瓦）
I
C
，集电极电流（ A）
300
250
200
150
100
50
0
0
R
θJA
= 417
°
C / W
1
PW = 10毫秒
0.1
DC
PW = 100毫秒
0.01
50
75 100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功耗与环境温度（注1 ）
25
0.001
0.1
T
A
= 25°C
单一非重复脉冲
DUT安装在1xMRP
FR-4板
1
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压
MMBT4401
文件编号： DS30039牧师13 - 2
2 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
MMBT4401
1,000
0.5
I
C
I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
T
A
= 125°C
0.4
T
A
= 25°C
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.3
T
A
= 150°C
0.2
10
0.1
T
A
= -50°C
V
CE
= 1.0V
1
0.1
0
1
1
1,000
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3典型的DC电流增益与集电极电流
100
V
CE
= 5V
T
A
= -50°C
1,000
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
30
电容（pF）
T
A
= 25°C
20
10
5
C
IBO
T
A
= 150°C
C
敖包
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
1
0.1
1.0
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 6典型的电容特性
50
1,000
2.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
= 5V
f
T
，增益带宽积（兆赫）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
I
C
= 30毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
100
10
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7典型增益带宽积与集电极电流
1
1
0.1
10
1
I
B
，基极电流（毫安）
图。 8典型集电极饱和区
0.01
100
MMBT4401
文件编号： DS30039牧师13 - 2
3 4
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2008年12月
Diodes公司
MMBT4401
订购信息
产品型号
MMBT4401-7-F
MMBT4401-13-F
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-23
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2X =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011 2012
Y
Z
十月
O
2013
A
NOV
N
2014
B
2015
C
DEC
D
K2X
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
JAN
1
1999
K
2000
L
FEB
2
2001
M
MAR
3
2002
N
2003
P
APR
4
2004 2005
R
S
五月
5
包装外形尺寸
A
YM
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
MMBT4401
文件编号： DS30039牧师13 - 2
4 4
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2008年12月
Diodes公司
SPICE模型： MMBT4401
MMBT4401
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(MMBT4403)
非常适用于中等功率放大和开关
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准高
可靠性
A
C
B
B
E
顶视图
SOT-23
暗淡
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
E
M
G
H
J
C
K
L
M
α
B
E
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
600
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30039牧师9 - 2
1 4
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MMBT4401
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
15
20
225
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
B
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
kΩ
-4
x 10
μS
兆赫
ns
ns
ns
ns
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2.0V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
B
B
B
B
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
1000
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
10
V
CE
= 1.0V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1最大功率耗散VS
环境温度
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2典型的直流电流增益VS
集电极电流
DS30039牧师9 - 2
2 4
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MMBT4401
Diodes公司
2.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
30
20
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
I
C
= 30毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
CIBO
电容（pF）
10
5.0
科博
1.0
0.1
1.0
10
50
REVERSE伏（V ）
图。 3典型电容
0.01
0.1
1
10
100
I
B
，基极电流（毫安）
图。 4典型集电极饱和区
1.0
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
V
CE
= 5V
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
0.5
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
0.4
T
A
= 25°C
0.3
T
A
= 150°C
0.2
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
T
A
= 150°C
0.1
T
A
= -50°C
0
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5集电极发射极饱和电压
与集电极电流
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6基极发射极电压与集电极电流
1000
f
T
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
100
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7增益带宽积与集电极电流
1
DS30039牧师9 - 2
3 4
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Diodes公司
订购信息
（注4 ）
设备
MMBT4401-7-F
注意事项：
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K1P
K2X =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
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