MMBT4126
PNP小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
互补NPN类型可用（ MMBT4124 ）
非常适用于低功率放大和开关
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2和4）
E
A
C
B
B
顶视图
E
C
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
K
J
L
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
标记（见第3页） ： K2B
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
D
G
H
G
H
J
K
L
M
C
B
E
α
尺寸：mm
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
-25
-25
-4.0
-200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注3 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
h
fe
f
T
NF
民
-25
-25
-4.0
120
60
120
250
最大
-50
-50
360
-0.40
-0.95
4.5
10
480
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
pF
pF
兆赫
dB
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0V
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0V
I
C
= -2.0mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 1.0V ，我
C
= -2.0mA ，
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -100μA,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DS30106牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBT4126
Diodes公司
订购信息
设备
MMBT4126-7-F
注意事项：
5.
（注5 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2B =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
K2B
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
YM
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30106牧师8 - 2
3 3
www.diodes.com
MMBT4126
Diodes公司
2N4126 / MMBT4126
分立功率&信号
技术
2N4126
MMBT4126
C
E
C
BE
TO-92
SOT-23
马克： ZF
B
PNP通用放大器
该器件是专为通用放大器和开关
集电极电流为10个应用程序
A
作为开关和100
毫安作为放大器。从工艺66.见2N3906的来源
的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
25
4.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4126
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4126
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
2N4126 / MMBT4126
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
25
25
4.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
120
60
360
0.4
0.95
V
V
小信号特性
f
T
C
IBO
C
cb
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输入电容
集电极 - 基极Capcitance
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 10 Hz至15.7千赫
250
10
4.5
120
480
4.0
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
MMBT4126
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
外延平面片建设
互补NPN类型可用
(MMBT4124)
适用于中等功率放大和
开关
SOT-23
暗淡
A
C
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
G
H
K
J
L
M
机械数据
E
B
顶视图
E
D
G
H
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K2B
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（约）
B
J
K
L
M
a
C
尺寸：mm
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBT4126
-25
-25
-4.0
-200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS30106修订版2 - 2
1 2
MMBT4126
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
-25
-25
-4.0
120
60
120
250
最大
-50
-50
360
-0.40
-0.95
4.5
10
480
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -10mA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -10mA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0V
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0V
I
C
= -2.0mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 1.0V ，我
C
= -2.0mA ，
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -100mA ，
R
S
= 1.0KW ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
h
fe
f
T
NF
V
V
pF
pF
兆赫
dB
订购信息
设备
MMBT4126-7
注意：
（注3）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
YM
2003
P
JUN
6
K2B
K2B =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30106修订版2 - 2
2 2
MMBT4126
2N4126 / MMBT4126
2N4126
MMBT4126
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： ZF
B
PNP通用放大器
该器件是专为通用放大器和开关
荷兰国际集团在集电极电流应用10
A
作为开关，并
百毫安作为放大器。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
25
4.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4126
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4126
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001年仙童半导体公司
2N4126 / MMBT4126 ，版本A
2N4126 / MMBT4126
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
25
25
4.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
120
60
360
0.4
0.95
V
V
小信号特性
f
T
C
IBO
C
cb
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输入电容
集电极 - 基极Capcitance
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 10 Hz至15.7千赫
250
10
4.5
120
480
4.0
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
2N4126 / MMBT4126
PNP通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
F ê
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
250
V
CE
= 1 .0V
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
125°C
25 °C
β
= 10
200
150
25 °C
100
- 40 °C
0.05
0
- 40 °C
50
0.1
0.2
0.5 1
2
5
10 20
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
50
100
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
200
V
BE （ON）的
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
0.8
25 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 °C
β
= 10
- 40 °C
0.6
0.4
0.2
0
125 °C
0.6
0.4
0.2
0
0.1
25 °C
125 °C
V
CE
= 1V
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
200
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
V
10
CB
共基极开路
输入和输出电容
VS反向偏置电压
10
敖包
= 25V
电容（pF）
8
6
4
2
0
0.1
IBO
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
反向偏置电压（V）的
10
SPICE模型： MMBT4126
LEAD -FREE
MMBT4126
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
外延平面片建设
互补NPN类型可用（ MMBT4124 ）
非常适用于低功率放大和开关
无铅/符合RoHS （注2 ）
C
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
J
L
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
E
B
顶视图
E
D
G
H
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
标记（见第2页） ： K2B
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
B
J
K
L
M
a
C
尺寸：mm
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-25
-25
-4.0
-200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30106启示录7 - 2
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MMBT4126
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注3 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
-25
-25
-4.0
120
60
120
250
最大
-50
-50
360
-0.40
-0.95
4.5
10
480
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -10mA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
E
= -10mA ，我
C
= 0
V
CB
= -20V ，我
E
= 0V
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0V
I
C
= -2.0mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 1.0V ，我
C
= -2.0mA ，
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -100mA ，
R
S
= 1.0KW ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
h
fe
f
T
NF
V
V
pF
pF
兆赫
dB
订购信息
设备
MMBT4126-7-F
注意：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2B
K2B =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
1998
J
MONTH
CODE
1999
K
JAN
1
2000
L
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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YM
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注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
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同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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