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SPICE模型: MMBT3906
MMBT3906
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
互补NPN类型可用
(MMBT3904)
非常适用于中等功率放大和开关
无铅/符合RoHS (注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
B
顶视图
E
E
D
G
H
K
J
L
M
C
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
C
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡
完成了退火合金引线框架42 ) 。
标记(见第2页) : K3N
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.008克(近似值)
M
a
尺寸:mm
B
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBT3906
-40
-40
-5.0
-200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30059牧师13 - 2
1 4
www.diodes.com
MMBT3906
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性(注3 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
CBO
I
BL
-40
-40
-5.0
60
80
100
60
30
-0.65
2.0
0.1
100
3.0
250
最大
-50
-50
-50
300
-0.25
-0.40
-0.85
-0.95
4.5
10
12
10
400
60
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= -10mA ,我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
E
= -10mA ,我
C
= 0
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
V
CB
= -30V ,我
E
= 0
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
I
C
= -100μA ,V
CE
=
I
C
= -1.0mA ,V
CE
=
I
C
= -10mA ,V
CE
=
I
C
= -50mA ,V
CE
=
I
C
= -100mA ,V
CE
=
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-1.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= -0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -100mA ,
R
S
= 1.0KW , F = 1.0kHz
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
V
BE (OFF)的
= 0.5V ,我
B1
= -1.0mA
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
I
B1
= I
B2
= -1.0mA
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
订购信息
(注4 )
设备
MMBT3906 -7 -F
注意事项:
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K3N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
K3N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2002
N
五月
5
YM
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30059牧师13 - 2
2 4
www.diodes.com
MMBT3906
100
F = 1MHz的
300
250
200
150
100
50
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
350
P
D
,功耗(毫瓦)
10
CIBO
科博
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
1
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
10
I
C
I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
1
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
10
0.1
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
0.01
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
1
T
A
= -25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
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3 4
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MMBT3906
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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