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2N4400 / MMBT4400
分立功率&信号
技术
2N4400
MMBT4400
C
E
C
BE
TO-92
SOT-23
马克： 83
B
NPN通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为500毫安。来源
从工艺19.见PN2222A的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4400
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4400
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
40
60
6.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
20
40
50
20
150
0.40
0.75
0.95
1.2
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.75
小信号特性
C
ob
C
ib
h
fe
h
fe
h
ie
h
re
h
oe
输出电容
输入电容
小信号电流增益
小信号电流增益
输入阻抗
电压反馈比例
输出导纳
V
CB
= 5.0 V ， F = 140千赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 140千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安，
F = 1.0千赫
2.0
20
0.5
0.1
1.0
250
7.5
8.0
30
K
x 10
μmhos
-4
6.5
30
pF
pF
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安， V
BE （关闭）
= 0.0 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
2N4400 / MMBT4400
2N4400
MMBT4400
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 83
B
NPN通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为500毫安。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4400
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4400
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2001年仙童半导体公司
2N4400 / MMBT4400 ，版本A
2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
40
60
6.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
20
40
50
20
150
0.40
0.75
0.95
1.2
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.75
小信号特性
C
ob
C
ib
h
fe
h
fe
h
ie
h
re
h
oe
输出电容
输入电容
小信号电流增益
小信号电流增益
输入阻抗
电压反馈比例
输出导纳
V
CB
= 5.0 V ， F = 140千赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 140千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安，
F = 1.0千赫
2.0
20
0.5
0.1
1.0
250
7.5
8.0
30
K
x 10
-4
6.5
30
pF
pF
μmhos
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安， V
EB
= 2 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
典型特征
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
25 °C
125 °C
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
BE（上）
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
- 40 °C
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
125 °C
0.6
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
100
10
1
0.1
V
CB
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
C
te
= 40V
F = 1 MHz的
8
OB
4
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
320
V CC = 25 V
时间（纳秒）
240
160
吨关闭
时间（纳秒）
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
80
T ON
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
典型的共发射极特性
（ F = 1.0KHz ）
CHAR 。相对TO值按我
C
= 10毫安
CHAR 。相对将值AT＆T
A
= 25
o
C
共发射极特性
8
V
CE
= 10 V
T
A
= 25
o
C
共发射极特性
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
h
re
h
ie
h
fe
h
oe
6
h
oe
4
h
re
2
h
fe
h
ie
0
0
10
20
30
40
50
I
C
- 集电极电流（毫安）
60
0
20
40
60
80
T
A
- 环境温度（
o
C)
100
CHAR 。相对将值在V
CE
= 10V
共发射极特性
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0
5
h
oe
10
15
20
25
30
V
CE
- 集电极电压（ V）
35
h
re
h
ie
I C = 10毫安
T
A
= 25
o
C
h
fe
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MURD330
MAX6471UT25BD4-T
MAX6716UTVDD4-T
MAX767SEAP
M29W200BT55M1F
MRS-1-5KGPC
MX23C3210TC-12G
MD82C37A-12/B
MI-P234-IXZ
M38506FDH-XXXFP
M38508M7-XXXSP
MUN5335DW1T1
MDLS-20464
M-FIAM5BHS2
供货商
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MMBT4400
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-23612326
联系人：唐
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MMBT4400
FSC
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人：小邹
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MMBT4400
Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ
22+
9219
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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FSC;ONS
24+
8420
SOT-23-3
全新原装现货，原厂代理。
深圳市深科创科技有限公司
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电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
MMBT4400
NO MFR
23+
2986
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMBT4400
Fairchild Semiconductor
24+
10000
SOT-23
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMBT4400
onsemi
24+
10000
SOT-23-3
原厂一级代理，原装现货
深圳市创越芯电子科技有限公司
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电话：17302677633
联系人：林先生
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MMBT4400
FAIRCHILD/仙童
2022+
3007
SOT23
全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势，支持实单
上海金庆电子科技京城市场部
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电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
MMBT4400
ONSEMI
20+
26000
全新原装 货期两周
深圳市正信鑫科技有限公司
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
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ＦＡＩＲＣＨＩＬＤ
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8908
原厂封装
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联系人：赵小姐
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MMBT4400
FAIRCHILD/仙童
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